CN206818857U - 一种安全芯片内的电压传感器检测装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种安全芯片内的电压传感器检测装置，自检测激励产生电路生成并发送自检测数字激励信号和自检测模式控制信号至输入信号整形电路，输入信号整形电路根据自检测模式控制信号调整自检测数字激励信号；电源电压采样电路根据调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至高压比较电路和低压比较电路；高压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；低压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号；报警判别电路判断高压检测输出信号和低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合预设条件，则生成相应的报警信号。
Description
技术领域
本实用新型实施例涉及安全芯片技术领域，尤其涉及一种安全芯片内的电压传感器检测装置。
背景技术
随着信息化技术的飞速发展，安全芯片以轻便、存储容量大、安全可靠性较高得到了越来越广泛的应用，例如可以应用在银行卡、高速公路电子不停车收费卡、电子标签等不需要与读写器物理接触的环境中，还可以应用在更加复杂的系统中，例如智能零售系统、家校智能卡电子证书系统、医院智能卡系统等。安全芯片在网络支付、网络控管以及电子签章等应用领域扮演着重要角色。
近几年安全芯片的安全面临巨大挑战。现有的安全芯片攻击技术按照攻击的程度可以分为两类：进行故障注入的物理攻击和进行数据分析的旁路攻击。
物理攻击包括辐射、输入频率异常、电压异常，温度异常、电压毛刺、光照异常等改变安全芯片的环境参数的方式。物理攻击主要是通过改变安全芯片的环境参数，使安全芯片内某些晶体管受到影响，令安全芯片内的一个或多个触发器进入错误状态，从而使安全芯片的处理器实施或跳过错误操作，安全芯片内隐藏的信息泄露出来。
安全芯片的抗物理攻击性能是安全芯片安全性的基础，抗物理攻击的有效方法是在安全芯片内部设计不同类型的传感器检测电路，主要是模拟检测电路配合数字电路来实现检测并报警，报警后将系统复位防止信息泄露。例如电压传感器检测电路。
聚焦粒子束(Focus Ion Beam，FIB)技术的出现为安全芯片排除故障(debug)缩短周期提供了方便，但也为安全芯片的安全性带来了威胁。利用FIB技术可以将电压传感器检测电路的使能关闭，可以对安全芯片进行物理攻击，安全芯片的安全性较低。
实用新型内容
本实用新型实施例提供了一种安全芯片内的电压传感器检测装置，以解决现有的安全芯片的安全性较低的问题。
根据本实用新型实施例的一方面，提供了一种安全芯片内的电压传感器检测装置，包括输入信号整形电路、电源电压采样电路、高压比较电路、低压比较电路、报警判别电路和自检测激励产生电路；所述报警判别电路分别与所述高压比较电路和低压比较电路连接；所述自检测激励产生电路与所述输入信号整形电路连接；所述电源电压采样电路分别与所述高压比较电路和低压比较电路连接；所述自检测激励产生电路生成并发送自检测数字激励信号和自检测模式控制信号至输入信号整形电路，所述输入信号整形电路根据所述自检测模式控制信号调整所述自检测数字激励信号；所述电源电压采样电路接收所述调整后的自检测数字激励信号，根据所述调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至所述高压比较电路和所述低压比较电路；所述高压比较电路接收基准电压，将所述检测电压和所述基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；所述低压比较电路接收所述基准电压，将所述检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号；所述报警判别电路接收所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号，判断所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合所述预设条件，则生成相应的报警信号。
可选地，所述报警判别电路根据所述自检测模式控制信号，采用一个高频时钟对所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号进行采样，判断采样获得的所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合所述预设条件，则生成相应的报警信号。
可选地，所述自检测模式控制信号包括第一设定比特信号、第二设定比特信号、第三设定比特信号和第四设定比特信号。
可选地，当所述自检测模式控制信号为所述第一设定比特信号时，所述输入信号整形电路调整所述自检测数字激励信号的波形脉冲占空比。
可选地，当所述自检测模式控制信号为所述第二设定比特信号时，所述输入信号整形电路将所述自检测数字激励信号进行分频或者倍频。
可选地，当所述自检测模式控制信号为所述第三设定比特信号时，所述输入信号整形电路调整所述自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列。
可选地，当所述自检测模式控制信号为所述第四设定比特信号时，所述输入信号整形电路执行以下操作的任意组合：调整所述自检测数字激励信号的波形脉冲占空比、将所述自检测数字激励信号进行分频或者倍频、调整所述自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列。
可选地，所述自检测模式控制信号为预设信号集合中的随机信号。
可选地，所述装置还包括：自检测控制电路和基准电压生成电路；所述输入信号整形电路与所述自检测控制电路连接，所述自检测控制电路与所述电源电压采样电路连接，所述基准电压生成电路分别与所述高压比较电路和低压比较电路连接。
根据本实用新型实施例提供的一种安全芯片内的电压传感器检测装置，包括输入信号整形电路、电源电压采样电路、高压比较电路、低压比较电路、报警判别电路和自检测激励产生电路；其中，报警判别电路分别与高压比较电路和低压比较电路连接，电源电压采样电路分别与高压比较电路和低压比较电路连接。
在对安全芯片的电压传感器进行检测时，通过自检测激励产生电路产生自检测数字激励信号，模拟电压传感器的激励，使得电压传感器输出的信号符合预设条件。本实用新型实施例中的输入信号整形电路接收自检测激励产生电路发送的自检测模式控制信号和自检测数字激励信号，并根据自检测模式控制信号对自检测数字激励信号进行调整，电源电压采样电路接收调整后的自检测数字激励信号，根据调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至高压比较电路和低压比较电路；高压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；低压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号。报警判别电路接收高压检测输出信号和低压检测输出信号，判断高压检测输出信号和低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合预设条件，则表示电压传感器运行异常，生成相应的报警信号。
本实用新型实施例通过输入信号整形电路根据自检测模式控制信号对自检测数字激励信号进行调整，报警判别电路判断电压传感器输出的信号是否符合预设条件，若符合预设条件，则表示电压传感器运行正常，电压传感器的使能开启；若不符合预设条件，则表示电压传感器运行异常，生成相应的报警信号，避免了FIB技术将电压传感器的使能关闭，对安全芯片进行物理攻击的问题，提高了安全芯片的安全性。
附图说明
图1是根据本实用新型实施例一的自检测数字激励信号与高压检测输出信号和低压检测输出信号的对比关系图；
图2是根据本实用新型实施例一的一种安全芯片内的电压传感器检测装置的结构框图；
图3是根据本实用新型实施例二的一种安全芯片内的电压传感器检测装置的结构框图；
图4是根据本实用新型实施例二的自检测数字激励信号与高压检测输出信号和低压检测输出信号的脉冲变化示意图；
图5是根据本实用新型实施例二的自检测数字激励信号与高压检测输出信号和低压检测输出信号的频率变化示意图。
附图标记说明：
10、输入信号整形电路；20、自检测控制电路；30、电源电压采样电路；40、基准电压生成电路；50、高压比较电路；60、低压比较电路；70、报警判别电路；80、自检测激励产生电路。
具体实施方式
下面结合附图(若干附图中相同的标号表示相同的元素)和实施例，对本实用新型实施例的具体实施方式作进一步详细说明。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。
本领域技术人员可以理解，本实用新型实施例中的“第一”、“第二”等术语仅用于区别不同步骤、设备或电路等，既不代表任何特定技术含义，也不表示它们之间的必然逻辑顺序。
实施例一
电压传感器检测装置的主要功能是检测安全芯片的电源电压VCC，对电源电压过高或过低都会输出报警信号，防止过高或过低的电源电压对安全芯片进行物理攻击。例如，在使能电压传感器检测装置后，电源电压低于阈值1.5V时，输出低压报警指示；电源电压高于阈值6V时，输出高压报警指示。
针对FIB技术对电压传感器检测装置的物理攻击，可以为电压传感器检测装置增加自检功能，可以通过自检测激励产生电路产生慢速变化的自检测数字激励信号，如小于200KHz、占空比为50％的方波，电压传感器检测装置针对自检测数字激励信号，交替输出高压报警电压值或者低压报警电压值，如图1所示，其中，VDSIN为自检测数字激励信号，VDVHO为高压检测输出信号，VDVLO为低压检测输出信号，高压检测输出信号和低压检测输出信号均比自检测数字激励信号延迟。
图2示出了根据本实用新型实施例一的一种安全芯片内的电压传感器检测装置的结构框图。
参照图2，本实用新型实施例提供的一种安全芯片内的电压传感器检测装置，包括：输入信号整形电路10、电源电压采样电路30、高压比较电路50、低压比较电路60、报警判别电路70和自检测激励产生电路80。其中，报警判别电路70分别高压比较电路50和低压比较电路60连接，自检测激励产生电路80与输入信号整形电路10连接，电源电压采样电路30分别与高压比较电路50和低压比较电路60连接。
自检测激励产生电路80生成并发送自检测数字激励信号和自检测模式控制信号至输入信号整形电路10，输入信号整形电路10根据自检测模式控制信号调整自检测数字激励信号。本实施例中，自检测模式控制信号用于指示输入信号整形电路10调整自检测数字激励信号的方式，自检测模式控制信号可以为预先定义的数字信号，若自检测模式控制信号为2比特信号，则自检测模式控制信号可以包括00信号、01信号、10信号和11信号。自检测数字激励信号用于驱动电压传感器检测装置，自检测数字激励信号为慢速频率的方波。
调整后的自检测数字激励信号经过自检测控制模块之后，传输至电源电压采样电路30，电源电压采样电路30根据调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至高压比较电路50和低压比较电路60。
基准电压生成模块获取到基准电压，并将基准电压传输至高压比较电路50和低压比较电路60。
高压比较电路50将检测电压和基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；低压比较电路60将检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号。
报警判别电路70接收高压检测输出信号和低压检测输出信号，判断高压检测输出信号和低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合预设条件，则生成报警信号。
需要说明的是，本实施例中的预设条件可以与自检测模式控制信号存在对应关系，即每种自检测模式控制信号对应着一种预设条件，若自检测模式控制信号为00信号，则报警判别电路70判断时所采用的预设条件为与00信号对应的预设条件。
根据实施例提供的一种安全芯片内的电压传感器检测装置，包括输入信号整形电路、电源电压采样电路、高压比较电路、低压比较电路、报警判别电路和自检测激励产生电路；其中，报警判别电路分别与高压比较电路和低压比较电路连接，电源电压采样电路分别与高压比较电路和低压比较电路连接。
在对安全芯片的电压传感器进行检测时，通过自检测激励产生电路产生自检测数字激励信号，模拟电压传感器的激励，使得电压传感器输出的信号符合预设条件。本实施例中的输入信号整形电路接收自检测激励产生电路发送的自检测模式控制信号和自检测数字激励信号，并根据自检测模式控制信号对自检测数字激励信号进行调整，电源电压采样电路接收调整后的自检测数字激励信号，根据调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至高压比较电路和低压比较电路；高压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；低压比较电路接收基准电压，将检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号。报警判别电路接收高压检测输出信号和低压检测输出信号，判断高压检测输出信号和低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合预设条件，则表示电压传感器运行异常，生成相应的报警信号。
本实施例通过输入信号整形电路根据自检测模式控制信号对自检测数字激励信号进行调整，报警判别电路判断电压传感器输出的信号是否符合预设条件，若符合预设条件，则表示电压传感器运行正常，电压传感器的使能开启；若不符合预设条件，则表示电压传感器运行异常，生成相应的报警信号，如高压报警信号、低压报警信号，避免了FIB技术将电压传感器的使能关闭，对安全芯片进行物理攻击的问题，提高了安全芯片的安全性。
实施例二
图3示出了根据本实用新型实施例二的一种安全芯片内的电压传感器检测装置的结构框图。
本实施例重点在于强调与上述实施例的不同之处，相同之处可以参照上述实施例中的介绍，在此不再赘述。
参照图3，本实用新型实施例提供的一种安全芯片内的电压传感器检测装置，包括：输入信号整形电路10、自检测控制电路20、电源电压采样电路30、基准电压生成电路40、高压比较电路50、低压比较电路60、报警判别电路70和自检测激励产生电路80。其中，自检测激励产生电路80与输入信号整形电路10连接，输入信号整形电路10与自检测控制电路20连接，自检测控制电路20与电源电压采样电路30连接，基准电压生成电路40分别与高压比较电路50和低压比较电路60连接，报警判别电路70分别与高压比较电路50和低压比较电路60连接，电源电压采样电路30分别与高压比较电路50和低压比较电路60连接。
电源电压采样电路30利用电阻串和开关管，将电源电压(VCC)采样并分压，产生两个检测电压，分别为高压检测点E和低压检测点F。
基准电压生成电路40的作用是根据电源电压产生一个或者一组不受电源电压变化、工艺变化和温度变化的基准电压C。本实施例以产生一个基准电压为例，基准电压一般采用带隙基准(Bandgap)结构产生。
高压比较电路50比较高压检测点E和基准电压C，其输入正向端接高压检测点E，其输入负向端接基准电压C，当电源电压(VCC)大于高压期望值，输入正向端电压会大于输入端负向电压，高压比较电路50输出高电平，表示异常。
低压比较电路60比较低压检测点F和基准电压C，其输入正向端接基准电压C，其输入负向端接低压检测点F，当电源电压(VCC)小于低压期望值，输入正向端电压会大于输入端负向电压，低压比较电路60输出高电平，表示异常。
需要说明的是，为了防止电源电压(VCC)上的纹波干扰，可以使高压比较电路50和低压比较电路60带有迟滞功能，或者RC滤波功能来消除波纹干扰。但是迟滞窗口不易过大，否则电源电压(VCC)上升时刻和下降时刻对应的检测电压会分离成2个，所以最好不带迟滞。另外，考虑到静电释放(Electro-Static discharge，ESD)，可以在E和F点加局部的ESD保护，或者就在F和B间，E和B间串电阻。
举例说明，基准电压生成电路40产生1v的基准电压C，电源电压(VCC)高压检测点E的电压是6.5v，电源电压(VCC)低压检测点F的电压是1.5v，可以利用2条电阻串分压电路，高压检测点E取(2/13)*VCC；低压检测点F取(2/3)*VCC；高压比较电路50的正向输入端接高压检测点E，负向输入端接基准电压C，从而当VCC大于6.5V时，高压比较电路50输出高电平，代表异常。低压比较电路60的正向输入端接基准电压C，负向输入端接低压检测点F，从而当VCC小于1.5V时，低压比较电路60输出高电平，代表异常。
高压比较电路50和低压比较电路60的输入端连接方式是根据高压检测输出信号和低压检测输出信号的含义确定的，也可以不按照上面的例子接。比如低压检测输出信号输出低电平，代表异常，低压比较电路60的负向输入端接基准电压C，正向输入端接低压检测点F。
自检测激励产生电路80生成并发送自检测数字激励信号和自检测模式控制信号至输入信号整形电路10，输入信号整形电路10根据自检测模式控制信号调整自检测数字激励信号。
可选地，若自检测模式控制信号为2比特信号，则自检测模式控制信号包括第一设定比特信号、第二设定比特信号、第三设定比特信号和第四设定比特信号。例如，第一设定比特信号为00信号、第二设定比特信号为01信号、第三设定比特信号为10信号、第四设定比特信号为11信号。
可选地，当自检测模式控制信号为第一设定比特信号时，输入信号整形电路10调整自检测数字激励信号的波形脉冲占空比，使得高压检测输出信号和低压检测输出信号的波形脉冲占空比有所变化。如图4所示，低压检测输出信号的展宽为自检测数字激励信号的展宽的三倍；高压检测输出信号的展宽为自检测数字激励信号的反向展宽。
可选地，当自检测模式控制信号为第二设定比特信号时，输入信号整形电路10将自检测数字激励信号进行分频或者倍频，使得高压检测输出信号和低压检测输出信号的频率是分频或倍频后的输入信号的频率的倍数，如图5所示，低压检测输出信号的频率与高压检测输出信号的频率相反。
可选地，当自检测模式控制信号为第三设定比特信号时，输入信号整形电路10调整自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列，使得高压检测输出信号和低压检测输出信号是同频率的伪随机序列。例如，调整后的自检测数字激励信号为0101交替变化的伪随机序列，高压检测输出信号和低压检测输出信号是同频率的非0101变化的伪随机序列。
可选地，当自检测模式控制信号为第四设定比特信号时，输入信号整形电路10执行以下操作的任意组合：调整自检测数字激励信号的波形脉冲占空比、将自检测数字激励信号进行分频或者倍频、调整自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列。也就是说，在自检测模式控制信号为第四设定比特信号时，可以组合执行上述当自检测模式控制信号为第一设定比特信号、第二设定比特信号和第三设定比特信号时的调整过程。例如，高压检测输出信号和低压检测输出信号为基于自检测数字激励信号分频后的低频伪随机序列，或者，高压检测输出信号和低压检测输出信号为基于自检测数字激励信号分频后的低频，且占空比不是50％的信号等。
可选地，自检测模式控制信号可以为预设信号集合中的随机信号，若自检测模式控制信号为3比特信号，则自检测模式控制信号可以为包括000信号、001信号、010信号、011信号、100信号、101信号、110信号、111信号等的预设信号集合中的随机信号。本实施例对自检测模式控制信号的位数和形式不做具体限制。而且，在本实施例中的安全芯片内的电压传感器检测装置的一个检测周期内，自检测模式控制信号可以改变或者不变，具体可以根据实际情况进行设定，本实施例对此不做限制。
可选地，报警判别电路70根据自检测模式控制信号，采用一个高频时钟对高压检测输出信号和低压检测输出信号进行采样，判断采样获得的高压检测输出信号和低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合预设条件，则生成相应的报警信号。
根据本实施例提供的一种安全芯片内的电压传感器检测装置，通过输入信号整形电路根据自检测模式控制信号对自检测数字激励信号进行调整，报警判别电路判断电压传感器输出的信号是否符合预设条件，若符合预设条件，则表示电压传感器运行正常，电压传感器的使能开启；若不符合预设条件，则表示电压传感器运行异常，生成相应的报警信号，避免了FIB技术将电压传感器的使能关闭，对安全芯片进行物理攻击的问题，提高了安全芯片的安全性。
本实施例通过输入信号整形电路对自检测数字激励信号进行调整，输出脉冲宽度变化的电压输出信号，或者输出频率变化的电压输出信号，或者输出与自检测数字激励信号同频率的伪随机序列的电压输出信号，提高了安全芯片的安全性。
本实施例中自检测模式控制信号可以在一次检测周期内改变或者不变，增加了FIB技术对安全芯片进行物理攻击的难度。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及方法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本实用新型实施例的范围。
以上实施方式仅用于说明本实用新型实施例，而并非对本实用新型实施例的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型实施例的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型实施例的范畴，本实用新型实施例的专利保护范围应由权利要求限定。
Claims (9)
1.一种安全芯片内的电压传感器检测装置，其特征在于，包括输入信号整形电路(10)、电源电压采样电路(30)、高压比较电路(50)、低压比较电路(60)、报警判别电路(70)和自检测激励产生电路(80)；
所述报警判别电路(70)分别与所述高压比较电路(50)和低压比较电路(60)连接；所述自检测激励产生电路(80)与所述输入信号整形电路(10)连接；所述电源电压采样电路(30)分别与所述高压比较电路(50)和低压比较电路(60)连接；
所述自检测激励产生电路(80)生成并发送自检测数字激励信号和自检测模式控制信号至输入信号整形电路(10)，所述输入信号整形电路(10)根据所述自检测模式控制信号调整所述自检测数字激励信号；
所述电源电压采样电路(30)接收所述调整后的自检测数字激励信号，根据所述调整后的自检测数字激励信号对电源电压进行采样并分压，将采样并分压得到的检测电压发送至所述高压比较电路(50)和所述低压比较电路(60)；
所述高压比较电路(50)接收基准电压，将所述检测电压和所述基准电压进行比较，输出高压检测输出信号；所述低压比较电路(60)接收所述基准电压，将所述检测电压和基准电压进行比较，输出低压检测输出信号；
所述报警判别电路(70)接收所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号，判断所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合所述预设条件，则生成相应的报警信号。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述报警判别电路(70)根据所述自检测模式控制信号，采用一个高频时钟对所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号进行采样，判断采样获得的所述高压检测输出信号和所述低压检测输出信号是否符合预设条件，若不符合所述预设条件，则生成相应的报警信号。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述自检测模式控制信号包括第一设定比特信号、第二设定比特信号、第三设定比特信号和第四设定比特信号。
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，当所述自检测模式控制信号为所述第一设定比特信号时，所述输入信号整形电路(10)调整所述自检测数字激励信号的波形脉冲占空比。
5.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，当所述自检测模式控制信号为所述第二设定比特信号时，所述输入信号整形电路(10)将所述自检测数字激励信号进行分频或者倍频。
6.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，当所述自检测模式控制信号为所述第三设定比特信号时，所述输入信号整形电路(10)调整所述自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列。
7.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，当所述自检测模式控制信号为所述第四设定比特信号时，所述输入信号整形电路(10)执行以下操作的任意组合：调整所述自检测数字激励信号的波形脉冲占空比、将所述自检测数字激励信号进行分频或者倍频、调整所述自检测数字激励信号为交替变化的伪随机序列。
8.根据权利要求1-7任一所述的装置，其特征在于，所述自检测模式控制信号为预设信号集合中的随机信号。
9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：自检测控制电路(20)和基准电压生成电路(40)；
所述输入信号整形电路(10)与所述自检测控制电路(20)连接，所述自检测控制电路(20)与所述电源电压采样电路(30)连接，所述基准电压生成电路(40)分别与所述高压比较电路(50)和低压比较电路(60)连接。
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|---|---|---|---|---|
| CN112052484A (zh) * | 2020-09-18 | 2020-12-08 | 天津兆讯电子技术有限公司 | 自检电路及自检方法、安全芯片和电子卡 |
| CN112858766A (zh) * | 2020-07-28 | 2021-05-28 | 深圳市锂鼎科技有限公司 | 一种互证高安全性采集电路及其运行方法 |
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