CN206464976U - 化学机械抛光用的游星轮 - Google Patents
化学机械抛光用的游星轮 Download PDFInfo
- Publication number
- CN206464976U CN206464976U CN201720065391.4U CN201720065391U CN206464976U CN 206464976 U CN206464976 U CN 206464976U CN 201720065391 U CN201720065391 U CN 201720065391U CN 206464976 U CN206464976 U CN 206464976U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chip
- wheel body
- erratic star
- groove
- wheel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]ethanol Chemical compound OCCN(CCO)CCN(CCO)CCO BYACHAOCSIPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011982 device technology Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种化学机械抛光用的游星轮，包括轮体，其主要改进之处在于，所述轮体包括上层轮体和下层轮体，在上下两层中间设有隔板；在上下两层轮体中各开出凹槽；在凹槽中设有吸附衬垫；使用时把晶片放置于吸附衬垫，凹槽四周边沿挡住晶片；在轮体上开有贯通轮体的通孔，通孔位置避开用于放置晶片的凹槽位置。该游星轮放置晶片的位置并不是开设的通孔，而是在游星轮轮体上下各设一个凹槽，里面有吸附衬垫，可以在游星轮中上下同时放置两个晶片，在对晶片进行单面抛光时，同样的时间可以抛光两倍数量的晶片，提高了抛光产能。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种化学机械抛光用的游星轮。
背景技术
化学机械抛光（CMP）技术是一个机械作用和化学作用相平衡的过程。例如在先进的双面超薄晶片抛光工艺中，利用两个大盘中间夹着游星轮，把晶片固定在游星轮上，通过大盘的逆向转动和游星轮的自转动带动晶片在抛光垫上作用。此时化学作用为碱性的抛光液与晶片表面接触发生腐蚀反应，晶片表面会被碱液腐蚀，摩擦则将该腐蚀层去除，通过循环这两个作用过程，就可以实现晶片的抛光。
但是上述双面抛光工艺中，所有晶片都是上下两面都做抛光，因此对于很多只需要做单面抛光的晶片，浪费了产能。
发明内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种化学机械抛光用的游星轮，在进行CMP时，对于单面抛光的晶片，可提高一倍的产能。本实用新型采用的技术方案是：
一种化学机械抛光用的游星轮，包括轮体，其主要改进之处在于，
所述轮体包括上层轮体和下层轮体，在上下两层轮体中间设有隔板；
在上下两层轮体中各开出凹槽；在凹槽中设有吸附衬垫；使用时把晶片放置于吸附衬垫，凹槽四周边沿挡住晶片；
在轮体上开有贯通轮体的通孔，通孔位置避开用于放置晶片的凹槽位置。
进一步地，用于放置晶片的凹槽位置为上下对称。
进一步地，隔板的厚度为30μm～1mm。
进一步地，用于放置晶片的凹槽深度范围在30μm～1mm。
进一步地，吸附衬垫厚度20μm～500μm。
进一步地，游星轮材质是金属、金属合金、塑料材料、陶制品或碳制品，或上述材料的混合物。
本实用新型的优点在于：放置晶片的位置并不是开设的通孔，而是在游星轮轮体上下各设一个凹槽，里面有吸附衬垫，可以在游星轮中上下同时放置两个晶片，在对晶片进行单面抛光时，同样的时间可以抛光两倍数量的晶片，提高了抛光产能。
附图说明
图1为现有抛光机的部分结构示意图。
图2a和图2b为现有游星轮的示意图。
图3为本实用新型的游星轮结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示为现有的双面抛光机，在进行CMP工艺时，晶片1是固定在游星轮2中，如图2a所示；游星轮2上下各有一个大盘3把游星轮2夹在中间，抛光垫4贴在大盘3内表面，利用两个抛光垫4夹住晶片1进行转动，从而对晶片1上下两面同时抛光，该装置喷淋抛光液的管道位于上、下抛光垫上，抛光液被淋在晶片上面和下抛光垫上面。
如图2a和图2b所示为现有技术中所使用的游星轮2，一般都是圆形，在游星轮2中开的较大开孔用于放置晶片1，其它四周开小孔，小孔的作用有助于抛光时加快抛光液在游星轮2和晶片1上的流动性以及分散均匀性；游星轮2上的开孔都是通透的，晶片1放在里面只有横向受到游星轮2的推力，晶片上下待抛光面直接跟上下两个抛光垫4接触。
本实用新型提出的一种游星轮2，如图3所示，包括轮体，所述轮体包括上层轮体201和下层轮体202，在上下两层中间设有隔板203；隔板203的厚度为30μm～1mm；在上下两层轮体中各开出凹槽，凹槽深度跟待抛光晶片1厚度相关，深度范围在30μm～1mm；在凹槽中设有吸附衬垫204；使用时把晶片1放置于吸附衬垫204，凹槽四周边沿可挡住晶片1使其不会向四周滑动，减小碎片的风险；用于放置晶片1的凹槽位置为上下对称；
在轮体上开贯通轮体的通孔205，通孔205位置避开用于放置晶片1的凹槽位置。通孔205数量为1～20个；上述凹槽可以是圆形或矩形；此处通孔205的直径为1cm～20cm，通孔205有助于抛光时加快抛光液在游星轮2和晶片1上的流动性以及分散均匀性；
游星轮2材质可以是金属、金属合金、塑料材料(Polymer)、陶制品、碳制品、及上述材料的混合物。吸附衬垫204厚度20μm～500μm，其材质为陶瓷材料或者聚合塑料等有机合成材料。
本实用新型提出的游星轮，放置晶片的位置并不是开设的通孔，而是在轮体上下各设一个凹槽，里面有吸附衬垫，可以在游星轮中上下同时放置两个晶片，在对晶片进行单面抛光时，同样的时间可以抛光两倍数量的晶片，提高了抛光产能。
Claims (6)
1.一种化学机械抛光用的游星轮，包括轮体，其特征在于，
所述轮体包括上层轮体(201)和下层轮体(202)，在上下两层轮体中间设有隔板(203)；
在上下两层轮体中各开出凹槽；在凹槽中设有吸附衬垫(204)；使用时把晶片(1)放置于吸附衬垫(204)，凹槽四周边沿挡住晶片(1)；
在轮体上开有贯通轮体的通孔(205)，通孔(205)位置避开用于放置晶片(1)的凹槽位置。
2.如权利要求1所述的化学机械抛光用的游星轮，其特征在于，
用于放置晶片(1)的凹槽位置为上下对称。
3.如权利要求1所述的化学机械抛光用的游星轮，其特征在于，
隔板(203)的厚度为30μm～1mm。
4.如权利要求1所述的化学机械抛光用的游星轮，其特征在于，
用于放置晶片(1)的凹槽深度范围在30μm～1mm。
5.如权利要求1所述的化学机械抛光用的游星轮，其特征在于，
吸附衬垫(204)厚度20μm～500μm。
6.如权利要求1所述的化学机械抛光用的游星轮，其特征在于，
游星轮(2)材质是金属、金属合金、塑料材料、陶制品或碳制品，或上述材料的混合物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720065391.4U CN206464976U (zh) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 化学机械抛光用的游星轮 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201720065391.4U CN206464976U (zh) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 化学机械抛光用的游星轮 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN206464976U true CN206464976U (zh) | 2017-09-05 |
Family
ID=59705281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201720065391.4U Active CN206464976U (zh) | 2017-01-19 | 2017-01-19 | 化学机械抛光用的游星轮 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN206464976U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107457689A (zh) * | 2017-10-03 | 2017-12-12 | 德清晶生光电科技有限公司 | 用于单面打磨的游星轮 |
| CN109333338A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-15 | 华侨大学 | 一种真空吸附式游星轮夹具及其使用方法 |
-
2017
- 2017-01-19 CN CN201720065391.4U patent/CN206464976U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107457689A (zh) * | 2017-10-03 | 2017-12-12 | 德清晶生光电科技有限公司 | 用于单面打磨的游星轮 |
| CN107457689B (zh) * | 2017-10-03 | 2024-04-05 | 德清晶生光电科技有限公司 | 用于单面打磨的游星轮 |
| CN109333338A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-02-15 | 华侨大学 | 一种真空吸附式游星轮夹具及其使用方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN206464976U (zh) | 化学机械抛光用的游星轮 | |
| US8579679B2 (en) | Conditioning method and conditioning apparatus for polishing pad for use in double side polishing device | |
| JPH0855826A (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
| JP5649417B2 (ja) | 固定砥粒を有する研磨テープを用いた基板の研磨方法 | |
| TW546186B (en) | Method for chemical mechanical polishing (CMP) with altering the concentration of oxidizing agent in slurry | |
| JP2013078808A (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| CN104802071A (zh) | 化学机械抛光方法 | |
| CN106061681A (zh) | 工件的两面研磨装置 | |
| CN206937073U (zh) | 一种化学机械抛光用的游星轮 | |
| US20160133466A1 (en) | METHOD OF POLISHING SiC SUBSTRATE | |
| JPH08339979A (ja) | 被研磨基板の保持装置及び基板の研磨方法 | |
| US20150306727A1 (en) | Polishing method and holder | |
| CN105563301B (zh) | 化学机械抛光方法、其抛光时间制程的设置方法及晶圆 | |
| SG179392A1 (en) | Method of processing plate-shaped body having rugged surface | |
| CN201711850U (zh) | 一种大直径硅片抛光装置 | |
| JP2009178785A (ja) | 水晶ウエハの研磨方法及び水晶ウエハの研磨装置 | |
| JP5389543B2 (ja) | 研磨パッド | |
| JPS60249568A (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
| CN205497195U (zh) | 晶片快速抛光装置 | |
| CN203774278U (zh) | 一种用于芯片剥层制样的夹具 | |
| TW200523065A (en) | Application of heated slurry for CMP | |
| CN106558503A (zh) | 晶圆键合方法 | |
| JP5919592B1 (ja) | 研磨装置 | |
| JP2016049606A (ja) | 研磨装置 | |
| CN109015335A (zh) | 化学机械研磨装置及其工作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: No. 1 Jingxiang Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee after: Jimsi Semiconductor Technology (Wuxi) Co.,Ltd. Country or region after: China Address before: No. 45, Yougu Enterprise Park, 58 Jinghong Road, Xibei Town, Xishan District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: GMC SEMITECH Co.,Ltd. Country or region before: China |
|
| CP03 | Change of name, title or address |