CN205856656U - 一种碳化硅单晶炉用压力控制系统 - Google Patents
一种碳化硅单晶炉用压力控制系统 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型涉及一种碳化硅单晶炉用压力控制系统,它包括反应室,在所述反应室一侧设有充气管路,另一侧设有主抽气管路和压力控制管路,在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器,在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀,在所述主抽气管路上设有分抽气管路,在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀,在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵,所述分抽气管路与压力控制管路相连。本实用新型控制精确,运行平稳。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种压力控制系统,具体涉及一种单晶炉压力控制系统。
背景技术
碳化硅单晶生长中,载气一般使用氩气,不同的排气速度对生长晶体的多型有很大的影响。在确定生长时的温度梯度后,影响碳化硅单晶生长最重要的因素就是控制压力,但是目前的碳化硅单晶生长炉中还没有比较稳定、控制精确的压力控制系统。
发明内容
发明目的:本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种控制精确,运行平稳的碳化硅单晶炉用压力控制系统。
技术方案:为了解决上述技术问题,本实用新型所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统,它包括反应室,在所述反应室一侧设有充气管路,另一侧设有主抽气管路和压力控制管路,在所述充气管路上设有充气阀和质量流量控制器,在所述主抽气管路上设有第一机械泵和第一抽气阀,在所述主抽气管路上设有分抽气管路,在所述分抽气管路上设有分子泵和第二抽气阀,在所述压力控制管路上设有压力传感器、压力控制阀、PID控制电路和第二机械泵,所述分抽气管路与压力控制管路相连。
所述分抽气管路设在第一机械泵和第一抽气阀之间的主抽气管路上。
所述分抽气管路与压力传感器前部的压力控制管路相连。
有益效果:本实用新型与现有技术相比,其显著优点是:本实用新型整体结构设置合理,设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路,及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路,及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路,确保控制精确,整体运行平稳可靠,为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种碳化硅单晶炉用压力控制系统,它包括反应室1,在所述反应室1一侧设有充气管路2,另一侧设有主抽气管路3和压力控制管路4,在所述充气管路2上设有充气阀5和质量流量控制器6,在所述主抽气管路3上设有第一机械泵7和第一抽气阀8,在所述主抽气管路3上设有分抽气管路9,在所述分抽气管路9上设有分子泵10和第二抽气阀11,在所述压力控制管路4上设有压力传感器12、压力控制阀13、PID控制电路14和第二机械泵15,所述分抽气管路9与压力控制管路4相连;所述分抽气管路9设在第一机械泵7和第一抽气阀8之间的主抽气管路上;所述分抽气管路9与压力传感器12前部的压力控制管路4相连。本实用新型整体结构设置合理,设置由充气阀和质量流量控制器组成的充气管路,及第一机械泵、第一抽气阀、分子泵和第二抽气阀组成的抽气管路,及压力传感器、PID控制电路、压力控制阀和第二机械泵组成的压力控制管路,确保控制精确,整体运行平稳可靠,为碳化硅单晶生长提供良好的压力环境。
本实用新型提供了一种思路及方法,具体实现该技术方案的方法和途径很多,以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围,本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。
Claims (3)
1.一种碳化硅单晶炉用压力控制系统,其特征在于:它包括反应室(1),在所述反应室(1)一侧设有充气管路(2),另一侧设有主抽气管路(3)和压力控制管路(4),在所述充气管路(2)上设有充气阀(5)和质量流量控制器(6),在所述主抽气管路(3)上设有第一机械泵(7)和第一抽气阀(8),在所述主抽气管路(3)上设有分抽气管路(9),在所述分抽气管路(9)上设有分子泵(10)和第二抽气阀(11),在所述压力控制管路(4)上设有压力传感器(12)、压力控制阀(13)、PID控制电路(14)和第二机械泵(15),所述分抽气管路(9)与压力控制管路(4)相连。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉用压力控制系统,其特征在于:所述分抽气管路(9)设在第一机械泵(7)和第一抽气阀(8)之间的主抽气管路上。
3.根据权利要求1所述的碳化硅单晶炉用压力控制系统,其特征在于:所述分抽气管路(9)与压力传感器(12)前部的压力控制管路(4)相连。
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