CN206877977U - 一种易散热半导体场效应晶体管器件结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及半导体领域，提供了一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，基极和源极电连接，栅极、源极、漏极分别与金属支脚电连接，金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，器件结构周围设有氧化铝绝缘层，器件结构和部分金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。本实用新型将金属支脚及器件结构周围设有氧化铝绝缘层，再由氧化铝绝缘层与外界散热器相连接，由于氧化铝绝缘层可以很薄的厚度达到绝缘的效果，可以更好的将热量传递到外界散热器，从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种易散热半导体场效应晶体管器件结构。
背景技术
目前在半导体场效应晶体管通常由塑料进行封装，由于塑料的导热性较低，常常不能及时散热，在高度工作的时候，常常由于散热不及时导致失效。为了解决不能快速散热的问题。因此，需对现有技术加以改进。
实用新型内容
本实用新型提供了一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，用以解决现有技术中不能快速散热的问题。
为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：
一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，所述基极和所述源极电连接，所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接，所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层，所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。
相对于现有技术而言，将金属支脚及器件结构周围设有氧化铝绝缘层，再由氧化铝绝缘层与外界散热器相连接，由于氧化铝绝缘层可以很薄的厚度达到绝缘的效果，可以更好的将热量传递到外界散热器，从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。
进一步的改进在于，所述金属支脚为耐高温金属。
进一步的改进在于，所述金属支脚为铁制金属支脚。
进一步的改进在于，所述金属支脚外的氧化铝绝缘层为α型氧化铝层。
进一步的改进在于，所述外界散热器为铜制散热器。
进一步的改进在于，所述铜制散热器通过金属锡焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
进一步的改进在于，所述外界散热器为铝制散热器。
进一步的改进在于，所述铝制散热器以热熔的方式焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
进一步的改进在于，所述铝制散热器外接有铜加强散热片。
本实用新型由于使用以上技术方案，使其具有的有益效果是：
本实用新型将金属支脚及器件结构周围设有氧化铝绝缘层，再由氧化铝绝缘层与外界散热器相连接，由于氧化铝绝缘层可以很薄的厚度达到绝缘的效果，可以更好的将热量传递到外界散热器，从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。通过进一步设计，将外界散热器设置为传热性较好的铜铝制品，更加有效的方便热传导。
附图说明
图1为本实用新型第一实施方式一种易散热半导体场效应晶体管器件结构的示意图；
图2为本实用新型第一实施方式一种易散热半导体场效应晶体管器件结构的金属支脚示意图。
具体实施方式
为了使实用新型实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，以下结合附图，进一步阐述本实用新型。
本实用新型第一实施方式提供的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构1，如图1与图2所示，器件结构1包括栅极2、源极3、漏极4、基极5，基极5和源极3电连接，栅极2、源极3、漏极4分别与金属支脚6电连接。金属支脚6为铁制或其他耐高温金属制成，外层附有氧化铝绝缘层7，该氧化铝绝缘层为α型氧化铝层。
器件结构1周围设有氧化铝绝缘层7，器件结构1和部分金属支脚通过氧化铝绝缘层7与外界铜制散热器相连接。该铜制散热器通过金属锡焊接在器件结构1和部分金属支脚6上。
由于对绝缘性较好的氧化铝绝缘层7进行绝缘保护，使散热性能较好的铜可以通过锡直接焊接在器件结构和部分金属支脚6外面，更加有利于热传导，方便快速导热，达到了快速散热的目的。
本实用新型的第二实施方式提供了另一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其与第一实施方式的技术特征相似，主要区别在于：外界散热器为铝制散热器。该铝制散热器以热熔的方式焊接在器件结构和部分金属支脚上。铝制散热器外接有铜加强散热片。
由于对绝缘性较好的氧化铝绝缘层7进行绝缘保护，外界低熔点高导热性的铝制散热器可以直接以热熔的方式焊接其上，更加便于散热。
将金属支脚6及器件结构周围设有氧化铝绝缘层7，再由氧化铝绝缘层7与外界散热器相连接，由于氧化铝绝缘层7可以很薄的厚度达到绝缘的效果，可以更好的将热量传递到外界散热器，从而解决了现有技术中不能快速散热的问题。通过进一步设计，将外界散热器设置为传热性较好的铜铝制品，更加有效的方便热传导。
以上对实用新型的具体实施例进行了描述。需要理解的是，实用新型并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变形或修改做出若干简单推演、变形或替换，这并不影响实用新型的实质内容。
Claims (9)
1.一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，所述基极和所述源极电连接，其特征在于：所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接，所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层，所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。
2.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚为耐高温金属。
3.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚为铁制金属支脚。
4.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚外的氧化铝绝缘层为α型氧化铝层。
5.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述外界散热器为铜制散热器。
6.如权利要求5所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铜制散热器通过金属锡焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
7.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述外界散热器为铝制散热器。
8.如权利要求7所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铝制散热器以热熔的方式焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
9.如权利要求8所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铝制散热器外接有铜加强散热片。
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