CN206052137U - 一种膜厚可调的镀膜装置 - Google Patents

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范辛
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Abstract

本实用新型涉及真空镀膜技术领域,尤其为一种膜厚可调的镀膜装置,包括壳体、基片架、导电棒和蒸发源,所述壳体内腔中部固定设置有基片架,所述基片架从上到下贯通开设有若干个置片槽,所述基片架在开设有置片槽的表面对称设有两个导电棒,且所述导电棒下端固定连接有滑块,所述滑块滑动连接于滑道,所述滑道设置于壳体内腔下壁,两个所述导电棒在远离基片架一侧均设有蒸发源,该膜厚可调的镀膜装置,真空处理完成后,通过操作导电棒可以使滑块与滑道配合来调整导电棒到基片的距离,而且通过温度探测头和外部显示器的配合,可以调整蒸发源的蒸发速率和时间,从而来达到调控薄膜厚度的作用,操作简单方便。

Description

一种膜厚可调的镀膜装置
技术领域
本实用新型涉及真空镀膜技术领域,具体为一种膜厚可调的镀膜装置。
背景技术
通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面,称为蒸发镀膜,现代已成为常用镀膜技术之一,待系统抽至高真空后,加热使其中的物质蒸发,蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。
薄膜厚度可由至数微米,膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间,并与导电棒和基片的距离有关,目前的问题是在现有技术中很难调控这几个方面来达到调整波膜厚度的效果。
实用新型内容
本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷,提供一种膜厚可调的镀膜装置。所述真空蒸发镀膜装置具有调控精准、操作简便等特点。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种膜厚可调的镀膜装置,包括壳体、基片架、导电棒和蒸发源,所述壳体内腔中部固定设置有基片架,所述基片架从上到下贯通开设有若干个置片槽,所述基片架在开设有置片槽的表面对称设有两个导电棒,且所述导电棒下端固定连接有滑块,所述滑块滑动连接于滑道,所述滑道设置于壳体内腔下壁,两个所述导电棒在远离基片架一侧均设有蒸发源,且所述蒸发源固定连接于壳体内腔下壁,两个所述蒸发源上方设置有温度探测头,且所述温度探测头固定连接于壳体侧壁上,所述壳体外侧侧壁上设有开关,且所述开关上方设置有显示屏,所述壳体上方设置有端盖,且所述端盖与壳体直接设置有密封圈,所述密封圈与壳体固定连接,且所述端盖通过卡扣与密封圈活动连接,所述壳体与开关对应的侧壁外侧设有气孔,所述导电棒和蒸发源电性连接于开关,所述温度探测头电性连接于开关和显示屏。
优选的,所述置片槽至少设有3个,且大小不一样。
优选的,所述导电棒高度和宽度均大于基片架。
优选的,所述滑道范围处于基片架与蒸发源之间。
优选的,所述显示屏上设有温度模块和时间模块。
优选的,所述气孔内设有单向阀。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该膜厚可调的镀膜装置,将基片放置在基片架的置片槽中,通过两边的导电棒发射的粒子冲击之后,接收从蒸发源处散发出的分子或者原子,从而达到镀膜的效果,操作中导电棒可以通过滑块与滑道的配合来调整其到基片的距离,而且通过温度探测头和外部显示器的配合,可以调整蒸发源的蒸发速率和时间,从而来达到调控薄膜厚度的作用;置片槽至少设有3个,且大小不一样,可以同时放置不同形状大小的基片;导电棒高度和宽度均大于基片架,可以使得导电棒中射出的粒子有效的被利用掉;滑道范围处于基片架与蒸发源之间,能够很好的调整导电棒到基片的距离;显示屏上设有温度模块和时间模块,可以清楚的得到温度和时间方面的准确数值,从而来调控蒸发源的蒸发速率和时间;气孔内设有单向阀,可以在对装置进行真空处理时达到一个很好的效果。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为本实用新型基片架示意图;
图3为本实用新型导电棒和壳体连接示意图。
图中:1壳体、2基片架、3置片槽、4导电棒、5滑块、6滑道、7蒸发源、8温度探测头、9开关、10显示屏、11端盖、12密封圈、13气孔。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1-3,本实用新型提供一种技术方案:
一种膜厚可调的镀膜装置,包括壳体1、基片架2、导电棒4和蒸发源7,壳体1内腔中部固定设置有基片架2,基片架2从上到下贯通开设有若干个置片槽3,置片槽3至少设有3个,且大小不一样,可以同时放置不同形状大小的基片,基片架2在开设有置片槽3的表面对称设有两个导电棒4,导电棒4高度和宽度均大于基片架2,可以使得导电棒4中射出的粒子有效的被利用掉,且导电棒4下端固定连接有滑块5,滑块5滑动连接于滑道6,滑道6设置于壳体1内腔下壁。
两个导电棒4在远离基片架2一侧均设有蒸发源7,且蒸发源7固定连接于壳体1内腔下壁,滑道6范围处于基片架2与蒸发源7之间,够很好的调整导电棒4到基片的距离,两个蒸发源7上方设置有温度探测头8,且温度探测头8固定连接于壳体1侧壁上,壳体1外侧侧壁上设有开关9,且开关9上方设置有显示屏10,显示屏10上设有温度模块和时间模块,可以清楚的得到温度和时间方面的准确数值,从而来调控蒸发源7的蒸发速率和时间。
壳体1上方设置有端盖11,且端盖11与壳体1直接设置有密封圈12,密封圈12与壳体1固定连接,且端盖11通过卡扣与密封圈12活动连接,壳体1与开关9对应的侧壁外侧设有气孔13,气孔13内设有单向阀,可以在对装置进行真空处理时达到一个很好的效果,导电棒4和蒸发源5电性连接于开关9,温度探测头8电性连接于开关9和显示屏10。
将基片放置在基片架2的置片槽3中,通过两边的导电棒4发射的粒子冲击之后,接收从蒸发源7处散发出的分子或者原子,从而达到镀膜的效果,操作中导电棒4可以通过滑块5与滑道6的配合来调整其到基片的距离,而且通过温度探测头8和外部显示器10的配合,来达到调控薄膜厚度的作用。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.一种膜厚可调的镀膜装置,包括壳体(1)、基片架(2)、导电棒(4)和蒸发源(7),其特征在于:所述壳体(1)内腔中部固定设置有基片架(2),所述基片架(2)从上到下贯通开设有若干个置片槽(3),所述基片架(2)在开设有置片槽(3)的表面对称设有两个导电棒(4),且所述导电棒(4)下端固定连接有滑块(5),所述滑块(5)滑动连接于滑道(6),所述滑道(6)设置于壳体(1)内腔下壁,两个所述导电棒(4)在远离基片架(2)一侧均设有蒸发源(7),且所述蒸发源(7)固定连接于壳体(1)内腔下壁,两个所述蒸发源(7)上方设置有温度探测头(8),且所述温度探测头(8)固定连接于壳体(1)侧壁上,所述壳体(1)外侧侧壁上设有开关(9),且所述开关(9)上方设置有显示屏(10),所述壳体(1)上方设置有端盖(11),且所述端盖(11)与壳体(1)之间设置有密封圈(12),所述密封圈(12)与壳体(1)固定连接,且所述端盖(11)通过卡扣与密封圈(12)活动连接,所述壳体(1)与开关(9)对应的侧壁外侧设有气孔(13),所述导电棒(4)和蒸发源(7)电性连接于开关(9),所述温度探测头(8)电性连接于开关(9)和显示屏(10)。
2.根据权利要求1所述的一种膜厚可调的镀膜装置,其特征在于:所述置片槽(3)至少设有3个,且大小不一样。
3.根据权利要求1所述的一种膜厚可调的镀膜装置,其特征在于:所述导电棒(4)高度和宽度均大于基片架(2)。
4.根据权利要求1所述的一种膜厚可调的镀膜装置,其特征在于:所述滑道(6)范围处于基片架(2)与蒸发源(7)之间。
5.根据权利要求1所述的一种膜厚可调的镀膜装置,其特征在于:所述显示屏(10)上设有温度模块和时间模块。
6.根据权利要求1所述的一种膜厚可调的镀膜装置,其特征在于:所述气孔(13)内设有单向阀。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114351105A (zh) * 2021-12-01 2022-04-15 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种真空镀膜机用多规格密封圈镀膜工装及镀膜方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN114351105A (zh) * 2021-12-01 2022-04-15 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种真空镀膜机用多规格密封圈镀膜工装及镀膜方法
CN114351105B (zh) * 2021-12-01 2023-06-02 江苏徐工工程机械研究院有限公司 一种真空镀膜机用多规格密封圈镀膜工装及镀膜方法

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