CN205961565U - 一种改善蚀刻水池效应的pcb板结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构，该PCB板上包括至少4个SET位，相邻的SET位之间间距为1.5‑2.0mm，所述PCB板上设有若干位于相邻的SET位之间的通孔，所述通孔直径为1.0mm，所述相邻的通孔之间的间距为25‑35mm。该改善蚀刻水池效应的PCB板结构，通过在SET位与SET位之间增设通孔，在蚀刻过程中增大PCB板板面的药水交换量，减少板面蚀刻药水“水池效应”，提升了蚀刻线上PCB板板面蚀刻线路能力。
Description
技术领域
本实用新型涉及PCB板技术领域，具体涉及一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构。
背景技术
在PCB板制作过程中有一个蚀刻工序，主要目的是蚀刻铜制作图形。而一般蚀刻线是水平设计，蚀刻上板面(特别在板中间)通常存在蚀刻药水交换量不充分而产生“水池效应”，这种“水池效应”会影响到线路蚀刻不均匀，从而影响到上板面蚀刻线路能力。
实用新型内容
为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的是为了提供一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构。
本实用新型的目的采用以下技术方案实现：
一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构，该PCB板上包括至少4个SET位，相邻的SET位之间间距为1.5-2.0mm，所述PCB板上设有若干位于相邻的SET位之间的通孔，所述通孔直径为1.0mm，所述相邻的通孔之间的间距为25-35mm。
作为优选，所述相邻的通孔之间的间距为30mm。
作为优选，所述任意通孔离PCB板板边的间距大于50mm。
作为优选，所述通孔与相邻的SET位之间的间距为0.25-0.5mm。
作为优选，所述通孔距与之相邻的两SET位的间距相等。
作为优选，相邻的SET位之间间距为1.75mm。
相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：
本实用新型提供的改善蚀刻水池效应的PCB板结构，通过在SET位与SET位之间增设通孔，在蚀刻过程中增大PCB板板面的药水交换量，减少板面蚀刻药水“水池效应”，提升了蚀刻线上PCB板板面蚀刻线路能力。
附图说明
图1为实施例1的结构示意图。
其中，各附图标记：1、PCB板；2、SET位；3、通孔。
具体实施方式
下面，结合附图以及具体实施方式，对本实用新型做进一步描述：
本实用新型提供一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构，该PCB板上包括至少4个SET位，相邻的SET位之间间距为1.5-2.0mm，所述PCB板上设有若干位于相邻的SET位之间的通孔，所述通孔直径为1.0mm，所述相邻的通孔之间的间距为25-35mm。
该PCB板通过在SET位与SET位之间增设通孔，在蚀刻过程中增大PCB板板面的药水交换量，减少板面蚀刻药水“水池效应”，提升了蚀刻线上PCB板板面蚀刻线路能力。
实施例1
如图1所示，一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构，该PCB板上包括9个的SET位，相邻的SET位之间间距为1.75mm，所述PCB板上设有若干位于相邻的SET位之间的通孔，所述通孔直径为1.0mm，所述相邻的通孔之间的间距为30mm，最外侧的通孔距PCB板板边距离为50mm。
本实施例中，所述通孔距与之相邻的两SET位的间距相等，即通孔距相邻的SET位之间的间距均为0.375mm。
对本领域的技术人员来说，可根据以上描述的技术方案以及构思，做出其它各种相应的改变以及形变，而所有的这些改变以及形变都应该属于本实用新型权利要求的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种改善蚀刻水池效应的PCB板结构，其特征在于，该PCB板上包括至少4个SET位，相邻的SET位之间间距为1.5-2.0mm，所述PCB板上设有若干位于相邻的SET位之间的通孔，所述通孔直径为1.0mm，所述相邻的通孔之间的间距为25-35mm。
2.根据权利要求1所述的PCB板结构，其特征在于，所述相邻的通孔之间的间距为30mm。
3.根据权利要求1所述的PCB板结构，其特征在于，任意通孔离PCB板板边的间距大于50mm。
4.根据权利要求1所述的PCB板结构，其特征在于，所述通孔与相邻的SET位之间的间距为0.25-0.5mm。
5.根据权利要求1所述的PCB板结构，其特征在于，所述通孔距与之相邻的两SET位的间距相等。
6.根据权利要求1所述的PCB板结构，其特征在于，相邻的SET位之间间距为1.75mm。
Priority Applications (1)
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| CN201620847762.XU CN205961565U (zh) | 2016-08-05 | 2016-08-05 | 一种改善蚀刻水池效应的pcb板结构 |
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Publications (1)
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| CN205961565U true CN205961565U (zh) | 2017-02-15 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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2016
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