CN206590896U - 一种压力传感器的封装结构 - Google Patents
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- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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Abstract
一种压力传感器的封装结构,包括壳体,所述壳体具有一端开口的容腔;还包括设置在壳体容腔中的MEMS压力传感器芯片以及ASIC芯片;还包括填充在壳体容腔内并将所述MEMS压力传感器芯片、ASIC芯片封装起来并作为外界压力传导媒介的胶体。本实用新型的封装结构,通过胶体的变形将外界的压力变化传递至MEMS压力传感器芯片上,从而使MEMS压力传感器芯片输出相应的电信号,其避免了MEMS压力传感器芯片与外界的直接接触,特别是MEMS压力传感器芯片在用于腐蚀、脏污或水汽环境时,可有效避免对MEMS压力传感器芯片及ASIC芯片的损伤。该种封装方式可以达到很高的防水等级,适用于各种汽车、工业或其它消费领域。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种芯片的封装结构,更具体地,本实用新型涉及一种压力传感器的封装结构。
背景技术
压力传感器芯片是一种薄膜元件,依靠薄膜变形来感测环境压力,通过压敏元件或电容等检测方式将薄膜的变形量转换为电信号。由于薄膜为敏感元件,所以容易受到外界机械作用的影响导致检测性能的变化。
现有压力传感器多采用PCB板加外壳的封装形式,在外壳上设置连通外界的导通孔,该种封装形式不能有效保护内部MEMS及ASIC,其易受外界气体、液体及异物的影响或腐蚀,造成压力传感器可靠性差,精度偏移等问题。
实用新型内容
本实用新型的一个目的是提供了一种压力传感器的封装结构。
根据本实用新型的一个方面,提供一种压力传感器的封装结构,包括壳体,所述壳体具有一端开口的容腔;还包括设置在壳体容腔中的MEMS压力传感器芯片以及ASIC芯片;还包括填充在壳体容腔内并将所述MEMS压力传感器芯片、ASIC芯片封装起来并作为外界压力传导媒介的胶体。
可选地,所述壳体包括筒状的侧壁部,以及封装在所述侧壁部下端开口的基板。
可选地,所述基板采用烧结玻璃,所述侧壁部采用金属材料,所述基板与侧壁部通过烧结的方式结合在一起。
可选地,所述基板的上端面与侧壁部的下端面结合在一起。
可选地,所述基板位于侧壁部的容腔内。
可选地,所述MEMS压力传感器芯片以及ASIC芯片分别设置在基板上,且二者通过打线的方式进行电连接。
可选地,还包括引脚,所述引脚穿过基板并与基板烧结在一起。
可选地,所述ASIC芯片设置在基板上,所述MEMS压力传感器芯片贴装在ASIC芯片上,且二者通过打线的方式进行电连接。
可选地,还包括引脚,所述引脚穿过基板并与基板烧结在一起。
可选地,所述胶体为凝胶。
本实用新型的封装结构,通过胶体的变形将外界的压力变化传递至MEMS压力传感器芯片上,从而使MEMS压力传感器芯片输出相应的电信号。该封装方式避免了MEMS压力传感器芯片与外界的直接接触,特别是MEMS压力传感器芯片在用于腐蚀、脏污或水汽环境时,可有效避免对MEMS压力传感器芯片及ASIC芯片的损伤。该种封装方式可以达到很高的防水等级,适用于各种汽车、工业或其它消费领域。
通过以下参照附图对本实用新型的示例性实施例的详细描述,本实用新型的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本实用新型的实施例,并且连同说明书一起用于解释本实用新型的原理。
图1是本实用新型封装结构第一个实施方式的示意图。
图2是本实用新型封装结构第二个实施方式的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本实用新型的各种示例性实施例。应注意到:除非另外具体说明,否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本实用新型的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的,决不作为对本实用新型及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论,但在适当情况下,所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中,任何具体值应被解释为仅仅是示例性的,而不是作为限制。因此,示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
参考图1,本实用新型提供了一种压力传感器的封装结构,其包括壳体,所述壳体具有一端开口的容腔。在本实用新型一个具体的实施方式中,所述壳体例如可以包括筒状的侧壁部3,以及封装在所述侧壁部3下端开口的基板4,通过基板4可以将侧壁部3的下端开口封闭住,从而形成具有一端开口的容腔,参考图1的视图方向。
本实用新型的封装结构,还包括设置在壳体容腔中的MEMS压力传感器芯片2以及ASIC芯片1,所述MEMS压力传感器芯片2以及ASIC芯片1可以通过本领域技术人员所熟知的方式设置在壳体的容腔中,例如采用贴装的方式等。
本实用新型的封装结构,所述MEMS压力传感器芯片2以及ASIC芯片1可以分别贴装在基板4上,二者通过本领域技术人员所熟知的打线方式电连接在一起,使得MEMS压力传感器芯片2输出的电信号可以经过ASIC芯片1进行处理,参考图1。
在本实用新型另一个具体的实施方式中,参考图2,所述ASIC芯片1可以贴装在基板4上,所述MEMS压力传感器芯片2贴装在ASIC芯片1的上方,且二者通过打线的方式进行电连接。采用这种结构,可以使MEMS压力传感器芯片2与ASIC芯片1在垂直方向上集成起来,降低两个芯片占用的基板4面积。
本实用新型的封装结构,还包括填充在壳体容腔内的胶体6,通过该填充在壳体容腔中的胶体6将所述MEMS压力传感器芯片2、ASIC芯片1封装起来。胶体6作为外界环境压力的传导媒介,在受到外界压力变化时,可以发生相应的变形,并最终将该变形传递至MEMS压力传感器芯片2上。本实用新型的胶体6优选采用较低模量的胶材料,例如凝胶等,使得可以有效地防止压力迟滞的影响。
本实用新型的封装结构,通过胶体的变形将外界的压力变化传递至MEMS压力传感器芯片上,从而使MEMS压力传感器芯片输出相应的电信号。该封装方式避免了MEMS压力传感器芯片与外界的直接接触,特别是MEMS压力传感器芯片在用于腐蚀、脏污或水汽环境时,可有效避免对MEMS压力传感器芯片及ASIC芯片的损伤。该种封装方式可以达到很高的防水等级,适用于各种汽车、工业或其它消费领域。
在本实用新型一个优选的实施方式中,所述基板4采用烧结玻璃,所述侧壁部3采用金属材料,所述基板4与侧壁部3通过烧结的方式结合在一起,从而使得基板4与侧壁部3可以紧密结合在一起。金属的侧壁部3可以提高封装结构的结构强度。
具体地,所述基板4的上端面与侧壁部3的下端面结合在一起,也就是说,通过烧结的方式使得基板4的上端面与侧壁部3的下端面结合在一起。在本实用新型一个优选的实施方式中,所述基板4位于侧壁部3的容腔内,参考图1。可预先将基板4放置在侧壁部3容腔的下方,然后通过烧结的方式将二者结合在一起。该结构可以提高基板4与侧壁部3结合的密封性;而且金属材质的侧壁部3可以在一定程度上保护烧结玻璃的基板4。
本实用新型的封装结构,还包括用于与外部终端连接的引脚5,引脚5的数量设置有多个,具体根据ASIC芯片1输出端子的数量而定。引脚5的一端位于封装结构的容腔中,另一端穿过基板4露出在外界,从而可以将ASIC芯片1的电信号引出。
为了提高引脚5在基板4上穿出位置的密封性,所述引脚5与基板4烧结在一起。例如可在半成品的基板4上设置通孔,将引脚5从通孔穿出后,通过烧结的方式将二者结合在一起。这种烧结的工艺属于本领域技术人员的公知常识,在此不再具体说明。
虽然已经通过示例对本实用新型的一些特定实施例进行了详细说明,但是本领域的技术人员应该理解,以上示例仅是为了进行说明,而不是为了限制本实用新型的范围。本领域的技术人员应该理解,可在不脱离本实用新型的范围和精神的情况下,对以上实施例进行修改。本实用新型的范围由所附权利要求来限定。
Claims (10)
1.一种压力传感器的封装结构,其特征在于:包括壳体,所述壳体具有一端开口的容腔;还包括设置在壳体容腔中的MEMS压力传感器芯片(2)以及ASIC芯片(1);还包括填充在壳体容腔内并将所述MEMS压力传感器芯片(2)、ASIC芯片(1)封装起来并作为外界压力传导媒介的胶体(6)。
2.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述壳体包括筒状的侧壁部(3),以及封装在所述侧壁部(3)下端开口的基板(4)。
3.根据权利要求2所述的封装结构,其特征在于:所述基板(4)采用烧结玻璃,所述侧壁部(3)采用金属材料,所述基板(4)与侧壁部(3)通过烧结的方式结合在一起。
4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于:所述基板(4)的上端面与侧壁部(3)的下端面结合在一起。
5.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于:所述基板(4)位于侧壁部(3)的容腔内。
6.根据权利要求3至5任一项所述的封装结构,其特征在于:所述MEMS压力传感器芯片(2)以及ASIC芯片(1)分别设置在基板(4)上,且二者通过打线的方式进行电连接。
7.根据权利要求6所述的封装结构,其特征在于:还包括引脚(5),所述引脚(5)穿过基板(4)并与基板(4)烧结在一起。
8.根据权利要求3至5任一项所述的封装结构,其特征在于:所述ASIC芯片(1)设置在基板(4)上,所述MEMS压力传感器芯片(2)贴装在ASIC芯片(1)上,且二者通过打线的方式进行电连接。
9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于:还包括引脚(5),所述引脚(5)穿过基板(4)并与基板(4)烧结在一起。
10.根据权利要求1所述的封装结构,其特征在于:所述胶体(6)为凝胶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720135659.7U CN206590896U (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种压力传感器的封装结构 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720135659.7U CN206590896U (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种压力传感器的封装结构 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206590896U true CN206590896U (zh) | 2017-10-27 |
Family
ID=60128926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720135659.7U Active CN206590896U (zh) | 2017-02-15 | 2017-02-15 | 一种压力传感器的封装结构 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206590896U (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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