CN206864466U - 一种基于芯片级封装的发光二极管 - Google Patents
一种基于芯片级封装的发光二极管 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206864466U CN206864466U CN201720197040.9U CN201720197040U CN206864466U CN 206864466 U CN206864466 U CN 206864466U CN 201720197040 U CN201720197040 U CN 201720197040U CN 206864466 U CN206864466 U CN 206864466U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- wafer
- emitting diode
- level package
- utility
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实用新型涉及一种基于芯片级封装的发光二极管，包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～2000 nm，高度为10～2000 nm。本实用新型的优点在于：本实用新型基于芯片级封装的发光二极管，采用在发光源的出光面上制作周期性纳米图形结构，通过调整纳米图形的周期和高度，能够增加LED芯片出射光的透过率，从而能够有效地提高LED的发光效率和亮度。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体光电子领域，特别涉及一种基于芯片级封装的发光二极管。
背景技术
LED以长寿命、抗震、高效、对光源良好的控制能力等优点普遍应用于各个领域，比如：汽车电子、交通信号灯、背光源、建筑照明、装饰等。
基于倒装结构的芯片级封装（CSP）技术采用喷涂荧光粉工艺，CSP封装后尺寸不超过原芯片面积的1.2倍，仅有传统LED封装尺寸的五分之一左右，打破了传统光源尺寸给设计带来的限制，具有集成度高、体积小、成本低等优势。在性能上，由于CSP的小发光面、高光密特性，易于光学指向性控制；利用倒装芯片的电极设计，使其电流分配更加均衡，适合更大电流驱动，从而有利于制作大功率LED；在工艺上，蓝宝石使荧光粉与芯片MQW区的距离增加，荧光粉温度更低，白光转换效率也更高。
目前，基于芯片级封装的发光二极管，如图2所示，包括自下而上依次设置的倒装LED芯片201、荧光胶层202和透明介质层203，这种结构的发光二极管不能使原来发生全发射的光线全部出射，进而LED芯片的发光效率低。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种基于芯片级封装的发光二极管，通过在芯片级封装LED的表面制作周期性纳米图形结构，能够有效地提高LED芯片的发光效率和亮度。
为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种基于芯片级封装的发光二极管，其创新点在于：包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～5000nm，高度为10～5000 nm。
进一步地，所述周期性纳米图形结构的图形是具有周期结构的半球形、圆锥形、金字塔形或三角形中的一种。
进一步地，所述周期性纳米图形结构的图形排列方式为正方晶格、三角晶格或蜂窝晶格中的一种。
进一步地，所述荧光胶层的材料为荧光粉和硅胶的混合体或量子点中的一种。
进一步地，所述荧光粉和硅胶的混合体，其中荧光粉的含量占总体的1%～20%。
进一步地，所述周期性纳米图形结构采用纳米压印技术制备。
本实用新型的优点在于：
（1）本实用新型基于芯片级封装的发光二极管，采用在发光源的出光面上制作周期性纳米图形结构，通过调整纳米图形的周期和高度，能够增加LED芯片出射光的透过率，从而能够有效地提高LED的发光效率和亮度；
（2）本实用新型基于芯片级封装的发光二极管，采用纳米压印技术直接进行纳米图形结果的制作，产量高，生产成本低，适于大规模工业化生产。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型基于芯片级封装的发光二极管的断面结构示意图。其中数字的含义为：倒装LED芯片101、荧光胶层102、透明介质层103、透明介质层上的纳米图形结构104。
图2为传统的芯片级封装LED的断面结构示意图。其中数字的含义为：倒装LED芯片201、荧光胶层202、透明介质层203。
图3为实施例中正方晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。
图4为实施例中三角晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。
图5为实施例中蜂窝晶格排列的周期性纳米图形结构示意图。
图6为利用ANSYS软件模拟的采用周期型纳米结构提高光提取效率的仿真结果图。
具体实施方式
下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。
实施例
本实施例基于芯片级封装的发光二极管，如图1所示，包括自下而上依次设置的倒装LED芯片101、荧光胶层102、透明介质层103以及在透明介质层103上制备的周期性纳米图形形结构104。
作为实施例，更具体的实施方式为倒装LED芯片为蓝光LED，
荧光层102为荧光粉与硅胶的混合体，其中荧光粉的含量占总体的1%～10%；透明介质层103材料为硅胶，折射率n为1.54，厚度为50 μm；周期性纳米图形结构104采用纳米压印技术制备，制备出周期性的半球形，纳米图形结构周期为400 nm，高度为200 nm。
实施例中的纳米图形结构周期不局限为400 nm，高度不局限为200 nm，周期性纳米图形结构的周期可在10～5000 nm，高度在10～5000 nm。
实施例中周期性纳米半球形的排列方式，可以采用如图3所示的正方晶格排列方式，或采用如图4所示的三角晶格排列方式，也可采用如图5所示的蜂窝晶格排列方式。
对本实施例中高度为400 nm，周期为800 nm的半球形周期性增透结构进行仿真模拟，如图6所示，为采用ANSYS软件模拟的采用周期型纳米结构提高光提取效率的仿真结果图。从图中可以明显的看出，采用纳米周期结构的CSP封装芯片比传统的CSP芯片光提取效率增加了6%。仿真结果表明，在CSP表面制作周期性纳米结构，能有效地提高LED芯片的光提取效率。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征以及本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (5)
1.一种基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：包括自下而上依次设置的倒装LED芯片、荧光胶层、透明介质层以及在透明介质层上制备的周期性纳米图形结构；所述周期性纳米图形结构的周期为10～5000nm，高度为10～5000nm。
2.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构的图形是具有周期结构的半球形、圆锥形、金字塔形或三角形中的一种。
3.根据权利要求2所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构的图形排列方式为正方晶格、三角晶格或蜂窝晶格中的一种。
4.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述荧光胶层的材料为荧光粉和硅胶的混合体或量子点中的一种。
5.根据权利要求1所述的基于芯片级封装的发光二极管，其特征在于：所述周期性纳米图形结构采用纳米压印技术制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720197040.9U CN206864466U (zh) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | 一种基于芯片级封装的发光二极管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720197040.9U CN206864466U (zh) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | 一种基于芯片级封装的发光二极管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206864466U true CN206864466U (zh) | 2018-01-09 |
Family
ID=60815766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201720197040.9U Active CN206864466U (zh) | 2017-03-02 | 2017-03-02 | 一种基于芯片级封装的发光二极管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206864466U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783829A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-31 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 一种基于芯片级封装的发光二极管 |
-
2017
- 2017-03-02 CN CN201720197040.9U patent/CN206864466U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106783829A (zh) * | 2017-03-02 | 2017-05-31 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 一种基于芯片级封装的发光二极管 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200834961A (en) | White light emitting diode package structure having silicon substrate and method of making the same | |
| CN202268388U (zh) | 辐射式散热陶瓷基板大功率led封装结构 | |
| CN203585912U (zh) | 一种360度透光光源 | |
| CN101853914A (zh) | 高功率的led白光光源结构 | |
| CN102364710A (zh) | Led白光光源装置 | |
| CN111081691A (zh) | 一种实现多基色led光源的混光及光提取目的的模组结构 | |
| CN203300701U (zh) | 发光二极管装置 | |
| CN111403575A (zh) | 适用于单芯片大功率白光led的光子晶体薄膜及其应用 | |
| CN205752232U (zh) | 一种cob光模组 | |
| CN103325926B (zh) | 一种用于板上芯片led封装结构及其荧光粉涂覆方法 | |
| CN206864466U (zh) | 一种基于芯片级封装的发光二极管 | |
| CN104078533A (zh) | 一种led光源cob封装体及其制备方法 | |
| CN204118125U (zh) | 一种新型led灯丝封装结构 | |
| CN106783829A (zh) | 一种基于芯片级封装的发光二极管 | |
| CN201927603U (zh) | 一种图形化led器件 | |
| CN201838619U (zh) | 一种提高led外量子效率的封装结构 | |
| CN211238243U (zh) | 一种实现多基色led光源的混光及光提取目的的模组结构 | |
| CN204760426U (zh) | 发光二极管封装结构 | |
| CN201804862U (zh) | 单颗三芯片led颗粒 | |
| CN209150154U (zh) | 一种cob光源的封装结构 | |
| CN208256720U (zh) | 一种基于芯片级封装的偏振发光二极管 | |
| CN203367274U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN203165944U (zh) | 一种led封装结构 | |
| CN202205809U (zh) | 插接式led灯珠 | |
| CN201966248U (zh) | 发光二极管晶圆组件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |