CN206380233U - 电子设备 - Google Patents

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CN206380233U CN201621302103.4U CN201621302103U CN206380233U CN 206380233 U CN206380233 U CN 206380233U CN 201621302103 U CN201621302103 U CN 201621302103U CN 206380233 U CN206380233 U CN 206380233U
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electronic
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B·贝桑康
N·谢弗里耶
J-M·里维耶
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STMicroelectronics Grenoble 2 SAS
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Abstract

本申请涉及电子设备。电子设备包括第一支撑小板和第二支撑小板，该第二支撑小板被安置成与第一支撑小板相对并与之相距一定距离。至少一个第一电子芯片被安装在第一支撑小板上、在面向第二支撑小板的一侧上。第二电子芯片被安装在第二支撑小板上、在面向第一支撑小板的一侧上。包括至少一个插入板的散热器被插入在第一电子芯片和第二电子芯片之间。根据本申请的方案，可以提供散热性能改善的电子设备。

Description

电子设备
技术领域
本实用新型涉及包括电子芯片的电子设备的领域。
背景技术
在包括具有增加的数据处理和计算能力的电子芯片的电子设备中，移除所产生的热是一个挑战。
实用新型内容
为了应对这种挑战，提供了一种电子设备，该电子设备包括第一支撑小板；第二支撑小板，与所述第一支撑小板相对并且相距一定距离；至少一个第一电子芯片，安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；第二电子芯片，其安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；和散热器(heat sink)，包括插入在所述第一电子芯片和第二电子芯片之间的至少一个插入板。
电连接元件可以插入在第一支撑小板和第二支撑小板之间，在这种情况下，这些电连接元件可以与电子芯片和散热器相距一定距离。
所述芯片可以至少部分地彼此面对。
所述芯片可以是相偏移的，所述插入板呈阶梯状台阶的形状，所述芯片之一可以在台阶之一上，而另一芯片可以在另一台阶的相对面上。
第一支撑小板可配备有第一电连接网络。
第二支撑小板可配备有第二电连接网络。
第一电子芯片可以借助于连接到所述第一电连接网络的电连接元件安装在第一支撑小板上。
第二电子芯片可以借助于连接到所述第二电连接网络的电连接元件安装在第二支撑小板上。
电连接元件可以被插入在第一支撑小板和第二支撑小板之间，并且连接到所述第一电连接网络和第二电连接网络。
散热器可以包括由所述第一支撑小板和第二支撑小板中的至少一个所承载的至少一个外部板。
散热器可以包括穿过所述第一支撑小板和第二支撑小板中的至少一个的过孔。
至少一个另一电子芯片可以安装在所述第一支撑小板和第二支撑小板中的至少一个的另一表面上。
散热器可以包括在该另一芯片上方延伸的至少一个板。
至少一个封装块可以至少形成在所述第一支撑小板和第二支撑小板之间。
散热器可以至少部分地嵌入在该封装块中。
散热器可以包括由所述封装块承载的至少一个外部板。
散热器可以包括至少一个外部散热片(radiator)。
所述支撑小板中的一个可配备有外部电连接元件，其中至少一些外部电连接元件可以连接到散热器。
根据另一方面，提供一种电子设备，包括：第一支撑小板；第二支撑小板，所述第二支撑小板被安置成与所述第一支撑小板相对并且与所述第一支撑小板相距一定距离；第一电子芯片，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；第二电子芯片，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；和散热器，所述散热器包括被插入在所述第一电子芯片和所述第二电子芯片之间的至少一个插入板，所述插入板被安置成与所述第一电子芯片的第一后表面和所述第二电子芯片的第二后表面热接触。
在一个实施例中，所述散热器包括由所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个承载的至少一个外部板。
在一个实施例中，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板的第一表面上，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板的第二表面上，所述电子设备还包括第三电子芯片，所述第三电子芯片被安装在所述第一支撑小板的与所述第一表面相对的第三表面上或者所述第二支撑小板的与所述第二表面相对的第四表面上，其中所述散热器包括在所述第三电子芯片上方延伸的至少一个板。
在一个实施例中，电子设备还包括至少形成在至少所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间的至少一个封装块，所述散热器至少部分地被封装在所述封装块中。
在一个实施例中，所述散热器包括由所述封装块承载的至少一个外部板。
在一个实施例中，所述散热器包括至少一个外部散热片。
根据又一方面，提供一种电子设备，包括：第一支撑小板；第二支撑小板，所述第二支撑小板被安置成与所述第一支撑小板相对并且与所述第一支撑小板相距一定距离；第一电子芯片，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；第二电子芯片，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；散热器，所述散热器包括被插入在所述第一电子芯片和所述第二电子芯片之间的至少一个插入板，所述插入板被安置成与所述第一电子芯片的第一后表面和所述第二电子芯片的第二后表面热接触；和至少一个封装块，所述至少一个封装块至少形成在所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间，所述散热器至少部分地被封装在所述封装块中。
在一个实施例中，所述散热器包括由所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个承载的至少一个外部板。
根据本申请的方案，可以提供散热性能改善的电子设备。
附图说明
现在将通过由附图说明的非限制性示例来描述电子设备，其中：
图1表示一个电子设备的截面；
图2表示另一电子设备的截面；
图3表示另一电子设备的截面；和
图4表示另一电子设备的截面。
具体实施方式
根据在图1中示出的一个示例性实施例，电子设备1包括第一组件2，该第一组件2包括配备有集成电连接网络4的第一支撑小板3，集成电连接网络4在表面5上方借助于电连接元件7承载第一电子芯片6，电连接元件7插入在第一支撑小板3的表面5和芯片6的前表面6a之间。插入的电连接元件7连接第一芯片5的内部电连接网络8和电连接网络4。
电子设备1包括第二组件9，该第二组件9包括配备有集成电连接网络11的第二支撑小板10，集成电连接网络11在表面12上方借助于电连接元件14承载第二电子芯片13，电连接元件14插入在芯片13的前表面13a和第二支撑小板10的表面12之间。插入的电连接元件14连接第二芯片13的内部电连接网络15和第二支撑小板10的电连接网络11。
组件2和9以下面的方式相对于彼此堆叠和布置。
第一支撑小板3和第二支撑小板10彼此平行地布置并彼此隔开一定距离，其中它们的表面5和12彼此面对。第一芯片6在第二支撑小板10的一侧上。第二芯片13在第一支撑小板3的一侧上。第二支撑小板10的面积小于第一支撑小板3的面积。
组件2和9以这样的方式定位，使得芯片6和13的后表面6b和13b背向支撑小板3和10，并且被安置在与这些支撑小板3和10垂直的一定距离处。根据图1所示的示例，芯片6和13的后表面6b和13b彼此面对。
电子设备1还包括散热器16，用于消散由芯片6和13中的一个和/或另一个产生的热，该散热器由一种或多种导热材料制成。
散热器16包括插入板17，插入板17平行于支撑小板3和10延伸并插入在芯片6和13的后表面6b和13b之间。
芯片6和13的后表面6b和13b直接地或经由一层热膏或热粘合剂与板17的相对表面接触。
电子设备1包括小板间电连接元件18，例如球，小板间电连接元件18被插入在支撑小板3和10的表面5和12之间并且连接到这些支撑小板3和10的电连接网络4和11。电连接元件18被放置成在横向上与芯片6和13的边缘以及散热器16的板17的边缘相距一定距离。
电连接元件18具有与支撑小板3和10之间的距离相匹配的厚度，该距离由芯片6和13、板17和电连接元件7和14的组合厚度确定。
在与其表面5相对的侧上，即其外表面19上，支撑小板3配备有连接到电连接网络4的外部电连接元件20，以便电连接到外部电子设备。
因此，可以经由电连接网络4和电连接元件20执行对第一芯片6的电力供应；可以经由电连接网络4、电连接网络11、电连接元件18和电连接元件20执行对第二芯片13的电力供应；并且可以经由电连接网络4和电连接元件20执行芯片4和外部电子设备之间的电信号交换；可以经由电连接网络4、电连接网络11、电连接元件18和电连接元件20执行芯片13和外部电子设备之间的电信号交换；并且可以经由电连接网络4、电连接网络11和电连接元件20执行芯片13和外部设备之间的电信号交换。
散热器16还包括延伸部，用于将由芯片6和13中的一个或两个产生的热量引导到电子设备1的外部。
为此，散热器16可包括板21或板的若干部分，该板21或板的若干部分附接到板17的边缘或与板17的边缘一体化并垂直于板17布置。板21延伸直至支撑小板的表面5。导热过孔22设置成穿过支撑小板3，并且一方面直接或经由一层热膏或热粘合剂与板21的边缘接触，另一方面接触与电连接元件20相同的连接元件20a，以便将热交换连接到上述外部设备。
为了与周围环境进行热交换，散热器16可以包括外部板23，该外部板23直接或经由一层热膏或热粘合剂，在支撑小板10的表面10的相对侧上与支撑小板10的外表面24接触。板21延伸直至板23，同时靠近支撑小板10的边缘通过，并且直接地或者经由一层热膏或热粘合剂与板23接触。
可以在板23上方提供有外部鳍状散热片25，该外部鳍状散热片25借助于一层热膏或热粘合剂安装。
根据一个替代实施例，板17和板21可以是一体的。
根据另一个替代实施例，板21和板23可以是一体的。
根据另一个替代实施例，板17和板21延伸到支撑小板3的部分可以是一体的。板17和板21延伸到板23的部分可以是一体的。
根据另一替代实施例，板17和/或板21和/或板23可以是几个部分，例如由平行薄片形成，和/或可以是穿孔的。
根据另一替代实施例，板21可以至少部分地由热支柱替换，热支柱例如一方面位于板17和过孔22之间，和/或另一方面位于板17和板23之间。
根据另一个替代实施例，芯片6和13可以沿着板17偏移。例如，芯片6和13可以不彼此面对。在这种情况下，板17可以形成为阶梯状台阶，芯片之一位于台阶之一上，另一芯片位于另一台阶的相对面上。因此，支撑小板3和10之间的距离可以被减小，这将允许电连接元件18的厚度——例如形成这些元件的球的直径——和电子设备1的厚度也被减小。
根据另一替代实施例，支撑小板3和/或支撑小板10可配备有其它电子芯片，所述的其它电子芯片以等同于芯片6和13的方式安装，并且也直接地或经由一层热膏或热粘合剂，安装在散热器16的板17的表面上方。
散热器16和过孔22可以是金属的，例如由铜制成。
此外，电子设备1包括封装块26，封装块26特别地形成在支撑小板3和10之间，并且将芯片6和13、电连接元件18并且至少部分的板17嵌入封装块26。
根据所示的示例，板17和板21被嵌入封装块26，封装块26包围支撑小板10并且覆盖支撑小板3的整个表面5，使得电子设备1是平行六面体的形式。然而，支撑小板10可以被嵌入封装块26，然后板23在该封装块上方或者被平齐地装配于该封装块中。
支撑小板3和/或支撑小板10可以可选地配备有分离的电子部件27和/或其他电子芯片，而不与散热器16的板17接触，例如在其表面5和12上方，并且这些部件27和这些其它芯片被嵌入封装块26。
根据图2所示的另一示例性实施例，以与参考图1所述示例相同的方式，电子设备100包括第一组件2以及第二组件9，该第一组件2包括支撑小板3和电子芯片6，该第二组件9包括支撑小板10和电子芯片13。
组件9还配备有第三电子芯片101，该第三电子芯片101借助于电连接元件102被安装在支撑小板10的表面24上方，电连接元件102被连接到支撑小板10的电连接网络11，以便于对其的电力供应和电信号交换。
电子设备100包括散热器103，散热器103包括板104，板104等同于散热器16的板17并且在芯片6和13之间延伸。
散热器103包括板105，板105在芯片101的与电连接元件102相对侧上的表面106上方延伸，并且直接或经由一层热膏或热粘合剂与安装在板105上方的外部散热片107接触。
散热器103包括板108，板108等同于散热器16的板21并且被连接到支撑小板3的过孔22、连接到板104和板105。
电子设备100包括封装块109，封装块109等同于电子设备1的封装块26，但不同之处在于，此时，支撑小板10和芯片101被嵌入封装块109，在这种情况下板105可以平齐地装配到该封装块109中。
电子设备100也可以是平行六面体的形状。
根据图3所示的另一示例性实施例，以与参考图2所述示例相同的方式，电子设备200包括第一组件2以及第二组件9，第一组件2包括支撑小板3和电子芯片6，第二组件9包括支撑小板10、电子芯片13和电子芯片101。
然而，这时，支撑小板3和10具有相同的面积并且彼此覆盖。
电子设备200还包括第三组件201，第三组件201包括支撑小板202，支撑小板202配备有集成电连接网络203并借助于电连接元件206在表面204上方装配有第四电子芯片205，电连接元件206被连接到电连接网络203。
第三组件201以等同于组件9在组件2上的堆叠的方式并以下面的方式堆叠在组件9上方。
第三支撑小板202被布置成平行于第二支撑小板10并且与第二支撑小板10隔开一定距离，其中它们的表面204和24彼此面对。第三芯片101在第三支撑小板202的一侧上。第四芯片205在第二支撑小板10的一侧上。
组件9和201以这样的方式定位，使得芯片101和205的后表面24和207垂直于支撑小板3和10而相距一定距离。如图3所示，芯片101和205的后表面24和207可以彼此面对。
支撑小板10和202具有相同的面积并且彼此覆盖。
电子设备200配备有散热器208，如前所述，散热器208包括插入在芯片6和13之间的板209。
散热器208还包括板210，板210平行于支撑小板10和202延伸并且在芯片101和205之间通过。
芯片101和205的后表面104和207直接或经由一层热膏或热粘合剂与板210的相对表面接触。
电子设备200包括小板间电连接元件211，例如球，小板间电连接元件211插入在支撑小板10和202的表面24和204之间并且被连接到这些支撑小板10和202的电连接网络11和203。
电连接元件211具有与支撑小板10和202之间的距离相匹配的厚度，该距离由芯片101和205的厚度、板210的厚度和电连接元件102和206的厚度确定。
散热器208包括板212，板212被放置在支撑小板202的表面204的相对侧上的外表面213上，板212等同于上述的板23。散热片214被安装在板212上。
散热器208包括板215，板215等同于上述的板21和108。
这次，板215延伸穿过支撑小板10和202的通道216a和216b，以便一方面连接到支撑小板3的过孔22，另一方面连接到板212。
板209和210的边缘被横向连接到板215。
电子设备200包括填充支撑小板3和10之间的空间的封装块217，以及填充支撑小板10和202之间的空间的封装块218，使得电子设备200也可以是平行六面体的形式。
根据在图4中示出的另一示例性实施例，电子设备300包括参考图3描述的电子设备200的组件2、9和201以及散热器301，散热器301包括板302和303，板302和303分别在芯片6和13之间以及在芯片101和205之间延伸。
散热器301包括横向外部板304，横向外部板304至少部分地覆盖支撑小板3、10和202以及封装块217和218的对应边缘，并且例如借助于热粘合剂层305被固定，板304在这种情况下可以可选地被平齐装配。
板302和303包括直角的侧边缘306和307，其直接或经由热粘合剂层305与板304的内表面接触。
散热器301包括板308，板308等同于板212，板308被连接到板304并且装配有外部散热片309。
在图4中所示的该示例中，可以省略前述示例的过孔22。
从上面的描述可以得出，电子设备可以由任意多个组件的堆叠形成，每个组件包括在其相对表面上方承载电子芯片的支撑小板，支撑小板至少部分地彼此面对，并且支撑小板可以通过电连接元件连接，并且散热器可以包括分别插入在由两个相邻的支撑小板承载的芯片之间的插入板。
在这种堆叠中，形成堆叠的端部之一的支撑小板有利地不具有外部芯片，而是配备有外部电连接元件，而形成堆叠的另一端的支撑小板可以可选地配备有至少一个芯片并且可以配备有散热片。

Claims (20)

1.一种电子设备，其特征在于，包括：
第一支撑小板；
第二支撑小板，所述第二支撑小板被安置成与所述第一支撑小板相对并且与所述第一支撑小板相距一定距离；
第一电子芯片，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；
第二电子芯片，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；和
散热器，所述散热器包括被插入在所述第一电子芯片和所述第二电子芯片之间的至少一个插入板。
2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括多个电连接元件，所述多个电连接元件被插入在所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间并且与所述第一电子芯片和所述第二电子芯片以及所述散热器相距一定距离。
3.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一电子芯片至少部分地面向所述第二电子芯片。
4.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一电子芯片与所述第二电子芯片相偏移，并且所述插入板是台阶状的，所述第一电子芯片或所述第二电子芯片中的一个被安置在所述插入板的第一台阶部分上，而另一个被安置在所述插入板的第二台阶部分的相对面上。
5.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于：
所述第一支撑小板包括第一电连接网络；
所述第二支撑小板包括第二电连接网络；
所述第一电子芯片通过连接到所述第一电连接网络的第一多个电连接元件被安装在所述第一支撑小板上；
所述第二电子芯片通过连接到所述第二电连接网络的第二多个电连接元件被安装在所述第二支撑小板上；和
第三多个电连接元件被插入在所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间并且被连接到所述第一电连接网络和所述第二电连接网络。
6.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括由所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个承载的至少一个外部板。
7.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括穿过所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个的导热过孔。
8.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板的第一表面上，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板的第二表面上，并且所述电子设备还包括第三电子芯片，所述第三电子芯片被安装在所述第一支撑小板的与所述第一表面相对的第三表面上或者所述第二支撑小板的与所述第二表面相对的第四表面上，其中所述散热器包括在所述第三电子芯片上方延伸的至少一个板。
9.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，还包括至少形成在所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间的至少一个封装块，所述散热器至少部分地被封装在所述封装块中。
10.根据权利要求9所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括由所述封装块承载的至少一个外部板。
11.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括至少一个外部散热片。
12.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个包括外部电连接元件，所述外部电连接元件中的至少一些被连接到所述散热器。
13.一种电子设备，其特征在于，包括：
第一支撑小板；
第二支撑小板，所述第二支撑小板被安置成与所述第一支撑小板相对并且与所述第一支撑小板相距一定距离；
第一电子芯片，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；
第二电子芯片，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；和
散热器，所述散热器包括被插入在所述第一电子芯片和所述第二电子芯片之间的至少一个插入板，所述插入板被安置成与所述第一电子芯片的第一后表面和所述第二电子芯片的第二后表面热接触。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括由所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个承载的至少一个外部板。
15.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板的第一表面上，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板的第二表面上，所述电子设备还包括第三电子芯片，所述第三电子芯片被安装在所述第一支撑小板的与所述第一表面相对的第三表面上或者所述第二支撑小板的与所述第二表面相对的第四表面上，其中所述散热器包括在所述第三电子芯片上方延伸的至少一个板。
16.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，还包括至少形成在至少所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间的至少一个封装块，所述散热器至少部分地被封装在所述封装块中。
17.根据权利要求16所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括由所述封装块承载的至少一个外部板。
18.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括至少一个外部散热片。
19.一种电子设备，其特征在于，包括：
第一支撑小板；
第二支撑小板，所述第二支撑小板被安置成与所述第一支撑小板相对并且与所述第一支撑小板相距一定距离；
第一电子芯片，所述第一电子芯片被安装在所述第一支撑小板上、在面向所述第二支撑小板的一侧上；
第二电子芯片，所述第二电子芯片被安装在所述第二支撑小板上、在面向所述第一支撑小板的一侧上；
散热器，所述散热器包括被插入在所述第一电子芯片和所述第二电子芯片之间的至少一个插入板，所述插入板被安置成与所述第一电子芯片的第一后表面和所述第二电子芯片的第二后表面热接触；和
至少一个封装块，所述至少一个封装块至少形成在所述第一支撑小板和所述第二支撑小板之间，所述散热器至少部分地被封装在所述封装块中。
20.根据权利要求19所述的电子设备，其特征在于，所述散热器包括由所述第一支撑小板和所述第二支撑小板中的至少一个承载的至少一个外部板。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107343376A (zh) * 2016-05-02 2017-11-10 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 具有电子芯片和散热器的电子设备

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3089056B1 (fr) * 2018-11-28 2022-01-21 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif électronique comprenant un substrat de support et des puces électroniques, empilés

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100630690B1 (ko) * 2004-07-08 2006-10-02 삼성전자주식회사 열 소산 경로를 구비한 멀티 칩 패키지
US7196411B2 (en) * 2004-09-17 2007-03-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat dissipation for chip-on-chip IC packages
US7361986B2 (en) * 2004-12-01 2008-04-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Heat stud for stacked chip package
KR100777926B1 (ko) * 2006-08-29 2007-11-21 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 및 그 제조방법
US7675164B2 (en) * 2007-03-06 2010-03-09 International Business Machines Corporation Method and structure for connecting, stacking, and cooling chips on a flexible carrier
US8288205B2 (en) * 2008-03-19 2012-10-16 Stats Chippac Ltd. Package in package system incorporating an internal stiffener component
CN101937907B (zh) * 2009-06-29 2012-09-05 财团法人工业技术研究院 芯片堆叠封装结构及其制作方法
US8779582B2 (en) * 2010-10-20 2014-07-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Compliant heat spreader for flip chip packaging having thermally-conductive element with different metal material areas
US8564125B2 (en) * 2011-09-02 2013-10-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with embedded thermal heat shield and method of manufacture thereof
US20130277855A1 (en) * 2012-04-24 2013-10-24 Terry (Teckgyu) Kang High density 3d package
FR3050862A1 (fr) * 2016-05-02 2017-11-03 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif electronique a puces electroniques et dissipateur de la chaleur

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107343376A (zh) * 2016-05-02 2017-11-10 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 具有电子芯片和散热器的电子设备
CN107343376B (zh) * 2016-05-02 2019-12-17 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 具有电子芯片和散热器的电子设备

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