CN206332041U - 提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型提供了提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。本实用新型的有益效果体现在：将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8‑10℃，与刻蚀槽温度相当，可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性，降低电池片的色差片比例，提高电池片的合格率。
Description
技术领域
本实用新型属于太阳能电池组件技术领域，具体涉及一种提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置及其处理方法。
背景技术
多晶硅电池片的工艺制造流程一般是清洗制作绒面，然后扩散制作PN结、腐蚀去磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝网印刷电极烧结，最后测试包装。清洗刻蚀是制造太阳能电池的第一道工艺，如何在p型硅片表面获得均匀的刻蚀绒面和保持每批硅片绒面的一致性是清洗工段考虑的重要问题。现有的多晶硅片一般都是直接上料进入刻蚀槽，硅片表面温度在20-25℃，进入刻蚀槽后，由于刻蚀槽内药液温度在8-10℃，硅片表面温度与刻蚀槽药液温度差距大，导致硅片表面刻蚀不均匀。
实用新型内容
本实用新型提供了一种提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置。
本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：
提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。
优选地，所述恒温风干机构包括与恒温槽内的传输滚轮同一平面的传输辊，所述传输辊上方设置有恒温风刀。
优选地，所述传输滚轮设置有上、下层传输滚轮，待刻蚀硅片设置于所述上、下层传输滚轮之间，所述上、下层传输滚轮转动，带动待刻蚀硅片进行传输。
优选地，所述恒温槽下方设置有溶液槽，所述恒温槽与所述溶液槽通过水泵循环连接，所述溶液槽内设置有恒温控制机构，所述恒温槽与所述溶液槽内均设置有与所述恒温控制机构电性连接的温度传感器。
优选地，所述恒温水的温度为8-10℃，所述恒温水为去离子水。
优选地，所述传输滚轮上设置有分隔带，同一传输滚轮上的相邻分隔带之间的距离与待刻蚀硅片的宽度相当。
优选地，所述装置还包括有用于驱动所述滚轮转动的驱动电机。
优选地，所述装置的出料端与刻蚀装置的进料端封闭连接。
提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理方法，包括如下步骤，
S1、溶液槽内溶液的恒温调节，控制；通过恒温控制机构将溶液槽内的溶液控制在温度为8-10℃；
S2、多晶硅片放入恒温槽，将多晶硅片放入恒温槽的上、下层传输滚轮之间；
S3、恒温槽内注入溶液，并保持温度在8-10℃，通过联通的水泵将溶液槽内的溶液注入到恒温槽，并浸没恒温槽内的传输滚轮和多晶硅片表面；
S4、恒温槽内通入8-10℃的去离子水，没过传输滚轮，从而给硅片降温，使硅片表面的温度降到8-10℃；
S5、硅片出恒温槽的水浴后，进入到恒温风干机构，恒温风刀启动，将硅片表面吹干，进一步的进入到刻蚀槽，所述恒温风刀的温度为8-10℃。
本实用新型的有益效果体现在：将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8-10℃，与刻蚀槽温度相当，可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性，降低电池片的色差片比例，提高电池片的合格率。
附图说明
图1：本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例具体阐述本实用新型的技术方案，本实用新型揭示了一种提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，如图1所示，包括一容纳有恒温水的恒温槽2及与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。所述装置的出料端与刻蚀装置的进料端封闭连接，进一步的，是指恒温风干机构与刻蚀装置的进料端封闭连接。
所述恒温槽2内设置有置于所述恒温水下的传输滚轮，所述传输滚轮包括有上层传输滚轮3、下层传输滚轮4。待刻蚀硅片设置于所述上、下层传输滚轮之间；所述装置还包括有用于驱动所述滚轮转动的驱动电机，所述上、下层传输滚轮转动，带动待刻蚀硅片进行传输。所述恒温水的温度为8-10℃，所述恒温水为去离子水。
所述恒温风干机构包括与恒温槽内的传输滚轮同一平面的传输辊6，所述传输辊6上方设置有恒温风刀7。本实用新型中，同一平面进一步的限制为同一水平面，当恒温槽内的多晶硅片在出口端时，可以很好的进入到恒温风干机构内，实现无缝对接。
为了更好的对恒温槽2内的去离子水进行水温及水量的控制，所述恒温槽下方设置有溶液槽1，所述恒温槽2与所述溶液槽1通过水泵循环连接，所述溶液槽1内设置有恒温控制机构，所述恒温槽2与所述溶液槽1内均设置有与所述恒温控制机构电性连接的温度传感器。
为了能进行更量化的硅片传输，所述传输滚轮上设置有分隔带5，同一传输滚轮上的相邻分隔带之间的距离与待刻蚀硅片的宽度相当。本实用新型中采用的分隔带5为4个，将传输滚轮分为5个区域，可以同时五排硅片同时输送。
以下阐述下利用本装置进行提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理方法，包括如下步骤，
S1、溶液槽内溶液的恒温调节，控制；通过恒温控制机构将溶液槽内的溶液控制在温度为8-10℃；
S2、多晶硅片放入恒温槽，将多晶硅片放入恒温槽的上、下层传输滚轮之间；
S3、恒温槽内注入溶液，并保持温度在8-10℃，通过联通的水泵将溶液槽内的溶液注入到恒温槽，并浸没恒温槽内的传输滚轮和多晶硅片表面；
S4、恒温槽内通入8-10℃的去离子水，没过传输滚轮，从而给硅片降温，使硅片表面的温度降到8-10℃；
S5、硅片出恒温槽的水浴后，进入到恒温风干机构，恒温风刀启动，将硅片表面吹干，进一步的进入到刻蚀槽，所述恒温风刀的温度为8-10℃。
表1为采用本实用新型中的预处理对最后产品反射率的影响与现有技术的对比表：
| 实施例 | 现有技术反射率 | 实用新型技术反射率 |
| 1 | 20.56 | 20.36 |
| 2 | 21.23 | 19.46 |
| 3 | 21.89 | 19.54 |
| 4 | 22.47 | 19.47 |
| 5 | 20.14 | 20.39 |
| 6 | 21.58 | 20.58 |
| 7 | 19.58 | 20.14 |
| 8 | 22.36 | 19.78 |
| 9 | 21.8 | 20.62 |
| 10 | 19.08 | 19.68 |
| 标准偏差 | 1.17 | 0.47 |
。以上充分显示了本实用新型的方法保证产品进入刻蚀槽前，使硅片表面的温度降到与刻蚀槽药液一样的温度，不仅不会影响刻蚀槽药液的浓度，而且能均匀地与药液发生反应。
本实用新型尚有多种具体的实施方式。凡采用等同替换或者等效变换而形成的所有技术方案，均落在本实用新型要求保护的范围之内。
Claims (8)
1.提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮，所述传输滚轮置于所述恒温水下，待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上，所述传输滚轮转动，带动所述待刻蚀硅片运动，所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。
2.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温风干机构包括与恒温槽内的传输滚轮同一平面的传输辊，所述传输辊上方设置有恒温风刀。
3.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述传输滚轮设置有上、下层传输滚轮，待刻蚀硅片设置于所述上、下层传输滚轮之间，所述上、下层传输滚轮转动，带动待刻蚀硅片进行传输。
4.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温槽下方设置有溶液槽，所述恒温槽与所述溶液槽通过水泵循环连接，所述溶液槽内设置有恒温控制机构，所述恒温槽与所述溶液槽内均设置有与所述恒温控制机构电性连接的温度传感器。
5.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述恒温水的温度为8-10℃，所述恒温水为去离子水。
6.如权利要求3所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述传输滚轮上设置有分隔带，同一传输滚轮上的相邻分隔带之间的距离与待刻蚀硅片的宽度相当。
7.如权利要求2所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述装置还包括有用于驱动所述滚轮转动的驱动电机。
8.如权利要求1所述的提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置，其特征在于：所述装置的出料端与刻蚀装置的进料端封闭连接。
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