CN205846006U - 一种新型led芯片封装基板结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种新型LED芯片封装基板结构，包括基板、金属嵌板、电路层、透光封盖、LED芯片和荧光粉，还包括散热片、绝缘层、塑封和通孔，所述的金属嵌板镶嵌在基板内，顶部设有LED芯片，LED芯片外周通过塑封密封在金属嵌板上，基板下部设有散热片，上部依次设有绝缘层和电路层，顶部设有透光封盖，基板中间设有通孔与散热片相连。本实用新型提供了一种新型LED芯片封装基板结构，提升了LED芯片封装结构的散热能力，同时提供一种荧光粉用量少、发光面大、无颗粒感的LED芯片封装结构。

Description

一种新型LED芯片封装基板结构

技术领域

本实用新型涉及一种封装基板结构，具体涉及一种新型LED芯片封装基板结构，属于光电子发光器件技术领域。

背景技术

现有LED芯片涂抹荧光粉的工艺中，一般将荧光粉与粘结剂混合后通过点胶工艺将其一次涂到芯片上，由于荧光粉紧贴LED芯片，导致LED芯片发射的光和芯片激发荧光粉发出的光经过散射返回到芯片而损失。同时，发光波长较短的LED芯片点亮时会产生大量的热量，极易出现荧光粉层受高温影响从而造成的LED光源色温漂移的现象，以及缩短LED光源使用寿命的结果。

实用新型内容

本实用新型提供了一种新型LED芯片封装基板结构，提升了LED芯片封装结构的散热能力，同时提供一种荧光粉用量少、发光面大、无颗粒感的LED芯片封装结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

一种新型LED芯片封装基板结构，包括基板、金属嵌板、电路层、透光封盖、LED芯片和荧光粉，其特征在于，还包括散热片、绝缘层、塑封和通孔，所述的金属嵌板镶嵌在基板内，顶部设有LED芯片，LED芯片外周通过塑封密封在金属嵌板上，基板下部设有散热片，上部依次设有绝缘层和电路层，顶部设有透光封盖，基板中间设有通孔与散热片相连。

上述的基板为低温共烧陶瓷基板。

上述的荧光粉涂抹于塑封上，荧光粉的粒径不全相同，构成粗糙测表面。

上述的绝缘层为微米级的超薄陶瓷绝缘材料，导热系数的范围为25-170W/m·k，击穿电压大于14KV。

上述的金属嵌板为钨铜合金材料，表面设置阵列凸台。

上述的通孔连通基板上下端的空腔，空腔内设有空气或惰性气体作为工作气体。

本实用新型至少具有如下技术效果或优点：

使金属热传导和气体对流散热两种机制同时存在，可有效地降低LED芯片的工作温度，提高大功率LED照明产品的使用寿命及安全性；采用不同粒级的荧光粉混合远程涂布结构，不但有效增大了黄光的发光面积，而且能够吸收LED芯片形成大量的漫反射，有效减少反射光线，从而提高了发光效率和颜色饱和度，使得光线更加柔和。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；

图1是本申请实施的结构示意图；

图1中，1为散热片，2为基板，3为金属嵌板，4为绝缘层，5为电路层，6为透光封盖，7为LED芯片，8为塑封，9为荧光粉，10为通孔。

具体实施方式

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

如图1所示，一种新型LED芯片封装基板结构，包括基板2、金属嵌板3、电路层5、透光封盖6、LED芯片7和荧光粉9，还包括散热片1、绝缘层4、塑封8和通孔10，所述的金属嵌板3镶嵌在基板2内，顶部设有LED芯片7，LED芯片7外周通过塑封8密封在金属嵌板3上，基板2下部设有散热片1，上部依次设有绝缘层4和电路层5，顶部设有透光封盖6，基板2中间设有通孔10与散热片1相连。

其中在实际应用中，所述的基板2为低温共烧陶瓷基板。

其中在实际应用中，所述的荧光粉9涂抹于塑封8上，荧光粉9的粒径不全相同，构成粗糙测表面，采用不同粒级的荧光粉9混合涂布的结构，形成表面粗糙的涂层，不但有效增大了黄光的发光面积，而且粗糙的表面吸收所述LED芯片7发出后形成大量的漫反射，有效减反射光线，从而提高了发光效率和颜色饱和度，使得光线更加柔和。

其中在实际应用中，所述的绝缘层4为微米级的超薄陶瓷绝缘材料，导热系 数的范围为25-170W/m·k，击穿电压大于14KV，既能实现绝缘功能，又能,提高散热效率。

其中在实际应用中，所述的金属嵌板3为钨铜合金材料，表面设置阵列凸台，该材料具有与半导体材料相匹配的热膨胀系数和良好的导电导热性，既能保证散热的同时，又能防止芯片因热胀冷缩造成疲劳失效，确保了LED的超长寿命，此外LED芯片7设置在凸台上，高出电路层4，有效的将光向最大角度发散出去，提高亮度。

其中在实际应用中，所述的通孔10连通基板2上下端的空腔，空腔内设有空气或惰性气体作为工作气体进行循环流动，LED芯片7外周的气体被加热后，可沿着LED芯片7周围基板2上设置的通孔10与散热片1发生热交换，冷却后的气体顺着通孔10到达LED芯片7的周围，提高对LED芯片7的散热效果。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。

Claims (6)

1.一种新型LED芯片封装基板结构，包括基板(2)、金属嵌板(3)、电路层(5)、透光封盖(6)、LED芯片(7)和荧光粉(9)，其特征在于：还包括散热片(1)、绝缘层(4)、塑封(8)和通孔(10)，所述的金属嵌板(3)镶嵌在基板(2)内，顶部设有LED芯片(7)，LED芯片(7)外周通过塑封(8)密封在金属嵌板(3)上，基板(2)下部设有散热片(1)，上部依次设有绝缘层(4)和电路层(5)，顶部设有透光封盖(6)，基板(2)中间设有通孔(10)与散热片(1)相连。

2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片封装基板结构，其特征在于：所述的基板(2)为低温共烧陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片封装基板结构，其特征在于：所述的荧光粉(9)涂抹于塑封(8)上，荧光粉(9)的粒径不全相同，构成粗糙表面。

4.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片封装基板结构，其特征在于：所述的绝缘层(4)为微米级的超薄陶瓷绝缘材料，导热系数范围为25-170W/m·k，击穿电压大于14KV。

5.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片封装基板结构，其特征在于：所述的金属嵌板(3)为钨铜合金材料，表面设置阵列凸台。

6.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片封装基板结构，其特征在于：所述的通孔(10)连通基板(2)上下端的空腔，空腔内设有空气或惰性气体作为工作气体。