CN205954151U - 一种搅拌井架 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种搅拌井架，包括中心杆，所述中心杆上端设置有接头，所述中心杆的下端设置有上晶板，所述上晶板下设置有下晶板，上晶板与下晶板之间通过对称设置的两块支板连接，所述支板分布在上晶板、下晶板的边缘，支板之间形成有晶体移出的通道，在所述通道上方，所述上晶板底部设置有第一桨叶，所述第一桨叶为楔形，本实用新型搅拌井架使用在磷酸二氢钾晶体材料生长的结晶罐内，其结构简单，能有效地促进磷酸二氢钾晶体材料的生长，缩短磷酸二氢钾晶体材料的生长周期，有利于晶体的连续生长，提高晶体的光学质量。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种搅拌井架，该搅拌井架设置在晶体生长的结晶罐内，用于磷酸二氢钾晶体结晶材料的生长。
背景技术
KDP(磷酸二氢钾)晶体是一种优良的电光非线性光学材料，广泛用于激光变频、电光调制和光快速开关等高技术领域。特别是80年代以来，用激光器来产生热核反应成为可能，从而发展惯性束在约聚变(ICF)驱动器的研究。
KDP晶体是迄今任何非线性光学材料所不及的，它具有较大的电光、非线性系数、激光损伤阈值高的特性，特别是能够生长出满足大口径通光所需要的高质量大尺寸的单晶。因此，大截面KDP类晶体是目前唯一应用于激光核聚变中的非线性光学材料。
KDP晶体传统生长速度只达1mm/day左右，美国克里富兰晶体公司生长一块370mm口径的KDP晶体就花了两年时间，很难满足ICF工程对KDP晶体材料数量的需要。而KDP晶体快速生长速度为10～20mm/day,生长周期1～2个月，其生长速度比传统生长速度提高了十几倍。所以提高KDP晶体的生长速度，缩短生长周期是当前KDP晶体的主要问题,是提高KDP晶体激光损伤阈值是研究的重要的课题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种利于大尺寸磷酸二氢钾晶体材料生长的搅拌井架。
为了达到上述技术目的，本实用新型的技术方案是：
一种搅拌井架，包括中心杆，所述中心杆上端设置有接头，所述中心杆的下端设置有上晶板，所述上晶板下设置有下晶板，上晶板与下晶板之间通过对称设置的两块支板连接，所述支板分布在上晶板、下晶板的边缘，支板之间形成有晶体移出的通道，在所述通道上方，所述上晶板底部对称设置有两个第一桨叶，所述第一桨叶为楔形。
为了对下晶板底部的磷酸二氢钾溶液进行搅拌，所述下晶板底部设置有第二桨叶。
为了将磷酸二氢钾溶液向搅拌井架的中部(结晶生长处)输送，所述支板两侧边为倾斜状。
本实用新型搅拌井架使用在磷酸二氢钾晶体材料生长的结晶罐内，其结构简单，能有效地促进磷酸二氢钾晶体材料的生长，缩短磷酸二氢钾晶体材料的生长周期，有利于晶体的连续生长，提高晶体的光学质量。
附图说明
图1为本实用新型的主视图。
图2为本实用新型的侧视图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1、2所示，一种搅拌井架，包括中心杆1，所述中心杆1上端设置有接头2，所述中心杆1的下端设置有上晶板3，所述上晶板3下设置有下晶板4，上晶板3和下晶板4均为圆形，上晶板3与下晶板4之间通过对称设置的两块支板5连接，支板5两侧边为倾斜状，方便将磷酸二氢钾溶液向搅拌井架的中部(结晶生长处)输送。
所述支板5分布在上晶板3、下晶板4的边缘，支板5之间形成有晶体移出的通道，当晶体生长后，搅拌井架从结晶罐上部取出，然后晶体材料便可以从通道一侧向另一侧推动，从而取出晶体材料。
在所述通道上方，所述上晶板底部设置有楔形的第一桨叶6，第一桨叶6为两个，对称设置。所述下晶板4底部设置有第二桨叶，第二桨叶通过固定座7连接在下晶板4上，利于对下晶板4底部的磷酸二氢钾溶液进行搅拌。
使用时，结晶罐上部的搅拌装置连接中心杆1上部的接头2，搅拌井架在搅拌装置的带动下转动。楔形的第一桨叶6、边缘倾斜的支板5将磷酸二氢钾溶液向搅拌井架的中部输送，即向上晶板3、下晶板4之间的中部输送，促进磷酸二氢钾晶体材料的生长。
而且，楔形的第一桨叶6将磷酸二氢钾溶液向下部推送，促进磷酸二氢钾溶液上下翻动，将磷酸二氢钾溶液搅拌均匀，使不同密度的磷酸二氢钾溶液混合均匀，满足晶体生长的需求。
上述实施例不以任何方式限制本实用新型，凡是采用等同替换或等效变换的方式获得的技术方案均落在本实用新型的保护范围内。
Claims (4)
1.一种搅拌井架，其特征在于包括中心杆，所述中心杆上端设置有接头，所述中心杆的下端设置有上晶板，所述上晶板下设置有下晶板，上晶板与下晶板之间通过对称设置的两块支板连接，所述支板分布在上晶板、下晶板的边缘，支板之间形成有晶体移出的通道，在所述通道上方，所述上晶板底部设置有第一桨叶，所述第一桨叶为楔形。
2.根据权利要求1所述的一种搅拌井架，其特征在于：所述下晶板底部设置有第二桨叶。
3.根据权利要求1所述的一种搅拌井架，其特征在于：所述支板两侧边为倾斜状。
4.根据权利要求1所述的一种搅拌井架，其特征在于：所述第一桨叶为对称设置的两个。
Priority Applications (1)
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| CN201620852507.4U CN205954151U (zh) | 2016-08-08 | 2016-08-08 | 一种搅拌井架 |
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| CN205954151U true CN205954151U (zh) | 2017-02-15 |
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| CN (1) | CN205954151U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107326438A (zh) * | 2017-06-02 | 2017-11-07 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | Kdp类晶体的生长装置 |
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2016
- 2016-08-08 CN CN201620852507.4U patent/CN205954151U/zh not_active Expired - Fee Related
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