CN207008000U - 一种cmos电路的开启电压测试装置 - Google Patents

一种cmos电路的开启电压测试装置 Download PDF

Info

Publication number
CN207008000U
CN207008000U CN201720910374.6U CN201720910374U CN207008000U CN 207008000 U CN207008000 U CN 207008000U CN 201720910374 U CN201720910374 U CN 201720910374U CN 207008000 U CN207008000 U CN 207008000U
Authority
CN
China
Prior art keywords
cut
voltage
cmos circuit
test device
optional end
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201720910374.6U
Other languages
English (en)
Inventor
苑宁
闫蕊
赵磊
吴迪
于江勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING YU XIANG ELECTRONIC Co Ltd
Original Assignee
BEIJING YU XIANG ELECTRONIC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING YU XIANG ELECTRONIC Co Ltd filed Critical BEIJING YU XIANG ELECTRONIC Co Ltd
Priority to CN201720910374.6U priority Critical patent/CN207008000U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN207008000U publication Critical patent/CN207008000U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开一种CMOS电路的开启电压测试装置,包括:电路基板;设置于电路基板上用于插入待测芯片的插座;连接在电源正极与参考端之间的第一变阻器;与插座各管脚一一对应电连接的多个并联的第一开关,第一开关为多选一开关,至少包括第一可选端、第二可选端和第三可选端,第一可选端与电源正极电连接,第二可选端与参考端电连接,第三可选端获取第一变阻器的电压值;及用于测量第一可选端电流值的电流表和用于测量第三可选端电压值的电压表。本实用新型中CMOS电路的开启电压测试装置的体积小,便于携带,能够对芯片直接进行开启电压的测试,省去了测试机台进行测试的繁琐,实现了测试项目的针对性,满足了实际测试的需求。

Description

一种CMOS电路的开启电压测试装置
技术领域
本实用新型涉及微电子测试技术领域。更具体地,涉及一种CMOS电路的开启电压测试装置。
背景技术
互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,CMOS)是一种基本单元电路反相器由N沟道和P沟道MOS场效应晶体管对管构成,以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路。由于其具有静态功耗低、逻辑摆幅大、抗干扰能力强、反应速度快和延迟时间短等特点,CMOS电路有着越来越广泛的应用。
随着科学技术的发展,特别是随着核技术和空间技术的发展,越来越多的电子设备需要在各种辐射环境下使用。电子设备中的一些元器件受到外部环境中的辐射、光照等因素影响,会导致一些电参数发生改变,严重时可能会导致一些电子元器件功能失效,进而使电子设备不能正常的工作、运行。而CMOS电路广泛应用于卫星和核试验环境中,CMOS电路对核辐射尤其敏感。
在CMOS电路中,开启电压是一种基本的电性能参数。开启电压,又称阈值电压,是使源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。CMOS电路中的开启电压不仅对其他电参数有着重要的影响,而且同一器件N管和P管开启电压的匹配程度也影响着器件的电性能。器件经过辐照后,氧化层中的电子被大量激发成为自由电子,这使N管的开启电压降低,如果辐照后N管的开启电压降低的幅度比较大,会造成器件的功能失效和其他电参数的超差。因此,作为器件的重要参数指标,开启电压的测试成为一项经常性的测试项目。
目前,开启电压的测试,主要依赖于功能比较复杂的测试机台,测试机台虽然可以同时测试开启电压和击穿电压等一系列电参数,但是体积大,不便于携带,而且在很多情况下,只需要测试开启电压一项指标,而不需要测试其它指标,所以设计一款测试开启电压的专用测试板是很有必要的。
因此,需要提供一种CMOS电路的开启电压测试装置。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种体积小便于携带的CMOS电路的开启电压测试装置。
为达到上述目的,本实用新型采用下述技术方案:
一种CMOS电路的开启电压测试装置,包括:
电路基板;
设置于电路基板上用于插入待测芯片的插座;
连接在电源正极与参考端之间的第一变阻器;
与插座各管脚一一对应电连接的多个并联的第一开关;第一开关为多选一开关,至少包括第一可选端、第二可选端和第三可选端,第一可选端与电源正极电连接;第二可选端与参考端电连接;第三可选端获取第一变阻器的电压值;及
用于测量第一可选端电流值的电流表和用于测量第三可选端电压值的电压表。
通过将待测芯片插入上述CMOS电路的开启电压测试装置,可实现为待测芯片提供电源正极、参考端和一可变化的电压,从而实现对CMOS电路开启电压的测试。本实用新型中CMOS电路的开启电压测试装置的体积小,便于携带,能够对芯片直接进行开启电压的测试,省去了测试机台进行测试的繁琐;将开启电压与其他电性能参数分离测试,实现了测试项目的针对性,满足了实际测试的需求。
可选的,插座为双列直插插座。
本实用新型中的双列直插插座能够满足大部分芯片的测试需求,只需将待测芯片插入双列直插插座中,设置需要测试的管脚对应的第一开关的可选端位置即可完成CMOS电路开启电压的测试。测试设备体积小易于携带,测试过程简单方便,极大地满足了CMOS电路开启电压的测试要求。
可选的,第一开关为N选一开关,其中,N为自然数且N≥3。
可选的,第一开关为四选一开关。
四选一开关在满足第一开关至少包括第一可选端、第二可选端和第三可选端的基础上,具有体积小的特点,进一步缩小了CMOS电路的开启电压测试装置的体积。
可选的,CMOS电路的开启电压测试装置还包括设置于第二可选端与电源正极之间的第二开关,用于控制电路的通断。
第二开关能够控制电路的通断,提高了测试过程的可控性。通过设置测试时第二开关导通和测试完成后第二开关断开,节省了电能,同时提高了测试过程的安全性。
可选的,CMOS电路的开启电压测试装置还包括用于切换电压表的正负极的第一两路拨码开关。
测试过程中,电压表用于测量第三可选端的电压值。测量时,NMOS管的开启电压VN为正值,PMOS管的开启电压VP为负值,通过切换电压表的正负极,可实现从电压表中直接读出待测的开启电压,从而省去了测量PMOS管开启电压VP时需要根据电压表读数进行计算的过程,简化了测量过程,提高了测量结果的可视性。
可选的,CMOS电路的开启电压测试装置还包括连接在电源正极与参考端之间的第二变阻器,及用于控制第三可选端获取第一变阻器电压值或第二变阻器电压值的第二两路拨码开关。
可选的,变阻器为滑动变阻器或变位器。
本实用新型中通过设置可选的第一变阻器和变阻电位器,实现测量不同类型MOS管时采用不同的变阻器,减少了使用过程中变阻器开关旋钮或滑动的选择操作过程,延长了变阻器的使用寿命,同时还提高了开启电压的测试速度,优化了测试过程。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型中的CMOS电路的开启电压测试装置,通过将待测芯片插入上述CMOS电路的开启电压测试装置,可实现为待测芯片提供电源正极、参考端和一可变化的电压,从而实现对CMOS电路开启电压的测试。本实用新型中CMOS电路的开启电压测试装置的体积小,便于携带,能够对芯片直接进行开启电压的测试,省去了测试机台进行测试的繁琐;将开启电压与其他电性能参数分离测试,实现了测试项目的针对性,满足了实际测试的需求。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1示出测试装置的测试原理图。
图2示出测试电流与测试电压关系曲线图。
图3示出实施例1中CMOS电路的开启电压测试装置结构示意图。
图4示出四选一开关结构示意图。
图5示出实施例2中CMOS电路的开启电压测试装置结构示意图。
图6示出实施例3中CMOS电路的开启电压测试装置结构示意图。
具体实施方式
为了更清楚地说明本实用新型,下面结合优选实施例和附图对本实用新型做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解,下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的,不应以此限制本实用新型的保护范围。
本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的属于“第一”、“第二”等是用于区别不同的对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法或设备固有的气体步骤或单元。
本实用新型提供一种体积小、便于携带的CMOS电路的开启电压测试装置,该装置包括:电路基板、设置于电路基板上用于插入待测芯片的插座、连接在电源正极与参考端之间的第一变阻器、与插座各管脚一一对应电连接的多个并联的第一开关、电流表和电压表。其中,第一开关为多选一开关,至少包括第一可选端、第二可选端和第三可选端。第一可选端与电源正极电连接,第二可选端与参考端电连接,第三可选端获取第一电位器的电压值。电流表用于测量第一可选端电流值,电压表用于测量第三可选端电压值。
本实用新型中,通过将待测芯片插入上述CMOS电路的开启电压测试装置,可实现为待测芯片提供电源正极、参考端和一可变化的电压,从而实现对CMOS电路开启电压的测试。本实用新型中CMOS电路的开启电压测试装置的体积小,便于携带,能够对芯片直接进行开启电压的测试,省去了测试机台进行测试的繁琐;将开启电压与其他电性能参数分离测试,实现了测试项目的针对性,满足了实际测试的需求。
测试基本原理如下:
如图1所示,进行装置插接时,将待测芯片插入上述CMOS电路的开启电压测试装置中,实现了CMOS电路与测试电路的连接,其中,与电源正极VCC相连的第一可选端经电流表与PMOS管的源极相连,与参考端GND相连的第二可选端与NMOS管的源极相连,PMOS管和NMOS管的栅极相连后作为该测量电路的X端接至第三可选端。
如图2所示,进行开启电压测试时,从GND电压值开始,通过调节变阻器逐渐增加X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于开启状态,P管处于关闭状态,此时,V1即为N管的开启电压VN。同样,电压值从VCC开始,通过调节变阻器逐渐降低X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于关闭状态,P管处于开启状态,此时,VCC减去V2的负值即为P管的开启电压VP。测试时,芯片上所有的引脚分别以高电位、低电位、测试端和悬空状态四种状态接入测试电路中。在具体的芯片测试过程中,芯片的输出引脚全部为悬空状态;VCC引脚和GND引脚分别接入电源和地;输入引脚分别接高电位或者低电位,被测试引脚接入测试端。
应注意的是,本实用新型中采用20uA作为判断MOS管开启状态和关闭状态的阈值,本领域技术人员可以理解,该阈值的选择应根据测试需求和MOS管的不同而确定,在此并不做限定。
下面以一系列具体的实施例来说明本发明,但不限定本发明的保护范围。
实施例1
如图3所示,本实施例中CMOS电路的开启电压测试装置包括电路基板和1固定于所述电路基板上的多个分立夹具。其中,分立夹具包括双列直插插座2、分别与双列直插插座的各管脚一一对应电连接的四选一开关3、电路开关4和第一滑动变阻器5-1。
上述各个四选一开关3包括一固定端a和四个可选端b、c、d和e,如图4所示。其中,固定端a与双列直插插座2的各个管脚一一对应电连接,各个四选一开关3的四个可选端中的第一可选端b并联后经电路开关4与电源正极VCC相连,第二可选端c并联后与电源参考端GND相连,第三可选端d并联后与滑动变阻器5-1的滑动端相连,滑动变阻器5-1的另两端分别与电源正极VCC和电源参考端GND相连,第四可选端e并联后悬空。
电流表串联在电源正极VCC与第一可选端b之间,用于测量经过第一可选端b的电流ICC,电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端和电源参考端GND之间的电压。
测量时,从参考端GND电压值开始,通过调节滑动变阻器5-1的滑动端逐渐增加X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于开启状态,P管处于关闭状态,此时,V1即为N管的开启电压VN。同样,电压值从VCC开始,通过调节滑动变阻器5-1的滑动端逐渐降低X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于关闭状态,P管处于开启状态,此时,VCC减去V2的负值即为P管的开启电压VP
本实施例中,通过将待测芯片插入上述CMOS电路的开启电压测试装置,可实现为待测芯片提供电源正极、参考端和一可变化的电压,从而实现对CMOS电路开启电压的测试。本实用新型中CMOS电路的开启电压测试装置的体积小,便于携带,能够对芯片直接进行开启电压的测试,省去了测试机台进行测试的繁琐;将开启电压与其他电性能参数分离测试,实现了测试项目的针对性,满足了实际测试的需求。
实施例2
如图5所示,本实施例中CMOS电路的开启电压测试装置包括电路基板和1固定于所述电路基板上的多个分立夹具。其中,分立夹具包括双列直插插座2、分别与双列直插插座的各管脚一一对应电连接的四选一开关3、电路开关4、第一滑动变阻器5-1和第一两路拨码开关6-1。
上述各个四选一开关3包括一固定端a和四个可选端b、c、d和e。其中,固定端a与双列直插插座2的各个管脚一一对应电连接,各个四选一开关3的四个可选端中的第一可选端b并联后经电路开关4与电源正极VCC相连,第二可选端c并联后与电源参考端GND相连,第三可选端d并联后与滑动变阻器5-1的滑动端相连,滑动变阻器5-1的另两端分别与电源正极VCC和参考端GND相连,第四可选端e并联后悬空。
电流表串联在电源正极VCC与第一可选端b之间,用于测量经过第一可选端b的电流ICC。第一两路拨码开关6-1用于控制电压表负极在电源正极VCC和参考端GND之间进行切换,电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端和电源正极VCC/参考端GND之间的电压。
测量N管的开启电压VN时,通过控制第一两路拨码开关6-1使电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端和参考端GND之间的电压。从参考端GND电压值开始,通过调节滑动变阻器5-1的滑动端逐渐增加X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于开启状态,P管处于关闭状态,此时,电压表读数V1即为N管的开启电压VN
测量N管的开启电压VN时,通过控制第一两路拨码开关6-1使电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端和电源正极VCC之间的电压的负值。改变电压值从VCC开始,通过调节滑动变阻器5-1的滑动端逐渐降低X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于关闭状态,P管处于开启状态,电压表读数V2即为P管的开启电压VP
本实施例中,通过切换电压表的正负极,可实现从电压表中直接读出待测的开启电压,从而省去了测量PMOS管开启电压VP时需要根据电压表读数进行计算的过程,简化了测量过程,提高了测量结果的可视性。
实施例3
如图6所示,本实施例中CMOS电路的开启电压测试装置包括电路基板和1固定于所述电路基板上的多个分立夹具。其中,分立夹具包括双列直插插座2、分别与双列直插插座的各管脚一一对应电连接的四选一开关3、电路开关4、第一滑动变阻器5-1、第二滑动变阻器5-2、第一两路拨码开关6-1、和第二两路拨码开关6-2。
上述各个四选一开关3包括一固定端a和四个可选端b、c、d和e。其中,固定端a与双列直插插座2的各个管脚一一对应电连接,各个四选一开关3的四个可选端中的第一可选端b并联后经电路开关4与电源正极VCC相连,第二可选端c并联后与电源参考端GND相连,滑动变阻器5-1的两端分别与电源正极VCC和参考端GND相连,滑动变阻器5-2的两端也分别与电源正极VCC和参考端GND相连,第三可选端d并联后通过第二两路拨码开关6-2选择与第一滑动变阻器5-1或第二滑动变阻器5-2的滑动端相连,第四可选端e并联后悬空。第一滑动变阻器5-1的滑动端靠近参考端GND,第二滑动变阻器5-2的滑动端靠近电源正极VCC。
电流表串联在电源正极VCC与第一可选端b之间,用于测量经过第一可选端b的电流ICC。第一两路拨码开关6-1用于控制电压表负极在电源正极VCC和参考端GND之间进行切换,电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端/滑动变阻器5-1的滑动端和电源正极VCC/参考端GND之间的电压。
测量N管的开启电压VN时,通过控制第一两路拨码开关6-1使电压表测量滑动变阻器5-1的滑动端和参考端GND之间的电压。从参考端GND电压值开始,通过调节滑动变阻器5-1的滑动端逐渐增加X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于开启状态,P管处于关闭状态,此时,电压表读数V1即为N管的开启电压VN
测量N管的开启电压VN时,通过控制第一两路拨码开关6-1和第二两路拨码开关6-2使电压表测量滑动变阻器5-2的滑动端和电源正极VCC之间的电压的负值。改变电压值从VCC开始,通过调节调节滑动变阻器5-2的滑动端逐渐降低X端的电压值,当ICC第一次达到20uA时,即N管处于关闭状态,P管处于开启状态,电压表读数V2即为P管的开启电压VP
本实施例中,通过设置可选的第一滑动变阻器5-1和第二滑动变阻器5-2,实现测量不同类型MOS管时采用不同的滑动变阻器,减少了使用过程中变阻器滑动的操作过程,延长了变阻器的使用寿命,同时还提高了开启电压的测试速度,优化了测试过程。
上述实施例中,双列直插插座包括20个引脚,对应地,四选一开关为20个。电路板1的尺寸大小为5340mil×3800mil,双列直插插座2的尺寸为1150mil×450mil。电路板1上器件的位置关系根据电路板1尺寸和器件尺寸合理设置。在此例中,位于双列直插插座2两列的四选一开关3之间的距离为1535mil,两个相邻的四选一开关3之间的距离为50mil。
在本申请所提供的几个实施例中,应该理解到,所揭露的装置,可以通过其它的方式实现。例如,以上所描述的系统实施例仅仅是示意性的,例如,所述模块的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
应说明的是,实施例不旨在限制本实用新型。相关领域的普通技术人员在常情况下将想到公开的实施例中的任何改变和更改以及该文件中公开的原理的进一步说明。
显然,本实用新型的上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型所作的举例,而并非是对本实用新型的实施方式的限定,对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无法对所有的实施方式予以穷举,凡是属于本实用新型的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本实用新型的保护范围之列。

Claims (8)

1.一种CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,包括:
电路基板;
设置于所述电路基板上用于插入待测芯片的插座;
连接在电源正极与参考端之间的第一变阻器;
与所述插座各管脚一一对应电连接的多个并联的第一开关;所述第一开关为多选一开关,至少包括第一可选端、第二可选端和第三可选端,所述第一可选端与电源正极电连接;所述第二可选端与参考端电连接;所述第三可选端获取所述第一变阻器的电压值;及
用于测量所述第一可选端电流值的电流表和用于测量所述第三可选端电压值的电压表。
2.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述插座为双列直插插座。
3.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述第一开关为N选一开关,其中,N为自然数且N≥3。
4.根据权利要求3所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述第一开关为四选一开关。
5.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述CMOS电路的开启电压测试装置还包括设置于所述第二可选端与电源正极之间的第二开关,用于控制电路的通断。
6.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述CMOS电路的开启电压测试装置还包括用于切换所述电压表的正负极的第一两路拨码开关。
7.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述CMOS电路的开启电压测试装置还包括连接在电源正极与参考端之间的第二变阻器,及用于控制所述第三可选端获取所述第一变阻器电压值或所述第二变阻器电压值的第二两路拨码开关。
8.根据权利要求1所述的CMOS电路的开启电压测试装置,其特征在于,所述变阻器为滑动变阻器或变位器。
CN201720910374.6U 2017-07-25 2017-07-25 一种cmos电路的开启电压测试装置 Active CN207008000U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720910374.6U CN207008000U (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种cmos电路的开启电压测试装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201720910374.6U CN207008000U (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种cmos电路的开启电压测试装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN207008000U true CN207008000U (zh) 2018-02-13

Family

ID=61457362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201720910374.6U Active CN207008000U (zh) 2017-07-25 2017-07-25 一种cmos电路的开启电压测试装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN207008000U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111722080A (zh) * 2020-05-26 2020-09-29 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 闩锁测试机台外部扩展电源装置及方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111722080A (zh) * 2020-05-26 2020-09-29 苏试宜特(上海)检测技术有限公司 闩锁测试机台外部扩展电源装置及方法
CN111722080B (zh) * 2020-05-26 2023-09-22 苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司 闩锁测试机台外部扩展电源装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109425816B (zh) 测试mos功率开关
CN103091590B (zh) 一种串联电容检测方法和设备
EP2191284B1 (en) Semiconductor device test system having reduced current leakage
EP2700958A1 (en) Switch circuit, selection circuit, and voltage measurement device
CN102594311B (zh) 包括上电复位电路的半导体装置
CN100390994C (zh) 半导体器件
CN101379406A (zh) 用于检测电压供电源关断状况的电路布置和方法
US20110140732A1 (en) Circuit for testing inrush current
CN105051876A (zh) 用于垂直半导体器件的精度提高的器件体系结构和方法
CN102226831B (zh) 芯片测试方法及锂电池保护芯片的测试电路
CN107041166A (zh) 电力转换装置、以及半导体装置
CN103033728A (zh) 经时击穿矩阵测试电路及测试方法
CN207008000U (zh) 一种cmos电路的开启电压测试装置
CN108141034A (zh) 一种嵌入式电池保护电路、控制电路和信号处理电路
US10038329B2 (en) Monitor and control module and method
CN101308176A (zh) 一种在线测量电解电容的电路
Sirat et al. In-situ ultrafast sensing techniques for prognostics and protection of sic devices
CN200976023Y (zh) Cmos电池电压检测电路
CN106960802B (zh) 一种半导体静态电流的测试器件及测试方法
US10373678B2 (en) SRAM margin recovery during burn-in
US10224919B2 (en) Power switch control by supply voltage terminal
Di Biccari et al. HV ESD diodes investigation under vf-TLP stresses: TCAD approach
CN201025484Y (zh) 电压突波测试装置
CN102623413B (zh) 一种增加单位测试模块的可测器件的测试键回路
Sajadi et al. Reliability Evaluation of Isolated LDMOS Devices and Condition Monitoring Solution

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant