CN206355993U - 一氧化硅纳米材料制备装置 - Google Patents

一氧化硅纳米材料制备装置 Download PDF

Info

Publication number
CN206355993U
CN206355993U CN201621489664.XU CN201621489664U CN206355993U CN 206355993 U CN206355993 U CN 206355993U CN 201621489664 U CN201621489664 U CN 201621489664U CN 206355993 U CN206355993 U CN 206355993U
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon monoxide
ceramic
drying oven
sample container
collecting tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201621489664.XU
Other languages
English (en)
Inventor
朱伟杰
陈忠杰
孙彦辉
杨涛
杨振东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TIANJIN HUILI TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
TIANJIN HUILI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TIANJIN HUILI TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical TIANJIN HUILI TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201621489664.XU priority Critical patent/CN206355993U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN206355993U publication Critical patent/CN206355993U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种一氧化硅纳米材料制备装置,包括真空炉、真空泵组、试样容器、多孔陶瓷过滤板、氩气罐、陶瓷氩气管、氩气预热加热器、冷凝器和一氧化硅收集罐,真空炉设置有氩气通入口和一氧化硅出料口,真空泵组与真空炉连通;试样容器置于真空炉中,多孔陶瓷过滤板置于试样容器内底部,氩气罐与陶瓷氩气管连通,真空炉外部的陶瓷氩气管上设置氩气预热加热器,陶瓷氩气管穿过氩气通入口并连接多孔陶瓷过滤板底部接口;一氧化硅出料口连接冷凝器一端,冷凝器内设置陶瓷填料,冷凝器另一端连接一氧化硅收集罐,一氧化硅收集罐上设置有排气口,一氧化硅收集罐与真空泵组连通。本装置制备的一氧化硅纯度高,成本低,易于大规模工业化生产。

Description

一氧化硅纳米材料制备装置
技术领域
本实用新型涉及一氧化硅纳米材料制备技术领域,特别是涉及一种一氧化硅纳米材料制备装置。
背景技术
一氧化硅纳米材料具备较高的理论比容量(1400Ahg-1以上),具有纳米粒径的特性减少充放电过程中的剧烈体积变化,使其在锂离子电池、半导体等领域存在着广泛的应用前景。
目前传统制备一氧化硅的方法反应速度慢,所消耗的能量高,而且制备使用的原料价格也较高,从而导致一氧化硅纳米材料的制备成本高。由于当前存在技术问题较多,亟需找到一条合理的工艺路线装置。
发明内容
本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题而提供一种一氧化硅纳米材料的制备装置,该装置大大降低了高纯一氧化硅的制备成本,能耗低,制备得到的一氧化硅纯度高。
本实用新型为解决公知技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:
一种一氧化硅纳米材料制备装置,其特征在于:包括真空炉、真空泵组、试样容器、多孔陶瓷过滤板、氩气罐、陶瓷氩气管、氩气预热加热器、冷凝器和一氧化硅收集罐,所述真空炉设置有氩气通入口和一氧化硅出料口,真空泵组与真空炉连通,并在真空泵组与真空炉之间设置阀门;所述试样容器用于放置混合物原料,试样容器置于真空炉中,所述多孔陶瓷过滤板置于试样容器内底部,所述氩气罐与陶瓷氩气管连通,真空炉外部的陶瓷氩气管上设置氩气预热加热器,陶瓷氩气管穿过氩气通入口沿试样容器内壁伸入到试样容器底部并连接多孔陶瓷过滤板底部接口;所述一氧化硅出料口连接冷凝器的一端,所述冷凝器内设置陶瓷填料,冷凝器的另一端连接一氧化硅收集罐,一氧化硅收集罐上设置有排气口,一氧化硅收集罐与真空泵组连通,并在一氧化硅收集罐与真空泵组之间设置阀门。
所述多孔陶瓷过滤板为碳化硅多孔陶瓷过滤板。
所述多孔陶瓷过滤板的孔径大小为1-5μm。
本实用新型具有的优点和积极效果是:
本实用新型通过设置多孔陶瓷过滤板,在原料底部通入高温氩气,多孔陶瓷过滤板利于气体在原料内部均匀分散,减少物料烧结团聚,大大提高一氧化硅的逸出率;该装置制备的一氧化硅纳米材料纯度高,生产成本低,易于大规模工业化生产。
附图说明
图1是本实用新型的一氧化硅纳米材料制备装置示意图。
图中:1-真空炉;2-真空泵组;3-试样容器;4-多孔陶瓷过滤板;5-氩气罐;6-陶瓷氩气管;7-氩气预热加热器;8-冷凝器;9-陶瓷填料;10-一氧化硅收集罐;11-氩气通入口;12-一氧化硅出料口;13-排气口。
具体实施方式
为能进一步了解本实用新型的发明内容、特点及功效,兹例举以下实施例,并配合附图详细说明如下:
请参阅图1,一种一氧化硅纳米材料制备装置,包括真空炉1、真空泵组2、试样容器3、多孔陶瓷过滤板4、氩气罐5、陶瓷氩气管6、氩气预热加热器7、冷凝器8和一氧化硅收集罐10,真空炉1设置有氩气通入口11和一氧化硅出料口12,真空泵组2与真空炉1连通,并在真空泵组2与真空炉1之间设置阀门;试样容器3用于放置混合物原料,试样容器3置于真空炉1中,多孔陶瓷过滤板4置于试样容器3内底部,氩气罐5 与陶瓷氩气管6连通,真空炉1外部的陶瓷氩气管6上设置氩气预热加热器7,陶瓷氩气管6穿过氩气通入口11沿试样容器3内壁伸入到试样容器3底部并连接多孔陶瓷过滤板 4底部接口;一氧化硅出料口12连接冷凝器8的一端,冷凝器8内设置陶瓷填料9,陶瓷填料将未反应的混合物原料阻隔下来,冷凝器8的另一端连接一氧化硅收集罐10,一氧化硅收集罐10上设置有排气口13,一氧化硅收集罐10与真空泵组2连通,并在一氧化硅收集罐10与真空泵组2之间设置阀门。
多孔陶瓷过滤板4为碳化硅多孔陶瓷过滤板。
多孔陶瓷过滤板4的孔径大小为1-5μm。
以上所述仅是对本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改,等同变化与修饰,均属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (3)

1.一种一氧化硅纳米材料制备装置,其特征在于:包括真空炉、真空泵组、试样容器、多孔陶瓷过滤板、氩气罐、陶瓷氩气管、氩气预热加热器、冷凝器和一氧化硅收集罐,所述真空炉设置有氩气通入口和一氧化硅出料口,真空泵组与真空炉连通,并在真空泵组与真空炉之间设置阀门;所述试样容器用于放置混合物原料,试样容器置于真空炉中,所述多孔陶瓷过滤板置于试样容器内底部,所述氩气罐与陶瓷氩气管连通,真空炉外部的陶瓷氩气管上设置氩气预热加热器,陶瓷氩气管穿过氩气通入口沿试样容器内壁伸入到试样容器底部并连接多孔陶瓷过滤板底部接口;所述一氧化硅出料口连接冷凝器的一端,所述冷凝器内设置陶瓷填料,冷凝器的另一端连接一氧化硅收集罐,一氧化硅收集罐上设置有排气口,一氧化硅收集罐与真空泵组连通,并在一氧化硅收集罐与真空泵组之间设置阀门。
2.根据权利要求1所述的一氧化硅纳米材料制备装置,其特征在于:所述多孔陶瓷过滤板的孔径大小为1-5μm。
3.根据权利要求1所述的一氧化硅纳米材料制备装置,其特征在于:所述多孔陶瓷过滤板为碳化硅多孔陶瓷过滤板。
CN201621489664.XU 2016-12-30 2016-12-30 一氧化硅纳米材料制备装置 Expired - Fee Related CN206355993U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621489664.XU CN206355993U (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一氧化硅纳米材料制备装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201621489664.XU CN206355993U (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一氧化硅纳米材料制备装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN206355993U true CN206355993U (zh) 2017-07-28

Family

ID=59379062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201621489664.XU Expired - Fee Related CN206355993U (zh) 2016-12-30 2016-12-30 一氧化硅纳米材料制备装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN206355993U (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109455723A (zh) * 2018-12-26 2019-03-12 杭州致德新材料有限公司 高导电率一氧化硅的生产设备及方法
CN112495336A (zh) * 2020-12-08 2021-03-16 中南大学 用于制备一氧化硅的竖式反应炉及制备装置和制备工艺
CN114180585A (zh) * 2021-11-30 2022-03-15 长沙矿冶研究院有限责任公司 一种批量制备高纯一氧化硅的方法及装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109455723A (zh) * 2018-12-26 2019-03-12 杭州致德新材料有限公司 高导电率一氧化硅的生产设备及方法
CN112495336A (zh) * 2020-12-08 2021-03-16 中南大学 用于制备一氧化硅的竖式反应炉及制备装置和制备工艺
CN114180585A (zh) * 2021-11-30 2022-03-15 长沙矿冶研究院有限责任公司 一种批量制备高纯一氧化硅的方法及装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN206355993U (zh) 一氧化硅纳米材料制备装置
CN103436904B (zh) 一种熔盐电解法制备碳化物衍生碳的方法
WO2022127132A1 (zh) 5g基站用高纯低辐射球形硅微粉的制备工艺及设备
CN103343331A (zh) 化学气相沉积反应的装置
CN203678371U (zh) 一种超声波雾化-微波热解联合法制备纳米粉体的装置
CN112705150A (zh) 复合材料制备装置与方法
CN102502745B (zh) 一种纳米氧化铝粉体的制造装置
CN104401966A (zh) 一种碳纳米管连续式生产设备及方法
CN201785545U (zh) 单晶炉硅料真空装料装置
CN203959838U (zh) 一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置
CN201817548U (zh) 一种用于表面改性和等离子体聚合的材料处理装置
CN212667712U (zh) 用于灌装固体mo源的钢瓶
CN211445057U (zh) 一种氮气纯化脱氧灌
CN109956462B (zh) 碳纳米颗粒制取系统、碳纳米颗粒气溶胶生成系统及方法
CN204917978U (zh) 一种高温还原氧化石墨烯的工业化生产装置
CN211799397U (zh) 一种有机废气处理机
CN203253264U (zh) 一种燃烧炉的废物处理装置
CN2649228Y (zh) 多用途高频感应加热制备一维纳米材料装置
CN110921671A (zh) 一种连续生产碳化硼的方法
CN215428875U (zh) 一种三维石墨烯烧结设备
CN211169877U (zh) 一种氧化铝的制备装置
CN210065186U (zh) 用于活性炭清洗精制阶段的加热装置
CN103950998B (zh) 一种超临界乙醇合成纳米片状氧化镍的方法
CN215800086U (zh) 一种掺氮三维碳纳米纤维复合材料的制备用加热炉
CN213446318U (zh) 一种氧化锆生产用超纯水分离设备

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170728

Termination date: 20191230

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee