CN206020922U - 一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模上的框架、与框架端部连接的保护薄膜,所述框架上设置有气体通道。本实用新型的保护膜的设计是在保护膜的金属框架上制作气体通道,让洁净的气体对光掩模和保护膜所围成的空间进行吹扫,使得该空间中的被深紫外光子激发的小分子物质被这些气体吹扫出该空间,或通过辅助设备(真空泵等)将小分子物质从气体通道中抽吸出去,从而避免这些小分子物质在光掩模表面集聚形成Haze,可有效提高光掩模使用寿命,结构设计合理,方便实用,适宜进一步推广应用。

Description

一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜
技术领域
本实用新型涉及光掩模用保护膜的结构设计技术领域,更具体地说,涉及一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜。
背景技术
雾状颗粒(Haze)是造成半导体领域光刻工艺成品率下降的一个主要因素,特别是进入193nm光刻技术节点后,Haze越发严重。Haze的成因主要是由于光刻工艺中所用的深紫外光的光子会激发光掩模和保护膜中的化学成分形成各种挥发性小分子物质,这些小分子物质继而会在光掩模和保护膜形成的空间内表面集聚形成颗粒,这种在光掩模图形表面的Haze会造成光刻工艺成品率下降,并直接造成生产成本的增加。上述挥发出的小分子可能是从光掩模中产生,也可能从保护膜中产生,近年来,本领域技术人员一直在努力降低这些小分子物质的产生,采用的方法有以下几种:第一,提升光掩模的清洗工艺使得清洗后的残留物质最少化;第二,改进保护膜所用的材料或生产工艺;第三,减少保护膜泄漏挥发性小分子物质。通过上述方法的实施并逐步改进,光掩模的清洗工艺以及保护膜的生产工艺得到了较大的提升,但由于各种相对限制的原因,Haze还是会产生并严重影响光刻工艺成品率。针对这一问题,开发一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:为克服上述背景技术中提到的技术问题,现提供一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:框架、与框架端部连接的保护薄膜,所述框架上设置有气体通道。
进一步,本实用新型的技术方案中所述气体通道包括:进气口和出气口,进气口和出气口内均设置有颗粒过滤膜。
进一步优选,本实用新型的上述技术方案中所述进气口和出气口分别设置在框架不同侧或同侧。
进一步优选,本实用新型的上述技术方案中所述进气口的数量为一个、两个或多个,出气口的数量为一个、两个或多个;所述进气口的口径为统一大小或为不统一大小,出气口的口径为统一大小或为不统一大小。
进一步,本实用新型的技术方案中所述框架为金属材料制成的架体;框架的上下端分别和保护薄膜、光掩模通过粘结剂粘接。
进一步,本实用新型的技术方案中所述气体通道为出气口。
有益效果:与现有技术相比,本实用新型的保护膜的设计是在保护膜的金属框架上制作气体通道,让氮气、氦气、氩气等洁净的气体可以对光掩模和保护膜所围成的空间进行吹扫,使得该空间中的被深紫外光子激发的小分子物质被这些气体吹扫出该空间;或通过辅助设备(真空泵等)将小分子物质从气体通道中抽吸出去,从而避免这些小分子物质在光掩模表面集聚形成Haze,可有效提高光掩模使用寿命,结构设计合理,方便实用,适宜进一步推广应用。
附图说明
下面将对实施例描述中所需要使用的附图做简单地介绍。
图1是实施例一的结构示意图;
图2是实施例二的框架2结构示意图;
图3是实施例三的框架2结构示意图;
图4是实施例四的框架2结构示意图;
图5是实施例五的框架2结构示意图;
图6是实施例六的框架2结构示意图;
图中,1.光掩模,2.框架,21.进气口,22.出气口,3.保护薄膜,4.颗粒过滤膜,5.气压表,6.流量计,7.真空泵组件,8.温度控制器,9.超细过滤膜。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型进一步说明,下面实施例所表示的构成的全部内容不限于作为权利要求所记载的实用新型的解决方案所必须的。
实施例一
如附图1所示的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模1上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有包括进气口21和出气口22的气体通道,框架2为金属材料制成的四边形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接;
所述进气口21和出气口22分别对称设置在框架2两侧,进气口21和出气口22的数量均为一个,进气口21口径和出气口22口径相同,进气口21上连接有进气管道接口,出气口22上连接有出气管道接口,进气口21和出气口22均设置有颗粒过滤膜4,用以保证外界纳米级灰尘等小颗粒不会进入保护薄膜3和光掩模1之间,及保护薄膜3和光掩模1之间的二氧化碳、二氧化硫等较小尺寸级分子的吹滤出;进气口21进气为不吸收深紫外光(波长大于190nm)的单组份惰性高纯氮气,进气管道接口和出气管道接口均设置有气压表5和流量计6。
实施例二
一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有包括进气口21和出气口22的气体通道,框架2为金属材料制成的四边形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接;如附图2所示的框架2结构中,所述进气口21和出气口22设置在框架2同侧,进气口21的数量为一个,出气口22的数量为两个,进气口21设置在出气口22的中心位置,进气口21口径是出气口22口径之和,两出气口22等高且口径相同,进气口21高度设置比出气口22高,进气口21上连接有进气管道接口,出气口22上连接有出气管道接口,进气口21和出气口22均设置有颗粒过滤膜4,进气口21进气为不吸收深紫外光(波长大于190nm)的双组份惰性氩气和高纯氮气按体积比1:1形成的混合物,进气管道接口和出气管道接口均设置有气压表5和流量计6。
实施例三
一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模1上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有包括进气口21和出气口22的气体通道,框架2为金属材料制成的长方形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接;如附图3所示的框架2俯视图,所述框架2包括依次连接的:前侧、左侧、后侧和右侧,两个进气口21分别设置在框架2前侧中心、左侧中心,两个出气口22分别设置在框架2后侧中心和右侧中心,两进气口21口径相同,两出气口22口径相同,单个出气口22口径是单个进气口21口径1.2倍;进气口21上连接有进气管道接口,出气口22上连接有出气管道接口,进气口21和出气口22均设置有颗粒过滤膜4,进气口21进气为不吸收深紫外光(波长大于190nm)的双组份惰性氩气和氦气按体积比1:1形成的混合物,进气管道接口和出气管道接口均设置有气压表5和流量计6。
实施例四
一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模1上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有包括进气口21和出气口22的气体通道,框架2为金属材料制成的正四边形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接;如附图4所示,框架2包括依次连接的:前侧、左侧、后侧和右侧,进气口21数量为一个,出气口22数量为三个,进气口21设置在框架2前侧中心中心,三个出气口22分别设置在框架2左侧中心、后侧中心和右侧中心,进气口21口径是出气口口径1.5倍,三个出气口22口径相同;进气口21上连接有进气管道接口,出气口22上连接有出气管道接口,进气口21和出气口22均设置有颗粒过滤膜4,进气口21进气为不吸收深紫外光(波长大于190nm)的双组份惰性氮气和氦气按体积比1:1.2形成的混合物,进气管道接口和出气管道接口均设置有气压表5和流量计6。
实施例五
参照附图5所示的框架2的俯视图,一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模1上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有气体通道,所述气体通道为出气口22和设置在出气管道接口上的真空泵组件7;框架2为金属材料制成的正四边形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接。
实施例六
一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,该保护膜包括:连接在光掩模1上的框架2、与框架2端部连接的保护薄膜3,框架2上设置有包括进气口21和出气口22的气体通道,框架2为金属材料制成的正四边形架体,框架2的上下端分别和保护薄膜3、光掩模1通过粘结剂粘接;如附图6所示,所述框架2包括依次连接的:前侧、左侧、后侧和右侧,进气口21数量为一个,出气口22数量为三个,进气口21设置在框架2前侧中心中心,三个出气口22分别设置在框架2左侧中心、后侧中心和右侧中心,进气口21口径是出气口22口径1.5倍,三个出气口22口径相同;进气口21上连接有进气管道接口,出气口22上连接有出气管道接口,进气口21和出气口22均设置有颗粒过滤膜4,进气口21进气为不吸收深紫外光(波长大于190nm)的双组份惰性氮气和氦气按体积比1:1.2形成的混合物,进气管道接口上设置有气压表5、气体流量计6、温度控制器8和气体洁净度控制器超细过滤膜9,出气管道接口上设置有真空度控制器真空泵组件7。
上述六个实施例的技术方案抓住了Haze形成的关键条件,也就是Haze的形成需要有足够浓度的小分子集聚在光掩模表面,通过降低空间的小分子物质浓度,从而避免Haze的产生;利用洁净气体的连续吹扫可以不断将光刻过程中产生的小分子物质吹扫出该空间或通过真空组件将小分子物质抽出该空间,使得在该空间的小分子浓度一直低于Haze生成的浓度,从而避免Haze的产生。这种方法一方面可以避免Haze的产生,减少由于光刻工艺成品率下降造成的生产成本增加,同时也可以降低光掩模清洗工艺要求和保护膜生产工艺要求从而降低光掩模的制造成本,方便实用,适宜进一步推广应用。
对所公开的实施例的上述说明,使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的,本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下,在其它实施例中实现。因此,本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例,而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (6)

1.一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:该保护膜包括:连接在光掩模上的框架、与框架端部连接的保护薄膜,所述框架上设置有气体通道。
2.根据权利要求1所述的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:所述气体通道包括:进气口和出气口,进气口和出气口内均设置有颗粒过滤膜。
3.根据权利要求1所述的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:所述气体通道为出气口。
4.根据权利要求2所述的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:所述进气口和出气口设置在框架不同侧或框架同侧。
5.根据权利要求4所述的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:所述进气口的数量为一个、两个或多个,出气口的数量为一个、两个或多个。
6.根据权利要求4所述的一种避免光掩模长雾状颗粒的新型保护膜,其特征是:所述进气口的口径为统一大小或为不统一大小,出气口的口径为统一大小或为不统一大小。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108508696A (zh) * 2018-03-28 2018-09-07 德淮半导体有限公司 掩膜版以及曝光方法
CN114200772A (zh) * 2021-12-30 2022-03-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光掩模板

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7655363B2 (en) * 2006-04-28 2010-02-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for solving mask precipitated defect issue
JP4802937B2 (ja) * 2006-08-24 2011-10-26 大日本印刷株式会社 フォトマスクの洗浄方法
JP2011113033A (ja) * 2009-11-30 2011-06-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd ペリクル膜の製造方法および装置
TW201308425A (zh) * 2011-08-05 2013-02-16 Tian-Xing Huang 光罩淨化裝置及光罩淨化方法
CN202794840U (zh) * 2012-10-11 2013-03-13 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 用于光掩膜版的防尘保护装置
TWM505053U (zh) * 2015-04-17 2015-07-11 Micro Lithography Inc 光罩防塵框架結構

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108508696A (zh) * 2018-03-28 2018-09-07 德淮半导体有限公司 掩膜版以及曝光方法
CN114200772A (zh) * 2021-12-30 2022-03-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 光掩模板

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