CN206022342U - 一种旋转式基板加工处理系统 - Google Patents

Abstract

一种旋转式基板加工处理系统，包含一辅助基板、一基板承载单元、一驱动单元、一加工处理单元、一气体供应单元及一液体供应单元，该辅助基板具有一外环区域及一受该外环区域围绕的中空区域，该中空区域为一非圆形且供一非圆形基板固定，该基板承载单元包括一定义出一处理腔室的环形承载元件，包括一朝该处理腔室延伸且供该辅助基板的该外环区域靠置的凸缘以及一朝该辅助基板的一厚度方向延伸的挡墙，该驱动单元与该处理腔室连接，该加工处理单元设置于该处理腔室内，该气体供应单元和该液体供应单元分别提供一气体和一化学药剂至该处理腔室。

Description

一种旋转式基板加工处理系统

技术领域

本实用新型为涉及一种旋转式基板加工处理系统，尤指一种针对非圆形基板进行处理的旋转式基板加工处理系统。

背景技术

一般来说，半导体晶圆在工艺中需经过多道的工艺步骤才可完成，例如加工工艺、封装工艺及测试工艺等等，其中以加工工艺来说，半导体晶圆需通过承载件来支撑，以防加工过程中的半导体晶圆因碰撞而造成刮伤或损坏。

如中国台湾实用新型专利公告第421294号，提出一种快速升温系统的晶圆热处理支持治具，该快速升温系统适用于对一晶圆进行快速加热工艺，且具有一用以使该晶圆于加热工艺中旋转的旋转座，该晶圆热处理支持治具包括一支持部以及一放置部，该支持部设置于该旋转座上，且实质上为一中空圆筒，该放置部实质上为一中空环且内接于该支持部内周，且与该支持部一体成型，用以放置该晶圆。

在上述现有技术中，传统的该晶圆热处理支持治具大部分是以符合圆形晶圆的形状来设计，因此，当以非圆形晶圆进行湿式旋转加工时，该晶圆热处理支持治具在设备高速旋转情况下，将无法稳定的承载非圆形晶圆而使待加工晶圆脱离承载治具，造成晶圆受到刮伤或毁损，如此不仅提高成本，也会造成工艺停摆，另外非圆形晶圆在湿式旋转加工过程也会使化学液体不规则喷溅于工艺腔体，同时造成化学液体回溅，如此会增加工艺腔体的清洗干燥的时间以及晶圆加工的时间，实有待改进之处。

实用新型内容

本实用新型的主要目的，在于提供一种旋转式基板加工处理系统，以解决现有技术中晶圆处理支持治具在湿式旋转加工工艺中无法稳定承载非圆形晶圆且非圆形晶圆在加工过程会造成化学液体以不规则喷溅和回溅的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供一种旋转式基板加工处理系统，是针对一非圆形基板进行处理，该旋转式基板加工处理系统包含一辅助基板、一基板承载单元、一驱动单元、一加工处理单元、一气体供应单元以及一液体供应单元，该辅助基板供该非圆形基板设置，具有一外环区域以及一受该外环区域围绕的中空区域，该中空区域为一非圆形且固定该非圆形基板，该基板承载单元包括一环形承载元件，该环形承载元件为定义出一处理腔室，且该环形承载元件包括一朝该处理腔室延伸且供该辅助基板的该外环区域靠置的凸缘以及一朝该辅助基板的一厚度方向延伸的挡墙，该驱动单元与该处理腔室连接，且包含一驱动该处理腔室转动的转动轴，该加工处理单元设置于该处理腔室内，且包含一位于该非圆形基板的一待加工区域一侧的工作平台、多个设置于该工作平台上的出气孔洞以及多个设置于该工作平台上的出液孔洞，该气体供应单元提供一气体至该处理腔室以使该非圆形基板与该工作平台相隔一间距，且与多个该出气孔洞相互连接，该液体供应单元提供一化学药剂至该处理腔室以与该非圆形基板的该待加工区域接触，且与多个该出液孔洞相互连接。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，更包含一过程控制单元，该过程控制单元分别与该驱动单元、该气体供应单元以及该液体供应单元电性连接。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，更包含一外壳体单元，该基板承载单元以及该加工处理单元设置于该外壳体单元内。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，更包含一与该外壳体单元相互连接的液体回收单元。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，更包含一与该加工处理单元连接的加热单元。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，更包含一与该加工处理单元相互连接的作动驱动单元。

本实用新型所述的旋转式基板加工处理系统，其中，该外环区域的一外缘为一圆形。

由以上可知，本实用新型相较于现有技术可达到的有益效果在于，本实用新型将该非圆形基板设置于该辅助基板的该中空区域，由于该外环区域的形状相对应该基板承载单元的该环形承载元件的形状且彼此为圆形，因此该基板承载单元可稳定地承载载有该非圆形基板的该辅助基板，以使该非圆形基板进行湿式旋转加工。另一方面，载有该非圆形基板的该辅助基板是类似圆形晶圆，因此，化学液体会以规则性的方向喷溅且防止化学液体回溅产生，而达到降低工艺腔体清洗干燥的时间以及晶圆加工的时间。

附图说明

图1A为本实用新型一实施例的旋转式基板加工处理系统示意图。

图1B为图1A的局部放大示意图。

图2A为本实用新型第一实施例，该非圆形基板和该辅助基板的俯视示意图。

图2B为本实用新型第二实施例，该非圆形基板和该辅助基板的俯视示意图。

图2C为本实用新型第三实施例，该非圆形基板和该辅助基板的俯视示意图。

图3为本实用新型一实施例的该出气孔洞的分布结构示意图。

图4为本实用新型一实施例的该出液孔洞的分布结构示意图。

图5为本实用新型另一较佳实施例的结构示意图。

其中，附图标记：

非圆形基板 1

基板承载单元 10

环形承载元件 11

凸缘 111

挡墙 112

处理腔室 12

辅助基板 2

外环区域 2a

中空区域 2b

驱动单元 20

转动轴 21

加工处理单元 30

工作平台 31

出气孔洞 32

出液孔洞 33

气体供应单元 40

液体供应单元 50

过程控制单元 60

液体回收单元 70

加热单元 80

作动驱动单元 90

外壳体单元 100

上加工处理单元 110

气体 A

化学药剂 B

间距 X

具体实施方式

涉及本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合附图说明如下：

请搭配参阅图1A及图1B所示，分别为本实用新型一实施例的旋转式基板加工处理系统示意图以及图1A的局部放大示意图，本实用新型为一种旋转式基板加工处理系统，是针对一非圆形基板1进行处理，该旋转式基板加工处理系统包含一辅助基板2、一基板承载单元10、一驱动单元20、一加工处理单元30、一气体供应单元40以及一液体供应单元50，该非圆形基板1设置于该辅助基板2，该辅助基板2具有一外环区域2a以及一受该外环区域2a围绕的中空区域2b，该中空区域2b为一非圆形且固定该非圆形基板1，该基板承载单元10包括一环形承载元件11，该环形承载元件11为定义出一处理腔室12，且该环形承载元件11包括一朝该处理腔室12延伸且供该辅助基板2的该外环区域2a靠置的凸缘111以及一朝该辅助基板2的一厚度方向延伸的挡墙112。该驱动单元20与该处理腔室12连接，且包含一驱动该处理腔室12转动的转动轴21。该加工处理单元30设置于该处理腔室12内，且包含一位于该非圆形基板1的一待加工区域一侧的工作平台31、多个设置于该工作平台31上的出气孔洞32以及多个设置于该工作平台31上的出液孔洞33，该气体供应单元40与该多个出气孔洞32相互连接，该液体供应单元50与该多个出液孔洞33相互连接。

请搭配参阅图2A至图2C所示，分别为本实用新型第一实施例、第二实施例以及第三实施例该非圆形基板和该辅助基板的俯视示意图，该非圆形基板1的形状可为矩形、三角形、六角形或其他多边形，该辅助基板2的该外环区域2a的一外缘为一圆形，且与该基板承载单元10的该环形承载元件11的形状相对应，而该中空区域2b为一非圆形且至少可容置相对应形状的该非圆形基板1，不以本实用新型的举例为限，只要是非圆形的基板皆可为该非圆形基板1。其中，该辅助基板2固定该非圆形基板1的方式可为自该外环区域2a往该中空区域2b的方向凸设一双面夹持件或一单面承载件，或者通过一黏结剂将彼此黏合，又或者以上述的方法组合。

请搭配参阅图3及图4所示，该多个出气孔洞32均匀散布于该工作平台31上，当该气体供应单元40提供一气体A至该处理腔室12时，该气体A能通过该多个出气孔洞32均匀的与该非圆形基板1和该辅助基板2接触，进而使该非圆形基板1能够稳定的以非接触的方式设置于该工作平台31上，避免在湿式蚀刻工艺时因为该非圆形基板1的不稳定偏移而产生的反应不均匀，且该非圆形基板1与该工作平台31相隔一间距X；该多个出液孔洞33也均匀分散设置于该工作平台31上，当该液体供应单元50提供一化学药剂B至该处理腔室12时，该化学药剂B与该非圆形基板1的该待加工区域接触，如此可使该液体供应单元50所提供的该化学药剂B通过该多个出液孔洞33喷出后能够均匀的散布于该非圆形基板1的该待加工区域上，更进一步提升该非圆形基板1在进行湿式蚀刻反应时的均匀程度。

请再参阅图1A及图1B所示，在本实用新型中，该旋转式基板加工处理系统更包括一过程控制单元60、一液体回收单元70、一加热单元80、一作动驱动单元90以及一外壳体单元100，该过程控制单元60分别与该驱动单元20、该气体供应单元40、该液体供应单元50、该加热单元80以及该作动驱动单元90电性连接，通过控制该非圆形基板1在进行湿式蚀刻工艺时的各种参数，例如通过该过程控制单元60能够控制该气体供应单元40以及该液体供应单元50所提供的该气体A以及该化学药剂B喷出时的流速、控制该驱动单元20的该转动轴21的转动速度以及控制该作动驱动单元90以调整该工作平台31与该非圆形基板1之间的距离。该液体回收单元70与该外壳体单元100相互连接，由此回收湿式蚀刻工艺反应中所使用的该化学药剂B，进而使得在同一该非圆形基板1进行湿式蚀刻时，该化学药剂B能够重复利用，不仅降低了工艺成本，更达到节能环保的目的，在本实施例中，更可通过该过程控制单元60监控该液体回收单元70中该化学药剂B的状态。该加热单元80与该加工处理单元30连接以对该非圆形基板1进行加热，由此进一步提供该非圆形基板1在进行湿式蚀刻时的条件控制。该基板承载单元10以及该加工处理单元30均设置于该外壳体单元100内，当该基板承载单元10转动时所喷出的该化学药剂B，由该外壳体单元100挡下并留在该外壳体单元100内。

请搭配参阅图5所示，为本实用新型另一较佳实施例的结构示意图，该旋转式基板加工处理系统更包含一设置于该非圆形基板1远离该加工处理单元30的一侧的上加工处理单元110，通过该加工处理单元30以及该上加工处理单元110设置于该非圆形基板1两侧的搭配设置，能够针对该非圆形基板1的两侧清洗、加热等加工处理。

综上所述，由于该外环区域的形状相对应该基板承载单元的该环形承载元件的形状且彼此为圆形，且该非圆形基板设置于该辅助基板的该中空区域，故该基板承载单元可稳定地承载载有该非圆形基板的该辅助基板，且使该非圆形基板进行湿式旋转加工。另一方面，载有该非圆形基板的该辅助基板是类似圆形晶圆，因此，化学液体会以规则性的方向喷溅且防止化学液体回溅产生，而达到降低制程腔体清洗干燥的时间以及晶圆加工的时间。

当然，本实用新型还可有其它多种实施例，在不背离本实用新型精神及其实质的情况下，熟悉本实用新型的技术人员可根据本实用新型作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种旋转式基板加工处理系统，是针对一非圆形基板进行处理，其特征在于，该旋转式基板加工处理系统包含：

一供该非圆形基板设置的辅助基板，该辅助基板具有一外环区域以及一受该外环区域围绕的中空区域，该中空区域为一非圆形且固定该非圆形基板；

一基板承载单元，包括一环形承载元件，该环形承载元件为定义出一处理腔室，且该环形承载元件包括一朝该处理腔室延伸且供该辅助基板的该外环区域靠置的凸缘以及一朝该辅助基板的一厚度方向延伸的挡墙；

一与该处理腔室连接的驱动单元，该驱动单元包含一驱动该处理腔室转动的转动轴；

一设置于该处理腔室内的加工处理单元，该加工处理单元包含一位于该非圆形基板的一待加工区域一侧的工作平台、多个设置于该工作平台上的出气孔洞以及多个设置于该工作平台上的出液孔洞；

一提供一气体至该处理腔室以使该非圆形基板与该工作平台相隔一间距的气体供应单元，该气体供应单元与多个该出气孔洞相互连接；以及

一提供一化学药剂至该处理腔室以与该非圆形基板的该待加工区域接触的液体供应单元，该液体供应单元与多个该出液孔洞相互连接。

2.根据权利要求1所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，更包含一过程控制单元，该过程控制单元分别与该驱动单元、该气体供应单元以及该液体供应单元电性连接。

3.根据权利要求1所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，更包含一外壳体单元，该基板承载单元以及该加工处理单元设置于该外壳体单元内。

4.根据权利要求3所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，更包含一与该外壳体单元相互连接的液体回收单元。

5.根据权利要求1所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，更包含一与该加工处理单元连接的加热单元。

6.根据权利要求1所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，更包含一与该加工处理单元相互连接的作动驱动单元。

7.根据权利要求1所述的旋转式基板加工处理系统，其特征在于，该外环区域的一外缘为一圆形。