CN208532925U - 一种双面物理气相沉积镀膜设备 - Google Patents
一种双面物理气相沉积镀膜设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN208532925U CN208532925U CN201821138926.7U CN201821138926U CN208532925U CN 208532925 U CN208532925 U CN 208532925U CN 201821138926 U CN201821138926 U CN 201821138926U CN 208532925 U CN208532925 U CN 208532925U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cavity
- magnetron sputtering
- sided
- vapor deposition
- physical vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种双面物理气相沉积镀膜设备，包括真空腔室、样品台系统、真空泵系统和电力系统，真空腔室由磁控溅射腔体和离子辅助蒸发腔体组成，磁控溅射腔体内壁的顶部装有磁控溅射系统，且磁控溅射腔体内部位于磁控溅射系统下方设有加热系统，该双面镀膜设计，对于需要做双面物理气相沉积镀膜的基材，无翻面操作，减少了操作流程，提升了良品率，降低了生产线成本，同时，相对传统的双面磁控溅射镀膜的设计，因为引入了可以实现更优镀膜特性的IED方式，可以提升单面膜性能，对于一些存在主次面之分的双面膜器件，例如有主受光面的光伏电池、主发光面的发光器件、显示器件等等，而言，该设计可以对成本与性能做到较好的平衡。
Description
技术领域
本实用新型物理气相沉积镀膜设备，特别涉及一种双面物理气相沉积镀膜设备，属于物理气象沉积镀膜设备技术领域。
背景技术
物理气象沉积技术是指，膜源材料先转换为气态，然后在衬底凝华成膜的过程，这该过程中，本身化学构成没有或者改变极少。物理气相沉积包括：磁控溅射、电热蒸发、电子束蒸发、反应等离子沉积等方式。物理气象沉积技术在工业生产与科学研究中有广范的应用，尤其在半导体、显示器、光伏、LED照明、环保、高端建材、航空航天、数字通讯、光学产业等等众多产业发挥着重要，甚至是核心的作用。
为了应对复杂的真空镀膜生产流程，降低设备成本，故障率，生产维护成本，提升良品率，必须避免过多自动化流程。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种双面物理气相沉积镀膜设备解决了现有的问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型一种双面物理气相沉积镀膜设备，包括真空腔室、样品台系统、真空泵系统和电力系统，所述真空腔室由磁控溅射腔体和离子辅助蒸发腔体组成，所述磁控溅射腔体内壁的顶部装有磁控溅射系统，且所述磁控溅射腔体内部位于磁控溅射系统下方设有加热系统，且所述磁控溅射腔体的一端设有进腔阀门，且所述磁控溅射腔体远离进腔阀门的一端通过腔体间阀门连接有离子辅助蒸发腔体，所述离子辅助蒸发腔体内部电子束系统，且所述离子辅助蒸发腔体内部位于电子束系统的上方设有离子源，且所述离子辅助蒸发腔体内壁的中部设有膜厚仪和挡板系统，所述离子辅助蒸发腔体内部的上方设有样品台系统。
作为本实用新型的一种优选方案，所述磁控溅射腔体和离子辅助蒸发腔体之间设有电力系统。
作为本实用新型的一种优选方案，所述磁控溅射腔体的顶部设有真空泵系统。
作为本实用新型的一种优选方案，所述电子束系统的内部设有膜源物质坩埚。
作为本实用新型的一种优选方案所述离子辅助蒸发腔体远离磁控溅射腔体的一端设有出腔阀门。
本实用新型所达到的有益效果是：该双面镀膜设计，对于需要做双面物理气相沉积镀膜的基材，无翻面操作，减少了操作流程，提升了良品率，降低了生产线成本，同时，相对传统的双面磁控溅射镀膜的设计，因为引入了可以实现更优镀膜特性的IED方式，可以提升单面膜性能，对于一些存在主次面之分的双面膜器件，例如有主受光面的光伏电池、主发光面的发光器件、显示器件等等，而言，该设计可以对成本与性能做到较好的平衡。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
图1为本发明所提出设备工程结构之一简图（先磁控溅射，后离子辅助蒸发）；
图2为本发明所提出设备工程结构之二简图（先离子辅助蒸发，后磁控溅射）。
图中：1、真空腔室；2、样品台系统；3、真空泵系统；4、电力系统；5、离子辅助蒸发腔体；6、磁控溅射系统；7、加热系统；8、电子束系统；9、离子源；10、膜厚仪；11、挡板系统；12、磁控溅射腔体；13、腔体间阀门；14、进腔阀门；15、出腔阀门。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例
如图1-2所示，本实用新型提供一种双面物理气相沉积镀膜设备，包括真空腔室1、样品台系统2、真空泵系统3和电力系统4，真空腔室1由磁控溅射腔体12和离子辅助蒸发腔体5组成，磁控溅射腔体12内壁的顶部装有磁控溅射系统6，且磁控溅射腔体12内部位于磁控溅射系统6下方设有加热系统7，且磁控溅射腔体12的一端设有进腔阀门14，且磁控溅射腔体12远离进腔阀门14的一端通过腔体间阀门13连接有离子辅助蒸发腔体5，离子辅助蒸发腔体5内部电子束系统8，且离子辅助蒸发腔体5内部位于电子束系统8的上方设有离子源9，且离子辅助蒸发腔体5内壁的中部设有膜厚仪10和挡板系统11，离子辅助蒸发腔体5内部的上方设有样品台系统2。
磁控溅射腔体12和离子辅助蒸发腔体5之间设有电力系统4，便于为真空腔室1通过电力，磁控溅射腔体12的顶部设有真空泵系统3，便于将真空腔室1形成真空，电子束系统8的内部设有膜源物质坩埚，便于均匀加热，离子辅助蒸发腔体5远离磁控溅射腔体12的一端设有出腔阀门15，便于排出废气。
具体的，在使用时，将衬底放置于样品台系统2上，打开磁控溅射腔体12（或离子辅助蒸发腔体5）腔门，进入腔体后，闭合腔门；打开真空泵系统3，对真空腔室1抽气，同时打开样品加加热系统7；待到达到工艺要求真空度和温度后，开启磁控溅射系统（6）（或离子辅助蒸发系统）；磁控镀膜结束后，腔体间阀门13开启，样品台系统2移动进入离子辅助蒸发腔体5（或磁控溅射腔体12）；开启离子辅助蒸发系统（或磁控溅射系统（6）），进行镀膜流程；镀膜结束后，关闭镀膜系统，打开真空泵系统3，对真空腔室1充气，待到气压平衡后，开启腔体。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种双面物理气相沉积镀膜设备，包括真空腔室（1）、样品台系统（2）、真空泵系统（3）和电力系统（4），其特征在于：所述真空腔室（1）由磁控溅射腔体（12）和离子辅助蒸发腔体（5）组成，所述磁控溅射腔体（12）内壁的顶部装有磁控溅射系统（6），且所述磁控溅射腔体（12）内部位于磁控溅射系统（6）下方设有加热系统（7），且所述磁控溅射腔体（12）的一端设有进腔阀门（14），且所述磁控溅射腔体（12）远离进腔阀门（14）的一端通过腔体间阀门（13）连接有离子辅助蒸发腔体（5），所述离子辅助蒸发腔体（5）内部电子束系统（8），且所述离子辅助蒸发腔体（5）内部位于电子束系统（8）的上方设有离子源（9），且所述离子辅助蒸发腔体（5）内壁的中部设有膜厚仪（10）和挡板系统（11），所述离子辅助蒸发腔体（5）内部的上方设有样品台系统（2）。
2.根据权利要求1所述的一种双面物理气相沉积镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射腔体（12）和离子辅助蒸发腔体（5）之间设有电力系统（4）。
3.根据权利要求1所述的一种双面物理气相沉积镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射腔体（12）的顶部设有真空泵系统（3）。
4.根据权利要求1所述的一种双面物理气相沉积镀膜设备，其特征在于，所述电子束系统（8）的内部设有膜源物质坩埚。
5.根据权利要求1所述的一种双面物理气相沉积镀膜设备，其特征在于，所述离子辅助蒸发腔体（5）远离磁控溅射腔体（12）的一端设有出腔阀门（15）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821138926.7U CN208532925U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种双面物理气相沉积镀膜设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821138926.7U CN208532925U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种双面物理气相沉积镀膜设备 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN208532925U true CN208532925U (zh) | 2019-02-22 |
Family
ID=65387779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821138926.7U Active CN208532925U (zh) | 2018-07-18 | 2018-07-18 | 一种双面物理气相沉积镀膜设备 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN208532925U (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108624859A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-10-09 | 无锡爱尔华精机有限公司 | 一种双面物理气相沉积镀膜设备及其原理 |
| CN111607762A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-09-01 | 北京航空航天大学 | 一种实现电子束物理气相沉积自动蒸发陶瓷靶材的装置 |
| CN112239849A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-19 | 无锡科硅电子技术有限公司 | 一种薄膜生长系统及方法 |
-
2018
- 2018-07-18 CN CN201821138926.7U patent/CN208532925U/zh active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108624859A (zh) * | 2018-07-18 | 2018-10-09 | 无锡爱尔华精机有限公司 | 一种双面物理气相沉积镀膜设备及其原理 |
| CN112239849A (zh) * | 2019-07-01 | 2021-01-19 | 无锡科硅电子技术有限公司 | 一种薄膜生长系统及方法 |
| CN111607762A (zh) * | 2020-05-13 | 2020-09-01 | 北京航空航天大学 | 一种实现电子束物理气相沉积自动蒸发陶瓷靶材的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN208532925U (zh) | 一种双面物理气相沉积镀膜设备 | |
| CN110042370A (zh) | 一种管式pecvd设备的反应室结构 | |
| CN103162452B (zh) | 抗氧化性太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法 | |
| CN207716862U (zh) | 锂电池材料箱式烧结炉 | |
| CN201343569Y (zh) | 连续式平面磁控溅射镀膜设备 | |
| CN102121098A (zh) | 一种外加热方式的金属有机化学气相沉积系统反应腔 | |
| CN104561928A (zh) | 一种在玻璃基底上沉积二氧化硅薄膜的方法 | |
| CN201862286U (zh) | 智能多温区有机材料真空升华提纯装置 | |
| CN108624859A (zh) | 一种双面物理气相沉积镀膜设备及其原理 | |
| CN107604340A (zh) | 化学气相沉积炉 | |
| CN103215556B (zh) | 一种组合式光谱选择性吸收膜层快速沉积工艺 | |
| CN109023274A (zh) | 手表表盘字钉真空镀膜方法 | |
| WO2011156625A4 (en) | Full-enclosure, controlled-flow mini-environment for thin film chambers | |
| CN201947524U (zh) | 大面积高功率微波等离子体环形微波腔及其构成的装置 | |
| CN107560200A (zh) | 一种在中高温大气环境下稳定的太阳能选择性吸收涂层 | |
| CN106756884A (zh) | 一种pecvd镀膜装置 | |
| CN109267037A (zh) | 常压等离子体增强化学气相沉积方法及采用该方法的设备 | |
| CN100465610C (zh) | 微波热解沉积致密化装置 | |
| CN108823540A (zh) | 一种离子辅助镀膜蒸发设备 | |
| US20030057087A1 (en) | Device and method for coating objects at a high temperature | |
| CN101487111A (zh) | 卷绕镀膜机 | |
| CN211630479U (zh) | 一种高效射频等离子体源发生装置 | |
| CN203639552U (zh) | 一种微波受激等离子体增强化学气相沉积装置 | |
| CN204898064U (zh) | 气体外循环型热丝 cvd 金刚石膜生长装置 | |
| CN205205219U (zh) | 一种蒸溅镀混合的装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20230621 Address after: 214000 No.7 Jingui Road, Hudai Town, Binhu District, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Wuxi aierhua Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: No. 7, Jingui Road, Binhu District, Wuxi City, Jiangsu Province, 214000 Patentee before: Wuxi Aierhua Precision Machinery Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |