CN203959838U - 一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置 - Google Patents

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赵毅
计燕秋
裴凯
刘颖
毕聪智
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Abstract

本实用新型属于化工设备技术领域,是一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置,由主反应和底板组成,主反应管上配有电加热带,主反应管的上端和下端分别设有出气口和进气口;底板设在主反应管的下部,与主反应管的圆柱形外壁直接烧结为一体,底板上设有均匀分布的筛孔,本实用新型的有益效果是:因为底板上设有均匀分布的筛孔,使原料能够均匀分散,与高温的碳化硼充分接触反应,使三氯化硼中氯气杂质含量能降低到1ppm以下。

Description

一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置
技术领域  
本实用新型属于化工设备技术领域,涉及一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置。
背景技术  
 目前,常用的气体纯化设备有精馏塔、吸附器等,但在反应温度850℃,耐高温的情况下,进行去除三氯化硼中氯气杂质的反应,就需要气体分散性强的反应设备来进行。常规的设备和结构很难达到去除三氯化硼中氯气杂质的反应的要求。
实用新型内容
     鉴于上述常规的纯化设备和结构上存在的缺陷,本实用新型的目的是提供一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置。
本实用新型的技术方案是,一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置,由主反应管和底板组成,主反应管的底端和上端分别为直管形状,主反应管上配有电加热带,进气口设在主反应管的下端,出气口设在主反应管的上端;底板设在主反应管的下部,与主反应管的圆柱形外壁直接烧结为一体,底板上设有均匀分布的筛孔,可以有效地将进入反应管的三氯化硼气体进行均匀分布,使其与管内填充的碳化硼充分接触,实现对三氯化硼中氯气杂质的深度反应,从而达到纯化目的。
本实用新型的有益效果是:因为有筛孔底板结构,使原料能够均匀分散,与高温的碳化硼充分接触反应,使三氯化硼中氯气杂质含量能降低到1ppm以下。
附图说明
   图1为本实用新型的结构示意图。
   图2为图1中部横截面示意图
图中:1、主反应管,2、电加热带, 3、进气口,4、出气口,5、底板。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明,参见图1和图2,本实用新型由主反应管1和底板5组成,主反应管1的底端和上端分别为直管形状,主反应管1上缠绕电加热带2,可在0~1000℃进行加热控制。进气口3设在主反应管1的下端,出气口4设在主反应管1的上端;底板5设在主反应管1的下部,与主反应管1的圆柱形外壁直接烧结为一体,底板5上设有均匀分布的筛孔,可以有效地将进入反应管的三氯化硼气体进行均匀分布,使其与管内填充的碳化硼充分接触,实现对三氯化硼中氯气杂质的深度反应,从而达到纯化目的。具体实施过程为: 用耐高温的石英作为装置的材料,反应器1内加入碳化硼颗粒,使用电加热带2加热至850℃,从进气口3通入原料三氯化硼,经过主反应管1内的碳化硼与杂志氯气充分反应,由出气口4输出纯化后的三氯化硼气体。

Claims (2)

1.一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置,其特征在于,由主反应管(1)和底板(5)组成,主反应管(1)上设有电加热带(2),主反应管(1)的下端和上端分别设有进气口(3)和出气口(4);底板(5)设在主反应管(1)的下部,与主反应管(1)的圆柱形外壁直接烧结为一体,底板(5)上设有均匀分布的筛孔。
2.根据权利要求1所述的一种去除三氯化硼中氯气杂质的反应装置,其特征在于,所述的主反应管(1)的底端和上端分别为直管形状。
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