CN206529521U - 一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 - Google Patents
一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206529521U CN206529521U CN201720268024.4U CN201720268024U CN206529521U CN 206529521 U CN206529521 U CN 206529521U CN 201720268024 U CN201720268024 U CN 201720268024U CN 206529521 U CN206529521 U CN 206529521U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microwave
- reactive deposition
- room
- diamond film
- deposition room
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,包括微波源和反应沉积室,所述微波源与波导相连接,所述波导上设有模式转换器,所述模式转换器的下方设有圆柱形型腔,所述圆柱形型腔的下方安装有反应沉积室,所述反应沉积室的顶端设有石英微波窗,所述反应沉积室的侧壁上从上到下依次开设有进气口和观察窗口,所述反应沉积室的侧壁上开设有与测温仪相连接的测温孔,所述反应沉积室内设有沉积台,所述沉积台上方设有微波等离子体球,所述反应沉积室与真空泵相连接。本实用新型通过设置圆柱形型腔和半椭球形石英微波窗,可使得激发等离子体位置稳定、密度高,不仅提高了金刚石膜的沉积效率,还降低了合成成本。
Description
技术领域
本实用新型涉及金刚石膜技术领域,具体为一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置。
背景技术
金刚石是一种特殊的物质材料,不仅具有非常稳定的化学性质,而且硬度在固体材料中最高。金刚石的半导体特性也十分突出,其晶体结构类型与硅相同,因而可以通过掺杂形成半导体材料。将金刚石沉积到一定的基体材料上制作金刚石膜,最常见的方法是化学气相沉积法(CVD),包括热丝化学气相沉积、微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)、燃烧火焰法、直流等离子体喷射法等。
目前,微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的方法是利用很高磁场强度的磁场对微波等离子进行约束,并且需要在低于0.1Pa的气压下合成金刚石,从而获得250℃以下的低温。但是,该方法不仅沉积速度非常慢,而且设备昂贵,大大提高了金刚石膜的合成成本。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,通过在模式转换器的下方设置圆柱形型腔,同时设有半椭球形石英微波窗,可使得激发等离子体位置稳定、密度高,不仅提高了金刚石膜的沉积效率,还降低了合成成本,解决了上述背景技术中所提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,包括微波源和反应沉积室,所述微波源与波导相连接,所述波导上设有模式转换器,所述模式转换器的下方设有圆柱形型腔,所述圆柱形型腔的下方安装有反应沉积室,所述反应沉积室的顶端设有石英微波窗,所述反应沉积室的侧壁上开设有进气口,所述进气口下方的反应沉积室侧壁上开设有观察窗口,所述反应沉积室的侧壁上开设有与测温仪相连接的测温孔,所述反应沉积室内设有沉积台,所述沉积台上设有样品托,所述样品托的上方设有微波等离子体球,所述反应沉积室与真空泵相连接。
优选的,所述石英微波窗设为半椭球形结构。
优选的,所述进气口与外部气源相连接。
优选的,所述沉积台内部和圆柱形型腔外均设有冷却水路。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
1、本实用新型通过在模式转换器的下方设置圆柱形型腔,同时设有半椭球形石英微波窗,可使得激发等离子体位置稳定、密度高,从而提高了金刚石膜的沉积效率。
2、本实用新型通过在沉积台内部和圆柱形型腔外均设置冷却水路,可以对设备实现直接水冷,从而能够确保整个装置在高微波功率输入下稳定运行,进而降低了金刚石膜的合成成本。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
图2为本实用新型的局部放大图。
图中:1-微波源,2-反应沉积室,3-波导,4-模式转换器,5-圆柱形型腔,6-石英微波窗,7-进气口,8-观察窗口,9-测温仪,10-沉积台,11-样品托,12-微波等离子体球,13-真空泵,14-外部气源,15-冷却水路。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1、图2,本实用新型提供一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置技术方案:一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,包括微波源1和反应沉积室2,所述微波源1与波导3相连接,所述波导3上设有模式转换器4,所述模式转换器4的下方设有圆柱形型腔5,所述圆柱形型腔5的下方安装有反应沉积室2,所述反应沉积室2的顶端设有石英微波窗6,所述石英微波窗6设为半椭球形结构,所述反应沉积室2的侧壁上开设有进气口7,所述进气口7与外部气源14相连接,所述进气口7下方的反应沉积室2侧壁上开设有观察窗口8,所述反应沉积室2的侧壁上开设有与测温仪9相连接的测温孔,所述反应沉积室2内设有沉积台10,所述沉积台10上设有样品托11,所述样品托11的上方设有微波等离子体球12,所述沉积台10内部和圆柱形型腔5外均设有冷却水路15,所述反应沉积室2与真空泵13相连接。
工作原理:通过真空泵13将反应沉积室2预抽真空至0.1Pa以下,然后,通过进气口7通入H2和CH4两种气体组成的原料气体,同时通过流量控制器控制H2的流量为360sccm,CH4的流量为9sccm,当反应沉积室2内的气体压力达到600Pa后,输入功率为500W、频率为2.3GHz的微波,则沉积台10上方激发出等离子体,在反应过程中,只需维持通入H2和CH4的流量及反应沉积室2内的气压不变,则整个沉积过程即可持续不断进行,最后,当生长到需要的厚度时,停止反应气体的输入,并关闭微波电源和真空泵13,结束金刚石膜的沉积过程。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (4)
1.一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,包括微波源(1)和反应沉积室(2),其特征在于:所述微波源(1)与波导(3)相连接,所述波导(3)上设有模式转换器(4),所述模式转换器(4)的下方设有圆柱形型腔(5),所述圆柱形型腔(5)的下方安装有反应沉积室(2),所述反应沉积室(2)的顶端设有石英微波窗(6),所述反应沉积室(2)的侧壁上开设有进气口(7),所述进气口(7)下方的反应沉积室(2)侧壁上开设有观察窗口(8),所述反应沉积室(2)的侧壁上开设有与测温仪(9)相连接的测温孔,所述反应沉积室(2)内设有沉积台(10),所述沉积台(10)上设有样品托(11),所述样品托(11)的上方设有微波等离子体球(12),所述反应沉积室(2)与真空泵(13)相连接。
2.根据权利要求1所述的一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,其特征在于:所述石英微波窗(6)设为半椭球形结构。
3.根据权利要求1所述的一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,其特征在于:所述进气口(7)与外部气源(14)相连接。
4.根据权利要求1所述的一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置,其特征在于:所述沉积台(10)内部和圆柱形型腔(5)外均设有冷却水路(15)。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720268024.4U CN206529521U (zh) | 2017-03-20 | 2017-03-20 | 一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201720268024.4U CN206529521U (zh) | 2017-03-20 | 2017-03-20 | 一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN206529521U true CN206529521U (zh) | 2017-09-29 |
Family
ID=59914776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201720268024.4U Expired - Fee Related CN206529521U (zh) | 2017-03-20 | 2017-03-20 | 一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN206529521U (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108468086A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-08-31 | Fd3M公司 | 微波等离子体化学气相沉积装置及其应用 |
CN108546933A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-18 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种mpcvd合成设备、控制方法及合成方法 |
CN112301332A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-02-02 | 上海芯承电子科技有限公司 | 一种用于化学气相沉积钻石的设备工艺反应器 |
CN114381718A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-22 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
CN115044970A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-13 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种用于金刚石单晶生长的mpcvd装置及生长方法 |
US11469077B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-11 | FD3M, Inc. | Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof |
-
2017
- 2017-03-20 CN CN201720268024.4U patent/CN206529521U/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108546933A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-09-18 | 长沙新材料产业研究院有限公司 | 一种mpcvd合成设备、控制方法及合成方法 |
CN108468086A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-08-31 | Fd3M公司 | 微波等离子体化学气相沉积装置及其应用 |
CN108468086B (zh) * | 2018-04-24 | 2020-12-15 | Fd3M公司 | 微波等离子体化学气相沉积装置及其应用 |
US11469077B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-10-11 | FD3M, Inc. | Microwave plasma chemical vapor deposition device and application thereof |
CN112301332A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-02-02 | 上海芯承电子科技有限公司 | 一种用于化学气相沉积钻石的设备工艺反应器 |
CN114381718A (zh) * | 2022-01-20 | 2022-04-22 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
CN114381718B (zh) * | 2022-01-20 | 2024-03-26 | 成都纽曼和瑞微波技术有限公司 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
CN115044970A (zh) * | 2022-06-14 | 2022-09-13 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种用于金刚石单晶生长的mpcvd装置及生长方法 |
CN115044970B (zh) * | 2022-06-14 | 2023-02-10 | 上海征世科技股份有限公司 | 一种用于金刚石单晶生长的mpcvd装置及生长方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN206529521U (zh) | 一种微波等离子体化学气相沉积金刚石膜的装置 | |
CN105441904A (zh) | 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法 | |
CN109440083B (zh) | 雾化辅助cvd薄膜沉积方法 | |
CN100524847C (zh) | 提高单晶硅太阳能电池减反射膜质量的方法 | |
TW200733196A (en) | Vaporizer, semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method thereof | |
CN104321461A (zh) | 微波等离子体化学气相沉积装置 | |
WO2022111181A1 (zh) | 一种微波等离子体化学气相沉积装置及其真空反应室 | |
CN101298693A (zh) | 一种用于mocvd系统的双层气流石英整流罩反应室装置 | |
CN108914202A (zh) | 一种可批量生产氮化镓的hvpe设备 | |
US20040129213A1 (en) | Chemical vapor deposition reactor | |
CN107265416A (zh) | 热解氮化硼材料的制备方法 | |
CN105239057B (zh) | 微波等离子体化学气相沉积装置 | |
CN108275716A (zh) | CsPbBr3钙钛矿三维立方体微腔样品的制备方法 | |
WO2019119902A1 (zh) | 废液回收系统、化学浴沉积装置及其沉积方法 | |
CN206109529U (zh) | 一种高功率大面积偏压微波等离子体金刚石薄膜沉积装置 | |
CN205856602U (zh) | 一种高效节能式硒化锌气相沉积炉 | |
CN102249221B (zh) | 一种条纹宽度可控的激光加热制备单层石墨烯的方法 | |
CN105154848A (zh) | 氮氧硅薄膜的制备方法 | |
CN108277479B (zh) | 一种可控制气流均匀平稳的pecvd装置 | |
WO2024077865A1 (zh) | 一种改善翘曲的成膜方法 | |
CN102251230A (zh) | 一种提高微波法制备金刚石膜生长速度的方法 | |
CN109763168A (zh) | 一种单晶碳晶纳米镀膜方法及反应器 | |
JP5917359B2 (ja) | 多結晶シリコン製造用原料ガスの供給方法および多結晶シリコン | |
CN206751918U (zh) | 一种热丝化学气相沉积金刚石薄膜的装置 | |
CN203999809U (zh) | 等离子体薄膜沉积装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20170929 Termination date: 20180320 |