CN205839117U - 一种离子溅射镀膜室 - Google Patents

一种离子溅射镀膜室 Download PDF

Info

Publication number
CN205839117U
CN205839117U CN201620590347.0U CN201620590347U CN205839117U CN 205839117 U CN205839117 U CN 205839117U CN 201620590347 U CN201620590347 U CN 201620590347U CN 205839117 U CN205839117 U CN 205839117U
Authority
CN
China
Prior art keywords
limiting tube
cyclophon
limited block
vacuum chamber
loading seat
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201620590347.0U
Other languages
English (en)
Inventor
丁庆峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang Ding Zi Alwayseal Technology Ltd
Original Assignee
Zhejiang Ding Zi Alwayseal Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang Ding Zi Alwayseal Technology Ltd filed Critical Zhejiang Ding Zi Alwayseal Technology Ltd
Priority to CN201620590347.0U priority Critical patent/CN205839117U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205839117U publication Critical patent/CN205839117U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种离子溅射镀膜室,包括真空室,真空室的内底部设有第一限位管,第一限位管内套装有第一旋调管,第一旋调管的端部上设有第一载物座,第一载物座上设有离子源;真空室的内底部设有第二限位管,第二限位管内套装有第二旋调管,第二旋调管的端部上设有第二载物座;第二载物座上设有光束光学镜;真空室的内底部设有第三限位管,第三限位管内套装有第三旋调管,第三限位管的端部上设有第三载物座,第三载物座上设有移动溅射靶;离子源、光束光学镜以及移动溅射靶设置在同一光路上。本实用新型方便对离子源进行调节,方便对光束光学镜进行调节,方便对移动溅射靶进行调节;离子源通过光束光学镜可以对移动溅射靶实现离子溅射镀膜。

Description

一种离子溅射镀膜室
技术领域
本实用新型涉及一种镀膜室,具体涉及一种离子溅射镀膜室。
背景技术
离子镀膜加工包括溅射镀膜和离子镀两种方式。离子溅射镀膜是基于离子溅射效应的一种镀膜方式,适用于合金膜和化合物膜的镀制。离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜新技术,将各种气体放电方式引入到气相沉积领域,整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。离子镀大大提高了膜层粒子能量,可以获得更优异性能的膜层,扩大了“薄膜”的应用领域。现有的离子镀膜不方便进行离子溅射镀膜,镀膜效率低。
发明内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的缺陷和不足,提供一种方便对离子源进行调节,方便对光束光学镜进行调节,方便对移动溅射靶进行调节;离子源通过光束光学镜可以对移动溅射靶实现离子溅射镀膜的离子溅射镀膜室。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
一种离子溅射镀膜室,包括真空室,真空室的一侧设有第一密封门,真空室的另一侧设有第二密封门,真空室的内底部设有第一限位管,第一限位管呈竖直布置,第一限位管内套装有第一旋调管,第一旋调管的外表面设有外螺纹,第一限位管的内表面设有内螺纹,第一限位管与第一旋调管通过螺纹连接,第一旋调管的端部上设有第一载物座,第一载物座上设有离子源;真空室的内底部设有第二限位管,第二限位管内套装有第二旋调管,第二旋调管的外表面设有外螺纹,第二限位管的内表面设有内螺纹,第二限位管与第二旋调管通过螺纹连接,第二旋调管的端部上设有第二载物座;第二载物座上设有光束光学镜;真空室的内底部设有第三限位管,第三限位管呈竖直布置,第三限位管内套装有第三旋调管,第三旋调管的外表面设有外螺纹,第三限位管的内表面设有内螺纹,第三限位管与第三旋调管通过螺纹连接,第三限位管的端部上设有第三载物座,第三载物座上设有移动溅射靶;离子源、光束光学镜以及移动溅射靶设置在同一光路上。
进一步地,所述第三载物座的一侧上设有第一限位块,第三载物座的另一侧上设有第二限位块,移动溅射靶设置在第一限位块与第二限位块之间。
进一步地,所述第一限位块与第二限位块呈竖直布置。
进一步地,所述第二限位块的高度大于第一限位块的高度。
进一步地,所述真空室的端部设有真空泵。
采用上述结构后,本实用新型有益效果为:通过第一密封门与第二密封门可以方便对真空室的两侧进行打开或关闭;第一旋调管绕第一限位管进行转动从而方便对离子源进行调节,第二旋调管绕第二限位管进行转动从而方便对光束光学镜进行调节,第三旋调管绕第三限位管进行转动从而方便对移动溅射靶进行调节;离子源通过光束光学镜可以对移动溅射靶实现离子溅射镀膜。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
附图标记说明:
真空室11、第一密封门12、第二密封门13、真空泵14、第一限位管15、第一旋调管16、第一载物座17、离子源18、第二限位管19、第二旋调管20、第二载物座21、光束光学镜22、第三限位管23、第三旋调管24、第三载物座25、第一限位块26、第二限位块27、移动溅射靶28。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
如图1所示,本实用新型所述的一种离子溅射镀膜室,包括真空室11,真空室11的一侧设有第一密封门12,真空室11的另一侧设有第二密封门13,真空室11的内底部设有第一限位管15,第一限位管15呈竖直布置,第一限位管15内套装有第一旋调管16,第一旋调管16的外表面设有外螺纹,第一限位管15的内表面设有内螺纹,第一限位管15与第一旋调管16通过螺纹连接,第一旋调管16的端部上设有第一载物座17,第一载物座17上设有离子源18;真空室11的内底部设有第二限位管19,第二限位管19内套装有第二旋调管20,第二旋调管20的外表面设有外螺纹,第二限位管19的内表面设有内螺纹,第二限位管19与第二旋调管20通过螺纹连接,第二旋调管20的端部上设有第二载物座21;第二载物座21上设有光束光学镜22;真空室11的内底部设有第三限位管23,第三限位管23呈竖直布置,第三限位管23内套装有第三旋调管24,第三旋调管24的外表面设有外螺纹,第三限位管23的内表面设有内螺纹,第三限位管23与第三旋调管24通过螺纹连接,第三限位管23的端部上设有第三载物座25,第三载物座25上设有移动溅射靶28;离子源18、光束光学镜22以及移动溅射靶28设置在同一光路上;第三载物座25的一侧上设有第一限位块26,第三载物座25的另一侧上设有第二限位块27,移动溅射靶28设置在第一限位块26与第二限位块27之间;第一限位块26与第二限位块27呈竖直布置;第二限位块27的高度大于第一限位块26的高度;真空室11的端部设有真空泵14。
本实用新型离子溅射镀膜室,通过第一密封门12与第二密封门13可以方便对真空室11的两侧进行打开或关闭;第一旋调管16绕第一限位管15进行转动从而方便对离子源18进行调节,第二旋调管20绕第二限位管19进行转动从而方便对光束光学镜22进行调节,第三旋调管24绕第三限位管23进行转动从而方便对移动溅射靶28进行调节;离子源18通过光束光学镜22可以对移动溅射靶28实现离子溅射镀膜。
其中,第三载物座25的一侧上设有第一限位块26,第三载物座25的另一侧上设有第二限位块27,移动溅射靶28设置在第一限位块26与第二限位块27之间;第一限位块26与第二限位块27呈竖直布置;第二限位块27的高度大于第一限位块26的高度;所以方便对移动溅射靶28进行装夹。
其中,真空室11的端部设有真空泵14;所以还具有真空处理控制。
以上所述仅是本实用新型的较佳实施方式,故凡依本实用新型专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本实用新型专利申请范围内。

Claims (5)

1.一种离子溅射镀膜室,包括真空室(11),其特征在于:真空室(11)的一侧设有第一密封门(12),真空室(11)的另一侧设有第二密封门(13),真空室(11)的内底部设有第一限位管(15),第一限位管(15)呈竖直布置,第一限位管(15)内套装有第一旋调管(16),第一旋调管(16)的外表面设有外螺纹,第一限位管(15)的内表面设有内螺纹,第一限位管(15)与第一旋调管(16)通过螺纹连接,第一旋调管(16)的端部上设有第一载物座(17),第一载物座(17)上设有离子源(18);真空室(11)的内底部设有第二限位管(19),第二限位管(19)内套装有第二旋调管(20),第二旋调管(20)的外表面设有外螺纹,第二限位管(19)的内表面设有内螺纹,第二限位管(19)与第二旋调管(20)通过螺纹连接,第二旋调管(20)的端部上设有第二载物座(21);第二载物座(21)上设有光束光学镜(22);真空室(11)的内底部设有第三限位管(23),第三限位管(23)呈竖直布置,第三限位管(23)内套装有第三旋调管(24),第三旋调管(24)的外表面设有外螺纹,第三限位管(23)的内表面设有内螺纹,第三限位管(23)与第三旋调管(24)通过螺纹连接,第三限位管(23)的端部上设有第三载物座(25),第三载物座(25)上设有移动溅射靶(28);离子源(18)、光束光学镜(22)以及移动溅射靶(28)设置在同一光路上。
2.根据权利要求1所述的离子溅射镀膜室,其特征在于:第三载物座(25)的一侧上设有第一限位块(26),第三载物座(25)的另一侧上设有第二限位块(27),移动溅射靶(28)设置在第一限位块(26)与第二限位块(27)之间。
3.根据权利要求2所述的离子溅射镀膜室,其特征在于:第一限位块(26)与第二限位块(27)呈竖直布置。
4.根据权利要求2所述的离子溅射镀膜室,其特征在于:第二限位块(27)的高度大于第一限位块(26)的高度。
5.根据权利要求1所述的离子溅射镀膜室,其特征在于:真空室(11)的端部设有真空泵(14)。
CN201620590347.0U 2016-06-16 2016-06-16 一种离子溅射镀膜室 Expired - Fee Related CN205839117U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620590347.0U CN205839117U (zh) 2016-06-16 2016-06-16 一种离子溅射镀膜室

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620590347.0U CN205839117U (zh) 2016-06-16 2016-06-16 一种离子溅射镀膜室

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205839117U true CN205839117U (zh) 2016-12-28

Family

ID=58153569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620590347.0U Expired - Fee Related CN205839117U (zh) 2016-06-16 2016-06-16 一种离子溅射镀膜室

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205839117U (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108342699B (zh) 综合沉积镀膜设备及综合镀膜方法
US20140186654A1 (en) Surface treatment method for stainless steel and housing made from the treated stainless steel
JP5807217B2 (ja) 薄膜の製造方法
TW201439349A (zh) 蒸發源組件和薄膜沉積裝置和薄膜沉積方法
WO2011158452A1 (ja) 薄膜の製造方法
CN105296938A (zh) 树型阴极真空电弧等离子体沉积磁过滤装置
CN108546920A (zh) 一种阴极真空弧等离子体磁过滤装置及其应用
CN103469163A (zh) 一种真空镀膜机
CN205839117U (zh) 一种离子溅射镀膜室
CN104878361A (zh) 磁控溅射镀膜设备
CN104278234A (zh) 一种室温到800℃宽温域自润滑涂层的制备技术
CN104775102B (zh) 卷对卷磁控溅射阴极与柱状多弧源相结合的真空镀膜系统
CN208532925U (zh) 一种双面物理气相沉积镀膜设备
CN215404477U (zh) 一种具有双泵结构的真空蒸镀机
CN107706071A (zh) 用于调节光电倍增管阴极制备过程真空度的方法、装置及光电倍增管与光电阴极的制作方法
CN108728795A (zh) 一种工艺设备
CN104831241B (zh) 一种生长单相外延m面ZnOS三元合金薄膜的方法
CN203559116U (zh) 一种真空镀膜机
CN105671508B (zh) 一种卷对卷磁控溅射真空镀膜装置
CN105887019A (zh) 一种车灯镀膜设备及其镀膜方法
CN102242339B (zh) 一种氧稳定氟化钇薄膜的制备方法
CN104073774B (zh) 一种制备纳米多孔结构薄膜的装置及其应用
CN105132875B (zh) 一种扩散法制备高浓度梯度azo单晶导电薄膜的方法
US9328409B2 (en) Coated article, method for making the same and electronic device using the same
CN203187747U (zh) 一种磁控溅射靶罩

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20161228

Termination date: 20170616

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee