CN206169887U - 一种抛光垫修整装置 - Google Patents

Abstract

一种抛光垫修整装置，属于抛光修整技术领域。包括一基座、至少一切削件以及至少一定位件。切削件设置在基座上。定位件设置在基座上，并且凸出于基座的上表面。本实用新型的其中一有益效果在于，可通过“所述定位结构形成在所述切削件上或所述基座上＂的技术手段，可以将抛光垫上多余的材料切削而不会产生隆起，使得抛光垫的抛光面能够较为平坦，以有效控制抛光垫的表面粗糙度。

Description

一种抛光垫修整装置

技术领域

本实用新型涉及一种抛光垫修整装置，属于抛光修整技术领域。

背景技术

现今技术的抛光垫修整器都是用“磨粒(例如:钻石)”作为加工刀具以移除抛光垫(Pad)材料。请参阅图1所示，抛光垫修整器Q的上方布满磨粒d。加工抛光垫的制程中，磨粒d加工是以磨削的方式移除抛光垫上的材料。

然而，由于抛光垫修整器Q上的磨粒d，其切削刃的形状不规则，且通常磨粒d会以较大的负斜角挤入被加工材料中，属于多点磨削的加工机制，因而在材料表面留下粗糙的犁切痕迹(ploughing)。

如果为了让表面粗糙度降低，则必须使用较高密度且较细的磨粒d加工，以降低粗糙的加工痕迹。但是，修整器的制造过程中，较小颗粒的磨粒d不易与基材结合固定。反倒会因为磨粒d容易脱落而刮伤晶圆，因此对磨粒d的大小有一定的限制(目前使用常用的颗粒大小约0.1毫米(millimeter，mm)至0.3毫米之间)，而难以有效率地降低抛光垫的表面粗糙度。

目前业界半导体的技术已经进入7奈米(nanometer，nm)制程，所使用的抛光垫材料已经不是以往的硬式抛光垫，抛光垫表面所需要的表面粗糙度值也相对要求更低。故，如何通过结构设计以改良抛光垫修整器，有效的加工抛光垫并控制良好的表面粗糙度，来克服上述的缺失，已成为该项事业所欲解决的重要课题 之一。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种抛光垫修整装置。

为了解决上述的技术问题，本实用新型所采用的其中一技术方案是，

一种抛光垫修整装置，其包括：

一基座；

至少一切削件，所述切削件设置在所述基座上；以及

至少一定位件，所述定位件设置在所述基座上，并且凸出于所述基座的上表面。

本实用新型所采用另外一技术方案是，提供一种抛光垫修整装置，其包括一基座以及至少一切削件。所述切削件设置在所述基座上，所述切削件的一顶端具有一刀刃部以及一抵靠部。

本实用新型所采用的再一技术方案是，提供一种抛光垫修整装置其包括一基座、至少一切削件以及至少一定位结构。所述切削件设置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部。所述定位结构形成在所述切削件上或所述基座上。

一种抛光垫修整装置，包括：一基座；

至少一切削件，所述切削件设置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部；以及

至少一定位结构，所述定位结构形成在所述切削件上或所述基座上，其中所述定位结构的高度低于或等于所述刀刃部的高度。

综上所述，本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型 实施例所提供的抛光垫修整装置，其可通过“所述定位结构形成在所述切削件上或所述基座上＂的技术手段，可以将抛光垫上多余的材料切削而不会产生隆起，使得抛光垫的抛光面能够较为平坦，以有效控制抛光垫的表面粗糙度。

为使能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所提供的附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制者。

附图说明

当结合附图考虑时，通过参照下面的详细描述，能够更完整更好地理解本实用新型以及容易得知其中许多伴随的优点，但此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，构成本实用新型的一部分，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定，如图其中：

图1为现有技术的抛光垫修整装置的立体示意图。

图2A为本实用新型其中一切削件与抛光垫接触的示意图。

图2B为本实用新型另外一切削件与抛光垫接触的示意图。

图2C为本实用新型再一切削件与抛光垫接触的示意图。

图2D为本实用新型又一切削件的刀刃部与抛光垫接触的示意图。

图3为本实用新型实施例1的抛光垫修整装置的立体组合图。

图4为本实用新型实施例2的抛光垫修整装置的立体分解图。

图5为本实用新型实施例2的修整组件的立体图。

图6为本实用新型实施例2的修整组件具有一个第一前刀面 的侧视图。

图7为本实用新型实施例2的修整组件具有两个第一前刀面的侧视图。

图8为本实用新型实施例2的修整组件具有第一前刀面以及第一抵靠部的侧视图。

图9为本实用新型实施例3的修整组件的立体图。

图10为本实用新型实施例3的修整组件的侧视图。

图11为本实用新型实施例4的修整组件的立体图。

图12为本实用新型实施例4的修整组件的另外一侧视示意图。

图13为本实用新型实施例5的修整组件的立体图。

图14为本实用新型实施例5的抛光垫修整装置的立体组合图。

图15为本实用新型实施例6的抛光垫修整装置的立体组合图。

图16为本实用新型实施例7的修整组件的立体图。

图17为本实用新型实施例的设置于定位结构上的微结构层的示意图。

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

具体实施方式

显然，本领域技术人员基于本实用新型的宗旨所做的许多修改和变化属于本实用新型的保护范围。

本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、 操作、组件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、组件、组件和/或它们的组。应该理解，当称组件、组件被“连接”到另一组件、组件时，它可以直接连接到其它组件或者组件，或者也可以存在中间组件或者组件。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的任一单元和全部组合。

本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样定义，不会用理想化或过于正式的含义来解释。

为便于对本实用新型实施例的理解，下面将做进一步的解释说明，且各个实施例并不构成对本实用新型实施例的限定。

一种通过第一切削件以有效控制抛光垫的表面粗糙度的抛光垫修整装置。

以下是通过特定的具体实施例来说明本实用新型所公开有关“抛光垫修整装置＂的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本实用新型的优点与效果。本实用新型可通过其它不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本实用新型的精神下进行各种修饰与变更。另外，本实用新型的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本实用新型的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本实用新型的技术范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种组件或信号等，但这些组件或信号不应受这些术语限制。 这些术语乃用以区分一组件与另一组件，或者一信号与另一信号。另外，如本文中所使用，术语“或”视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的所有组合。

首先，请参阅图2A、图2B、图2C以及图2D所示，本实用新型提供一种抛光垫修整装置，其提供一切削件(例如第一切削件22或第二切削件23)用以修整抛光垫E上的材料。举例来说，切削件可为一片状切削件。以下先以第一切削件22进行说明。第一切削件22的一顶端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(请参阅图2D所示，例如第一抵靠部223或第二抵靠部233)。刀刃部K位于第一切削件22的顶端的一前缘处，抵靠部223与刀刃部K相邻且并列延伸。另外，抵靠部223可为一平面或一弧面。再者，刀刃部K具有一朝向基座1(请参阅图3所示)方向延伸的前刀面(例如第一前刀面222或第二前刀面232)以及一朝向所述顶端的方向延伸的后刀面(例如第一后刀面221或第二后刀面231)，且后刀面与前刀面之间可以形成一介于30～75度之间的夹角。刀刃部K的长度可介于1～20毫米(mm)之间。须说明的是，以下先以第一切削件22的第一后刀面221及第一前刀面222进行说明。

请复参阅图2A、图2B、图2C以及图2D以说明当第一切削件22的刀刃部接触于抛光垫E的待切削面之情形。图2A为本实用新型其中一切削件与抛光垫接触的示意图。第一切削件22的刀刃部K与抛光垫E接触时，第一前刀面222与垂直于抛光垫E的垂直线之间形成一正斜角(rake angle)θ1而第一后刀面221与抛光垫E的待切削面完全接触。藉此在切削过程中，抛光垫E上被移除的材料(切屑chip)会沿着第一前刀面222滑移至一排屑通道。附带一提，正斜角θ1可以介于0度至60度之间，更 佳的是介于30～45度之间，最佳的为45度(shearangle)。藉此，通过45度的正斜角θ1，使得第一切削件22具有最佳移除材料的剪切角，且剪切力最小。另外，正斜角θ1的角度愈大，刀刃愈锋利，愈容易移除抛光垫上的材料，但刀具强度也相对变弱。

请参阅图2B，图2B为本实用新型另外一切削件与抛光垫接触的示意图。第一切削件22的刀刃部K与抛光垫接触时，第一前刀面222与垂直于抛光垫E的垂直线之间形成一正斜角θ1而后刀面221与抛光垫的待切削面之间形成一逃让角(clearance or reliefangle)θ2。举例来说：逃让角θ2可以大于0度，更甚至逃让角θ2的角度介于0度至15度之间，而最佳的是逃让角θ2介于3度至7度之间。藉此，在切削过程中，逃让角θ2可以减少第一后刀面221与抛光垫E的接触而影响抛光垫E上已加工的部份，同时通过逃让角θ2也避免切削件22与抛光垫E的接触面积过大而降低切削力。

请参阅图2C，图2C为本实用新型再一切削件与抛光垫接触的示意图。本实施例中第一切削件22具有一第一后刀面221、一第一前刀面222以及一连接于第一后刀面221与第一前刀面222之间的第一抵靠部223。当第一切削件22的刀刃部K与抛光垫E接触时，第一抵靠部223与抛光垫E的待切削面接触，且第一前刀面222与垂直于抛光垫E的垂直线之间形成一正斜角θ1而第一后刀面221与抛光垫E的待切削面之间形成一逃让角θ2。因此，当第一切削件22切削抛光垫E上的材料时，第一抵靠部223会先对具有弹性的抛光垫E造成部分隆起以定义出需要去除的材料。接着，第一前刀面222将隆起的材料移除。藉此， 第一抵靠部223的设计可以避免过度移除抛光垫E上的材料及增加第一切削件22的磨耗寿命。另外值得一提的是，第一抵靠部223还可以设计成具有一圆弧的切面。换句话说，第一抵靠部223可以作为一定位结构，且该定位结构形成或设置在第一切削件22上。然而，须说明的是，在其它实施方式中，定位结构也可以形成或设置在基座1上，且凸出于基座的1上表面(请参阅实施例2，定位结构可为图11所示的定位件24)，本实用新型不以此为限。值得注意的是，定位结构可用于限位第一切削件22相对于抛光垫E之间的高度，因此，定位结构(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低于或等于第一切削件22的高度。又或者是，定位结构(例如第一抵靠部223或定位件24)的高度可低于或等于刀刃部K的高度，然本实用新型不以此为限。

请参阅图2D，图2D为本实用新型又一切削件的刀刃部与抛光垫接触的示意图。刀刃部K具有一后刀面221、一前刀面222，且后刀面221与前刀面222之间还可以具有一倒角R(edge radius)，且倒角的半径介于0.01～300微米(micrometer,m)之间。其中倒角R的设计可以用以辅助第一后刀面221推切抛光垫E上多余的材料。须特别说明的是，如图2A、2B以及2C所示的第一切削件22的刀刃部K上也可以具该倒角R。本领域具有通常知识者应可依据自身的需求调整改变第一切削件22的刀刃部K，将正斜角θ1的角度、逃让角θ2的角度以及倒角R的半径选择性的设计于第一切削件22上，本实用新型与此不再多加赘述。

然而，抛光垫修整装置可以具有多种不同的变化态样。举例来说，第一切削件22可以具有不同的刀刃部K。或者，第一切 削件22上可以具有多个刀刃部K。又或者，抛光垫修整装置可以具有不同的排列形式。以下将通过不同的实施例一一介绍变化态样。

实施例1：

首先，请参阅图3并配合前述图2A至图2D所示，图3为本实用新型实施例1的第一切削件的立体示意图。本实用新型实施例提供一种抛光垫修整装置Z，其包括:一基座1以及第一切削件22。第一切削件22顶端具有一刀刃部K以及一抵靠部223(请参阅图2C及图2D)，刀刃部K位于第一切削件22的顶端的前缘处，刀刃部K具有一朝向基座1方向延伸的第一前刀面222以及一朝向所述顶端的方向延伸的第一后刀面221。其中第一后刀面221会与抛光垫E接触，且通过第一前刀面222切削移除抛光垫E上的材料。于此实施例中，刀刃部K具有介于0度至60度的正斜角θ1，以及具有介于0度至15度θ2之间的逃让角。于其它实施例中，第一切削件也可以具有如图2D所示的倒角R结构。本实用新型在此不做任何限制。

承上述，本实施例中第一切削件22可以通过黏贴的方式直接设置在基座1上。于其它实施例中，第一切削件22也可以通过嵌入或者通过卡固的方式设置在基座1上。本领域具有通常知识者应可自行简单变化将第一切削件22设置在基座1上，本实用新型不以此为限。

实施例2：

请参阅图4，图4为本实用新型实施例2的抛光垫修整装置的立体分解图。本实用新型实施例提供一种抛光垫修整装置Z，其包括:一基座1以及多个修整组件2。每一个修整组件2包括 一设置在基座1上的承载组件21以及一设置在承载组件21上的第一切削件22，第一切削件22与承载组件21的间形成一排屑通道g。

承接上述，基座1上具有多个容置凹槽11，且多个修整组件2分别设置在多个容置凹槽11内。举例来说，修整组件2可以用卡合、黏合、卡固、嵌入、黏贴、螺设等不同方式让修整组件2设置于容置凹槽11之中。因此，每一个修整组件2可拆卸地设置在相对应的容置凹槽11内。附带一提，修整组件2可以成对的设置在基座1上，以保持整个基座1的平衡，避免高速旋转时所产生的震动。

请参阅图5，图5为本实用新型实施例2的修整组件的立体图。每一个修整组件2包括承载组件21以及第一切削件22。承载组件21具有一第一凸部211以及一与第一凸部211彼此分离的第二凸部212，且排屑通道g设置在第一凸部211以及第二凸部212之间。并且，第一切削件22跨设于排屑通道g上，且设置于第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第一切削件22还可以设计成可拆卸地设置在承载组件21上。详言之，第一切削件22的顶端的前缘处具有一刀刃部K，刀刃部K具有一朝向所述顶端的方向延伸的第一后刀面221以及一朝向承载组件21方向延伸的第一前刀面222。其中第一后刀面221会与抛光垫E接触，且通过第一前刀面222切削移除抛光垫E上的材料。藉此，第一前刀面222整面移除抛光垫E上的材料使得抛光垫E更平坦，且切削后的材料可以通过排屑通道g排出。附带一提，第一切削件22的长度D1可以为1毫米(mm)～20毫米(mm)之间，且刀刃部K的长度可以与第一切削件22的长度完全相同，或者小 于第一切削件22，本实用新型并不以此为限制。并且，第一切削件22的刀刃部K的材料可以选用为单晶钻石、聚晶钻石(Polycrystalline Diamond,PCD)、CVD钻石(chemical vapor deposition diamond(化学气相沈积钻石法))、硬质合金切削件结合镀CVD钻石膜、(PCD)聚晶钻石切削件结合镀CVD钻石膜、陶瓷材料结合镀CVD钻石膜或者其它材料镀CVD钻石，本实用新型并不以此为限制。

须特别说明的是，于本实施例中的第一切削件的刀刃部K设计如图2B所示的结构，具有角度介于0度至15度之间或1度至15度之间的逃让角θ2。然而，于其它实施例中第一切削件22的刀刃部K的设计可以如图2A或图2C所示，或者是第一切削件22的刀刃部K也可以设计为具有如2D所示的倒角R结构，本领域具有通常知识者应可依实际情况自行变化，在此不再多加赘述。

接续上述，修整组件2可以有多种不同的变化态样以提升切削移除抛光垫E上材料的效率，以及增加抛光垫修整装置的应用广度。举例来说，请一并配合图5，并参阅图6、图7以及图8，图6为本实用新型实施例2的修整组件具有一个第一前刀面的侧视图。图7为本实用新型实施例2的修整组件具有两个第一前刀面的侧视图。图8为本实用新型实施例2的修整组件具有第一前刀面以及第一抵靠部的侧视图。

如图6所示，第一切削件22具有一个刀刃部K，且刀刃部K上具有一第一前刀面222，且第一前刀面222由刀刃部K的顶端延伸至承载组件21上。同样地，图6所示的实施例中的第一切削件22具有角度介于0度至15度之间的逃让角θ2。于其它实 施例中，第一切削件22也可以设计成不具有逃让角θ2，或者第一切削件22的刀刃部K可以设计具有半径介于0.01～300微米的倒角R结构。本实用新型对于第一切削件22的设计可有任意变化，于此不再多加赘述。

如图7所示，第一切削件22具有两个刀刃部K，且每一个刀刃部K上都具有第一前刀面222。两个第一前刀面222分别由第一后刀面221延伸至承载组件21上。于本实施例中，两个第一前刀面222分别与承载组件21所形成的角度θ3相同。于其它实施例中，两个第一前刀面222分别与承载组件21所形成的角度θ3也可以有所不同。

如图8所示，修整组件2上只有一个第一切削件22，且第一切削件22具有一第一前刀面222。以图8的实施例而言，定位结构可形成在修整组件2上，进一步来说，定位结构可形成在第一切削件22上，以下以定位结构为第一抵靠部223进行说明。详细来说，第一切削件22的顶端具有至少一第一抵靠部223(定位结构)，且至少一第一抵靠部223与至少一第一前刀面222彼此相连，且第一抵靠部223的高度低于或等于刀刃部K的高度。再者，第一抵靠部223连接于第一后刀面221与第一前刀面222之间。附带一提，图8所示的第一切削件22上也可以如同图7所示的第一切削件22般具有两个第一前刀面222，且两个第一前刀面222都各别具有第一抵靠部223，其可结合图4以及图5以完成，于此不再多加赘述。图8所示的实施例中的第一切削件22还可以设计具有角度介于0度至15度之间的逃让角θ2。或者，第一切削件22的刀刃部K可以设计具有半径介于0.01～300微米的倒角R结构。本实用新型对于第一切削件22的设计可有 任意变化，于此不再多加赘述。

实施例3：

请参阅图9以及图10，图9为本实用新型实施例3的修整组件的立体图。图10为本实用新型实施例3的修整组件的侧视图。每一个修整组件2还包括一第二切削件23，且第二切削件23与第一切削件22彼此相邻设置。同样地，第二切削件23跨设于排屑通道g上，且设置于第一凸部211以及第二凸部212上。再者，第二切削件23也可以设计成可拆卸地设置在承载组件21上。并且，修整组件2的第一切削件22可以具有至少一第一前刀面222，第二切削件23具有至少一第二前刀面232。另外，须说明的是，在其它实施方式中也可以不用设置排屑通道g，而是直接将第一切削件22及第二切削件23设置于承载组件21上。

承接上述，于实施例3中第一切削件22与第二切削件23可以具有完全相同的结构。第二切削件23的结构可参考前述针对第一切削件22的多种态样(如图6至图8所示)。举例来说，复请参阅图7，第一切削件22的顶端具有至少一第一抵靠部223，至少一第一抵靠部223与至少一第一前刀面222彼此相连，第二切削件23的顶端具有至少一第二抵靠部233，且至少一第二抵靠部233与至少一第二前刀面232彼此相连。又或者，于其它实施例中第一切削件22与第二切削件23可以具有不相同的结构。举例来说，第一切削件22设计如图6所示而第二切削件设计如图7所示。本领域具有通常知识者可依实际上需求调整设计第一切削件22与第二切削件23的结构，本实用新型并不以此为限制。

实施例4：

请参阅图11以及图12，图11为本实用新型实施例4的修整 组件的立体图。图12为本实用新型实施例4的修整组件的其中一侧视示意图。于实施例4中，修整组件2具有一第一切削件22以及一定位结构，以图11及图12的实施例而言，定位结构可形成在修整组件2上，进一步来说，定位结构可形成在承载组件21上，以下以定位结构为定位件24进行说明。详细来说，定位件24(定位结构)的高度可低于或等于第一切削件22的高度，定位件24与第一切削件22并列设置在承载组件21上，用以控制第一切削件22相对于定位件24的高度差，并限制第一切削件22凸出定位件24的切削深度。更详细的来说，定位件24设置在第一切削件22的前方，因此当修整组件2与研磨垫接触时，定位件24会先接触研磨垫的待切削面，以压平凹凸不均的待切削面。接着，第一切削件22会进行切削定位件24所限制的高度差，藉以控制第一切削件22凸出于定位件24的切削深度。值得说明的是，在其它实施方式中，定位结构(定位件24)也可以具有一切削结构C，该切削结构C具有与第一切削件22的刀刃部K相同移除材料的效果。

接续上述，可以通过改变第一切削件22和承载组件21之间的高度与定位件24和承载组件21之间的高度以控制待切削的深度。举例来说，第一切削件22的顶端与承载组件21之间的距离为第一距离h1，定位件24的一顶面241与承载组件21之间的距离为第二距离h2，其中如图12所示，第一距离h1可大于第二距离h2。然而，于其它实施例中第一距离h1与第二距离h2可以相同或是第一距离h1略低于第二距离h2。因此，通过第一距离h1与第二距离h2之差值，第一切削件22的切削深度可以设定为该差值。第一距离h1与第二距离h2的差值可以介于0 微米至100微米(micrometer,m)之间，较佳地，第一距离h1与第二距离h2的差值可以介于20微米至50微米之间，换句话说，定位结构(定位件24或第一抵靠部223)的高度可低于第一切削件22的顶面0微米至100微米之间，或可低于第一切削件22的顶面20微米至50微米之间。附带一提，通过定位件24还可以以避免修整组件2的第一切削件22刺入抛光垫E过深，移除过多抛光垫E上的材料。另外，值得说明的是，定位件24的一顶面241可为一平面或是一弧面，本实用新型不以此为限。

另外，请先参阅图17所示，定位件24(定位结构)也可以具有一微结构层U，举例来说，微结构层U可以是一磨削微结构，，且通过定位件24上的磨削微结构与抛光垫E的待切削面接触，可以使得待切削面上多余的材料被定位件24所梳立。接着，第一切削件22将抛光垫E上被梳立的材料切除。值得说明的是，前述抵靠部223也可以具有一微结构层U，以达到上述效果。藉此，通过磨削的机制可产生犁切作用。微结构层U是一梳状结构。值得说明的是，微结构层U也可以是一呈粗糙状的微结构、呈颗粒状的微结构、呈数组状的微结构、呈锯齿型状的微结构、呈金字塔状的微结构或者是呈不规则状的微结构，本实用新型不以此为限。

本领域技术人员应理解，以上所述只是抛光垫修整装置一典型实施态样而已，本实用新型的后续应用可以在不同的实施态样上具有各种的变化。

实施例5：

举例来说，请参阅图13以及图14，图13为本实用新型实施例5的修整组件的立体图。图14为本实用新型实施例5的抛光 垫修整装置的立体组合图。如图13所示，修整组件2’具有一承载组件21’以及一设置于承载组件21’上的第一切削件22’。承载组件21’具有一平坦部213’以及一相邻于平坦部213’的第一凸部211’。平坦部213’上具有至少一锁孔214’，藉由锁孔214’用以将修整组件2’螺固于基座上。以实施例5而言，锁孔214’可包括一第一锁孔2141’、一第二锁孔2142’以及一第三锁孔2143’。藉此，使得承载组件21’具有并列的第一锁孔2141’、一第二锁孔2142’以及一第三锁孔2143’，以用以将第一切削件22’固设在基座1’上。举例来说，可先利用一固定件(螺锁件)穿过第二锁孔2142’后将第一切削件22’固设在基座1’上。接着，再利用另外两个固定件穿过第一锁孔2141’及第三锁孔2143’，以调整第一切削件22’的水平高度。须说名的是，每一个设置于基座1’上的第一切削件22’优选为保持在同一水平高度上。另外，第一切削件22’设置于第一凸部211’上，第一切削件22’具有一刀刃部K’设计成一半径介于10～100毫米(millimeter，mm)之间的圆弧边缘T。刀刃部K’具有第一后刀面221’以及第一前刀面222’，且第一后刀面221’与第二前刀面222’连接以形成一弧形刀刃部K。通过第一后刀面221’与抛光垫E的待切削面接触，第二前刀面222’可以切削多余的材料，且切削可以顺着第一凸部211’上的一斜切面215’滑移。值得一提的是，第二前刀面222’与斜切面215’可以具有相同的斜率并相互连接。又或者，第二前刀面222’与斜切面215’可以具有不同的斜率。其中承载组件21’还具有一排削切面216’，排削切面216’连接于斜切面215’与第一凸部211’之间。当第一切削件22’切削抛光垫E多于材质时，藉 由排削切面216’以及斜切面215’可以辅助切削经由排削切面216’以及斜切面215’滑动排除。

请参阅图14所示，抛光垫修整装置Z’具有两两对称排列的修整组件2’，且每一个修整组件2’的前方都分别具有一定位结构，以下以定位结构为定位件3’进行说明。详细来说，以图14的实施例来说，定位件3’(定位结构)可形成在基座1’上，且定位件3’的高度可低于或等于刀刃部K’的高度。修整组件2’可通过一螺丝(图中未标号)螺固于锁孔214’内，以螺合修整组件2’与基座1’。附带一提，定位件3’与修整组件2’之间具有一预定距离，使得第一前刀面222’、斜切面215’和定位件3’之间会形成一空间。因此当第一前刀面222’所切削后的材料可以滑移至定位件3’与修整组件2’所形成的空间中，使得此预定距离类似于前述实施例中的排屑通道g。另外，值得说明的是，定位件3’(定位结构)的一顶面(图中未标号)可为一平面或一弧面。进一步来说，定位件3’的位置也非得如图式所示的设置于修整组件2’前端，在其它实施方式中定位件3”也可以设置于两个修整组件2’之间，或是将定位件3”’设置于基座1’的中间。须注意的是，定位件3’、定位件3”、定位件3”’可以择一设置或是依需求而选择性的设置。值得说明的是，在其它实施方式中，定位结构(定位件3’,3”,3”’)也可以具有一切削结构C(图14中未示出，请参阅图12所示)，该切削结构C具有与第一切削件22的刀刃部K相同的切削效果。需注意的是，定位件3’也可以设置有如同前述实施例所述的微结构层U。

实施例6：

再者，抛光垫修整装置Z上的修整组件还可以有不同的排列方式以加强加工抛光垫的效率。请参阅图15，图15为本实用新型实施例6的抛光垫修整装置的立体组合图。修整组件2可以排列成放射状的设置在基座1上，例如:顺时针或逆时针。于本实施例中，将修整组件2呈逆时针的设置于基座1上，可以使得抛光垫修整装置M于抛光垫上旋转时，通过切线运动将切屑排出。于其它实施例中，修整组件2也可以通过其它的排列方式设置在基座1上，以增加加工抛光垫时候的效率。本领域具有通常知识者可依实际上的需求调整设计修整组件2的排列方式，只要修整组件2呈现对称方式或平均分布在基座上面以避免震动即可，本实用新型并不以此为限制。

实施例7：

请参阅图16所示，图16为本实用新型实施例7的修整组件的立体图。修整组件2”具有一第一切削件22”，第一切削件22”具有一刀刃部K”、一第一后刀面221”及一第一前刀面222”，刀刃部K”、第一后刀面221”及第一前刀面222”的特征如同前述实施例所述，在此容不再赘述。值得注意的是，第一切削件22”的材质可选自金属(例如但不限于：钼(Molybdenum,Mo)、铁(Fe)或钒(Vanadium,V))、合金(例如但不限于：碳化钨(Tungsten Carbide,WC))、聚晶钻石(Polycrystalline Diamond,PCD)、陶瓷(例如但不限于：碳化硅(Silicon carbide,SiC)或氧化铝(Al₂O₃))。再者，第一切削件22”上还可设置有一薄膜层P，举例来说，该薄膜层P可以为一钻石膜，且钻石膜可以是CVD钻石、多晶钻石或奈米钻石等，本实用新型不以此为限。值得注意的是，薄膜层P也可以完全包 覆抛光垫修整装置Z或覆盖第一切削件22”，本实用新型不以薄膜层P是否完全包覆第一切削件22”或仅覆盖刀刃部K”为限。换句话说，抛光垫修整装置Z的整体外表面可以镀上一层薄膜层P。

值得说明的是，第一切削件22”还包括一平坦部224，且平坦部224上具有至少一锁孔225，通过锁孔225的设置可用以将修整组件2”螺固于基座上。以实施例7而言，锁孔225可包括一第一锁孔2251、一第二锁孔2252以及一第三锁孔2253。藉此，以用以将第一切削件22”固设在基座上，也可以调整高度水平。

本实用新型的其中一有益效果在于，本实用新型实施例所提供的抛光垫修整装置，其可通过“所述定位结构(第一抵靠部223、定位件24或定位件3’)形成在所述切削件(第一切削件22或第二切削件23)上或所述基座(1,1’)上，其中所述定位结构的高度低于或等于所述切削件的刀刃部(k,K’,K”)的高度＂的技术手段，可以将抛光垫E上多余的材料切削而不会产生隆起，使得抛光垫E的抛光面能够较为平坦，以有效控制抛光垫E的表面粗糙度。

【符号说明】

抛光垫修整Q、Z、Z’

装置

基座 1、1’ 容置凹槽 11

修整组件 2、2’、 承载组件 21、21’2”

第一凸部211 211、211’

第二凸部212 212

平坦部 213’

锁孔 214’

第一锁孔 2141’

第二锁孔 2142’

第三锁孔 2143’

斜切面 215’

第一切削件 22、22’、22”

第一后刀面 221、221’、221”

第一前刀面 222、222’、222”

第一抵靠部 223

平坦部 224

锁孔 225

第一锁孔 2251

第二锁孔 2252

第三锁孔 2253

第二切削件 23

第二后刀面 231

第二前刀面 232

第二抵靠部 233

定位件 24

顶面 241

定位件 3’, 3”,3”’

刀刃部 K、K’、K”

薄膜层 P

长度 D1

排屑通道 g

正斜角 θ1

逃让角 θ2

角度 θ3

第一距离 h1

第二距离 h2

磨粒 d

抛光垫 E

倒角 R

圆弧边缘 T

切削结构 C

微结构层 U

以上所述仅为本实用新型的较佳可行实施例，非因此局限本实用新型的专利范围，故举凡运用本实用新型说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本实用新型的保护范围内。

Claims (31)

1.一种抛光垫修整装置，其特征在于包括：

一基座；

至少一切削件，所述切削件设置在所述基座上；以及

至少一定位件，所述定位件设置在所述基座上，并且凸出于所述基座的上表面。

2.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中所述定位件的高度低于或等于所述切削件的高度。

3.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件的一顶端具有一刀刃部以及一抵靠部，所述刀刃部位于所述顶端的一前缘处，所述抵靠部与所述刀刃部相邻且并列延伸。

4.根据权利要求3所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抵靠部为一平面或一弧面。

5.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位件的一顶面为一平面或一弧面。

6.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃让角，所述正斜角介于0度至60度之间，所述逃让角介于0度至15度之间。

7.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件为片状。

8.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件还具有一排屑通道。

9.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述基座具有至少一容置凹槽，用于容置所述切削件。

10.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件设置于一承载组件上，所述承载组件用以固设在所述基座上，所述承载组件具有并列的一第一锁孔、一第二锁孔以及一第三锁孔。

11.根据权利要求3所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述刀刃部的材料可以选自单晶钻石、聚晶钻石、CVD钻石、硬质合金切削件结合镀CVD钻石膜、聚晶钻石切削件结合镀CVD钻石膜或者陶瓷材料结合镀CVD钻石膜。

12.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位件的高度低于所述切削件的一刀刃部10微米至100微米。

13.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件上设置有一钻石膜。

14.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位件具有一微结构层。

15.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位件具有一切削结构。

16.根据权利要求1所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抛光垫修整装置的表面设置有一钻石膜。

17.一种抛光垫修整装置，其特征在于包括：

一基座；以及

至少一切削件，所述切削件设置在所述基座上，所述切削件 的一顶端具有一刀刃部以及一抵靠部。

18.根据权利要求17所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抵靠部的高度低于或等于所述刀刃部的高度。

19.根据权利要求17所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抵靠部与所述刀刃部相邻且并列延伸，且所述抵靠部为一平面或一弧面。

20.根据权利要求17所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃让角，所述正斜角介于0度至60度之间，所述逃让角介于0度至15度之间。

21.根据权利要求17所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抵靠部具有一微结构层。

22.根据权利要求17所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抛光垫修整装置的表面设置有一钻石膜。

23.一种抛光垫修整装置，其特征在于包括：

一基座；

至少一切削件，所述切削件设置在所述基座上，其中所述切削件具有一刀刃部；以及

至少一定位结构，所述定位结构形成在所述切削件上或所述基座上，其中所述定位结构的高度低于或等于所述刀刃部的高度。

24.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位结构的高度低于或等于所述刀刃部的高度。

25.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位结构具有一微结构层。

26.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位结构具有一切削结构。

27.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述定位结构的一顶面为一平面或一弧面。

28.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件具有一正斜角以及一逃让角，所述正斜角介于0度至60度之间，所述逃让角介于0度至15度之间。

29.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件的材料可以选自单晶钻石、聚晶钻石、CVD钻石、硬质合金切削件结合镀CVD钻石膜、聚晶钻石切削件结合镀CVD钻石膜或者陶瓷材料结合镀CVD钻石膜。

30.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述切削件上设置有一钻石膜。

31.根据权利要求23所述的一种抛光垫修整装置，其特征在于其中，所述抛光垫修整装置的表面设置有一钻石膜。