CN205810762U - 可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置 - Google Patents

可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置 Download PDF

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吴鹏鹏
蔡克亚
张彤
宋家玉
李传华
肖永东
易玲
张瑞峰
刘伟伟
刘晓莉
王超
刘聪
吴学炜
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Abstract

本实用新型公开了一种可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,包括真空离子源腔体以及设置在其内腔中的运动平台,所述运动平台上方设置有用于安放靶板的靶槽,所述真空离子源腔体顶盖上开设有与所述靶槽形状相匹配的通孔,所述通孔上方设置有密封压盖,位于所述密封压盖下方的真空离子源腔体底板上设置有顶起机构,通孔两侧分别设置有与密封压盖和靶槽相匹配的上密封圈和下密封圈,所述顶起机构底座和真空离子源腔体底板之间均匀设置有多个压簧,顶起机构底座上设置的调节螺杆旋拧在真空离子源腔体底板上。本实用新型结构简单,安装方便,密封效果好,便于取放靶板。

Description

可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置
技术领域
本实用新型涉及基质辅助激光解析离子源技术领域,尤其是涉及一种可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置。
背景技术
基质辅助激光解析离子源是对固态样品进行解析的过程,样品在常压下制成靶板,经过进样机构进入真空离子源腔体之后进行定位解析。离子源腔体内部处于高真空环境,因此靶板在送入或取出的过程中,均需借助基质辅助激光解析离子源进出样装置保证样品在不同压力环境下的过渡,尽量减少压差对解析造成的影响。
授权公告号为205246600U的中国专利公开了一种基质辅助激光解析离子源进出样装置,包括真空离子源腔体以及设置在其内腔中的可以水平移动的运动平台,运动平台上方设置有用于安放靶板的靶槽,真空离子源腔体顶盖上开设有与靶槽形状相匹配的通孔,通孔上方设置有密封压盖,位于密封压盖下方的真空离子源腔体底板上固定安装有顶起机构,通孔周围的顶盖上设置有上、下密封圈。在进出样过程中,顶起机构和运动平台相配合,将靶槽向通孔方向顶起,同时盖上密封压盖,使压盖和靶槽分别压合上、下密封圈形成密封腔。之后,对密封腔进行增压或减压,直至密封腔内与大气环境或真空离子源腔体内的压力相当,使样品完成压力的平稳过渡。
因为真空离子源腔体的高度固定不可调,需要提高加工精度和装配精度来保证顶起机构的高度,使其顶起靶槽时,能够恰到好处地压合下密封圈。但通常会出现顶起机构过高或过低的现象,若顶起高度过低,靶槽不能压合下密封圈或者压合量不够,不能形成与真空离子源腔体完全隔离的密封腔,对密封腔进行抽放气时,会使真空离子源腔体的真空度发生变化,从而影响仪器的正常使用,另外,由于密封腔与外界环境存在压差,因此无法打开,影响正常换靶;若顶起高度过高,靶槽对下密封圈过度压合,容易导致下密封圈失去弹性,影响密封性能。
发明内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置。
为实现上述目的,本实用新型可采取下述技术方案:
本实用新型所述的可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,包括真空离子源腔体以及设置在其内腔中的运动平台,所述运动平台上方设置有用于安放靶板的靶槽,所述真空离子源腔体顶盖上开设有与所述靶槽形状相匹配的通孔,所述通孔上方设置有密封压盖,位于所述密封压盖下方的真空离子源腔体底板上设置有顶起机构,通孔两侧分别设置有与密封压盖和靶槽相匹配的上密封圈和下密封圈,所述顶起机构底座和真空离子源腔体底板之间均匀设置有多个压簧,顶起机构底座上设置的调节螺杆旋拧在真空离子源腔体底板上。
所述压簧两端分别位于所述顶起机构底座和真空离子源腔体底板上开设的安装孔中。
本实用新型提供的可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,结构简单,安装方便,通过选择形变合适的压簧和调整调节螺杆的松紧度使顶起机构和真空离子源腔体的高度相匹配,从而控制靶槽对下密封圈的压缩量,达到较好的密封效果,形成与真空离子源腔体相对独立的密封腔,便于取放靶板。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2是本实用新型顶起机构的结构示意图。
具体实施方式
如图1、2所示,本实用新型所述的可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,包括真空离子源腔体1以及设置在其内腔中的可以水平移动的运动平台2,运动平台2上方可以用于设置安放靶板3的靶槽4,真空离子源腔体1顶盖上开设有与靶槽4形状相匹配的通孔,通孔上方设置有密封压盖5,位于密封压盖5下方的真空离子源腔体1底板上设置有顶起机构6,通孔两侧分别设置有与密封压盖5和靶槽4相匹配的上7密封圈和下密封圈8。为了使顶起机构6和真空离子源腔体1的高度相匹配,控制靶槽4对下密封圈8的压缩量,达到较好的密封效果,上述顶起机构6的底座和真空离子源腔体1底板通过调节螺杆10连接,并均匀设置有多个压簧9。如图2所示,顶起机构6的底座为矩形,在其四角分别开设有安装孔,四根压簧9分别穿设在上述安装孔内,另一端穿设在真空离子源腔体1底板上对应开设的安装孔内。以上安装方式,可以对压簧9起到限位作用,同时,保证顶起机构6的平稳性。而调节螺杆10则穿过顶起机构6的底座并旋拧在真空离子源腔体1的底板上。
当顶起机构6因加工误差或安装误差造成高度不够时,均匀拧松调节螺杆10,利用压簧9的形变回复力使顶起机构6整体上移,补偿靶槽4与下密封圈8之间的压合力;当顶起机构6高度过高时,均匀拧紧调节螺杆10,使顶起机构6下移调整至合适的高度,与真空离子源腔体1相匹配,防止靶槽4对下密封圈8的过渡压合。

Claims (2)

1.一种可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,包括真空离子源腔体(1)以及设置在其内腔中的运动平台(2),所述运动平台(2)上方设置有用于安放靶板(3)的靶槽(4),所述真空离子源腔体(1)顶盖上开设有与所述靶槽(4)形状相匹配的通孔,所述通孔上方设置有密封压盖(5),位于所述密封压盖(5)下方的真空离子源腔体(1)底板上设置有顶起机构(6),通孔两侧分别设置有与密封压盖(5)和靶槽(4)相匹配的上密封圈(7)和下密封圈(8),其特征在于:所述顶起机构(6)底座和真空离子源腔体(1)底板之间均匀设置有多个压簧(9),顶起机构(6)底座上设置的调节螺杆(10)旋拧在真空离子源腔体(1)底板上。
2.根据权利要求1所述的可调式基质辅助激光解析离子源进出样装置,其特征在于:所述压簧(9)两端分别位于所述顶起机构(6)底座和真空离子源腔体(1)底板上开设的安装孔中。
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CN107907584A (zh) * 2017-12-15 2018-04-13 德信致安(天津)科技有限公司 一种基质辅助激光解析离子源真空进样装置

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CN107907584A (zh) * 2017-12-15 2018-04-13 德信致安(天津)科技有限公司 一种基质辅助激光解析离子源真空进样装置
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