CN205956645U - 一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 - Google Patents
一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205956645U CN205956645U CN201620836219.XU CN201620836219U CN205956645U CN 205956645 U CN205956645 U CN 205956645U CN 201620836219 U CN201620836219 U CN 201620836219U CN 205956645 U CN205956645 U CN 205956645U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mocvd
- temperature
- treatment system
- trap filter
- gas treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Abstract
本实用新型公开了一种MOCVD尾气处理系统用的管道防结垢结构，MOCVD尾气处理系统主要由依次相接的球阀、砷阱过滤器、蝶阀、真空泵、磷阱过滤器组成，在所述MOCVD反应腔的出口端法兰与球阀的连接管道上外缠有温度为120℃的第一加热带，在所述球阀与砷阱过滤器的连接管道上外缠有温度为100℃的第二加热带，在所述砷阱过滤器与蝶阀的连接管道上外缠有温度为80℃的第三加热带，在所述蝶阀与真空泵的连接管道上外缠有温度为60℃的第四加热带。本实用新型采用加热带逐渐降温方式，明显改善MOCVD尾气处理系统管道结垢问题且保护真空泵寿命，降低MOCVD机台维护时间，增加MOCVD机台正常生产能力，同时也减少设备工程师接触有毒有害物质时间，保护设备工程师生命安全。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体设备设计和制造技术领域，尤其是指一种MOCVD尾气处理系统用的管道防结垢结构。
背景技术
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用射频感应加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方),H2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。
因为MOCVD生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且要生长多组分、大面积、薄层和超薄层异质材料。因此在MOCVD系统的设计思想上，通常要考虑系统密封性，流量、温度控制要精确，组分变换要迅速，系统要紧凑等。不同厂家和研究者所产生或组装的MOCVD设备是不同的。一般由MO源供给系统、气体输运和流量控制系统、反应室及温度控制系统、尾气处理及安全防护报警系统、自动操作及电控系统等构成。
MOCVD由于使用氢气、砷烷、磷烷等气体的特殊性，设备维护保养需专业设备工程师操作。在维护过程中应尽量减少拆卸设备频率，因为腔体内部会残留有毒有害物质，且拆卸设备过程中会有氧气进入腔体，影响外延片的电学性能。本发明即可解决此问题。
MOCVD生长GaAs基系高效多结叠层太阳电池时，会反应生成磷单质含磷化合物及碳化物，产物在通过尾气处理系统中遇冷会沉积在尾气处理系统管壁，长期会导致堵塞管路，触发机台报警。故MOCVD设备工程师需定期清洁尾气处理系统管路结垢物质。由于磷单质及其含磷化合物属于易燃物质，MOCVD设备工程师清洁堵塞管路时，需戴呼吸面罩且花费大量精力。传统方法是尾气处理系统采用加热带固定温度为60℃，但MOCVD尾气处理系统管道沉积结垢问题依然没有得到明显改善。通过实验表明及考虑加热带高温使用寿命和安全因素，将加热带温度设定为120℃时，管路结垢现象可明显改善，但高温对尾气处理系统后端真空泵寿命有影响。
发明内容
本实用新型的目的在于解决MOCVD生长GaAs基系高效多结叠层太阳电池时，尾气处理系统管道结垢堵塞问题，提供一种MOCVD尾气处理系统用的管道防结垢结构，该结构采用加热带逐渐降温方式，明显改善MOCVD尾气处理系统管道结垢问题且保护真空泵寿命，降低MOCVD机台维护时间，增加MOCVD机台正常生产能力。
为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为：一种MOCVD尾气处理系统用的管道防结垢结构，所述MOCVD尾气处理系统主要由依次相接的球阀、砷阱过滤器、蝶阀、真空泵、磷阱过滤器组成，在所述MOCVD反应腔的出口端法兰与球阀的连接管道上外缠有温度为120℃的第一加热带，在所述球阀与砷阱过滤器的连接管道上外缠有温度为100℃的第二加热带，在所述砷阱过滤器与蝶阀的连接管道上外缠有温度为80℃的第三加热带，在所述蝶阀与真空泵的连接管道上外缠有温度为60℃的第四加热带。
本实用新型与现有技术相比，具有如下优点与有益效果：
尾气处理系统管道结垢问题得到明显改善，设备工程师维护周期明显增加：原需30天定期清洁一次尾气处理系统，维护一次需停产3个自然日，并需2个自然日复机达到生产使用要求；采用本技术方案后，只需120自然日清洁一次尾气处理系统即可达到相同的结果，一台设备每年即可增加40个自然日生产使用时间，减少机台维护时间，增加设备生产能力，同时也减少设备工程师接触有毒有害物质时间，保护设备工程师生命安全。
附图说明
图1为MOCVD尾气处理系统的结构示意图。
图2为本实用新型的管道防结垢结构的加热带布局图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本实用新型作进一步说明。
如图1所示，为MOCVD尾气处理系统的结构示意图，该MOCVD尾气处理系统主要由依次相接的球阀1、砷阱过滤器2、蝶阀3、真空泵4、磷阱过滤器5组成，为解决系统管道结垢堵塞问题，本实施例上述MOCVD尾气处理系统采用了如下管道防结垢结构：在所述MOCVD反应腔6的出口端法兰与球阀1的连接管道上外缠有温度为120℃的第一加热带7，在所述球阀1与砷阱过滤器2的连接管道上外缠有温度为100℃的第二加热带8，在所述砷阱过滤器2与蝶阀3的连接管道上外缠有温度为80℃的第三加热带9，在所述蝶阀3与真空泵4的连接管道上外缠有温度为60℃的第四加热带10，具体请参见附图2。
综上所述，本技术方案设计了加热带逐渐降温方式，加热带从反应腔体出口开始，温度分为四个节点设定，分别为120℃，100℃，80℃，60℃(温度分布见图2)。通过实验证明，这样的设计明显改善了MOCVD尾气处理系统管道结垢问题且有效保护了真空泵寿命，降低了MOCVD机台维护时间，也增加了MOCVD机台正常生产能力，同时也减少设备工程师接触有毒有害物质时间，保护设备工程师生命安全，值得推广。
以上所述之实施例子只为本实用新型之较佳实施例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。
Claims (1)
1.一种MOCVD尾气处理系统用的管道防结垢结构，所述MOCVD尾气处理系统主要由依次相接的球阀、砷阱过滤器、蝶阀、真空泵、磷阱过滤器组成，其特征在于：在所述MOCVD反应腔的出口端法兰与球阀的连接管道上外缠有温度为120℃的第一加热带，在所述球阀与砷阱过滤器的连接管道上外缠有温度为100℃的第二加热带，在所述砷阱过滤器与蝶阀的连接管道上外缠有温度为80℃的第三加热带，在所述蝶阀与真空泵的连接管道上外缠有温度为60℃的第四加热带。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620836219.XU CN205956645U (zh) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | 一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201620836219.XU CN205956645U (zh) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | 一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN205956645U true CN205956645U (zh) | 2017-02-15 |
Family
ID=57973560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201620836219.XU Active CN205956645U (zh) | 2016-08-03 | 2016-08-03 | 一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN205956645U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111618044A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种激光器石墨托盘的清洗方法及清洗装置 |
-
2016
- 2016-08-03 CN CN201620836219.XU patent/CN205956645U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111618044A (zh) * | 2019-02-28 | 2020-09-04 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种激光器石墨托盘的清洗方法及清洗装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6402806B1 (en) | Method for unreacted precursor conversion and effluent removal | |
| KR101887248B1 (ko) | 연소 제해 장치 | |
| CN205956645U (zh) | 一种mocvd尾气处理系统用的管道防结垢结构 | |
| CN104246983A (zh) | 高容量外延硅沉积系统的气体回收和减量系统 | |
| CN202193841U (zh) | 新型原子层沉积设备 | |
| CN205055478U (zh) | 一种hvpe反应产生的氯化铵气体的冷凝过滤器 | |
| CN207694291U (zh) | 冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备 | |
| TWI599677B (zh) | CVD apparatus and CVD apparatus Treatment chamber purification method | |
| US10124272B2 (en) | Vapor circulation regeneration system | |
| CN213327938U (zh) | Hvpe排气、镓分离收集装置 | |
| CN103597583A (zh) | 半导体制造装置部件的清洗方法、半导体制造装置部件的清洗装置及气相生长装置 | |
| CN205821448U (zh) | 一种用于mocvd反应室的清洁系统 | |
| JPS59223294A (ja) | 気相成長装置 | |
| CN201343581Y (zh) | 外延设备 | |
| CN211069568U (zh) | 金属有机化学气相沉积设备的尾气处理装置 | |
| JP4111803B2 (ja) | Ｌｐｃｖｄ装置及び薄膜製造方法 | |
| CN110158057B (zh) | 一种pecvd工艺腔室支管路装置及其所在的气路系统 | |
| JP2004327893A (ja) | 半導体製造装置用りんトラップ装置 | |
| JPH07193008A (ja) | 半導体化学気相成長システム | |
| CN204874728U (zh) | 用于mocvd系统化学源蒸汽管路的粉尘颗粒收集器 | |
| CN206184030U (zh) | 生产车用尿素的真空结晶装置 | |
| CN216556501U (zh) | 尾排结构和具有其的lpcvd设备 | |
| CN105349964B (zh) | 防止mocvd反应室部件上沉积有反应物及其副产物的方法 | |
| CN202968690U (zh) | 一种新型mocvd设备主泵后尾气管路结构 | |
| CN112030229B (zh) | 尾气净化装置及半导体工艺系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |