CN205790076U - 一种具有光萃取结构的oled器件 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种具有光萃取结构的OLED器件，包括：SiO2/Ti3O5层；SiO2/Ti3O5的附着层；SiO2/Ti3O5层的形成方法。所述SiO2/Ti3O5层，以均匀沉积的方式沉积到附着层上，附着层可以是玻璃、塑料，SiO2/Ti3O5沉积层的形成方法是电子枪轰击。该光萃取方法可以有效的提高器件的透过率，提高OLED的发光效率。
Description
【技术领域】
本实用新型属于OLED显示与照明技术领域，具体涉及一种具有光萃取结构的OLED器件。
【背景技术】
OLED由于主动发光、可视度和亮度高、电压需求低且省电、反应快、重量轻、厚度薄，构造简单，成本低等，被视为21世纪最具前途的产品之一。OLED的基本结构是由一薄而透明具半导体特性之铟锡氧化物(ITO)，与电力之正极相连，再加上另一个金属阴极，包成如三明治的结构。整个结构层中包括了：空穴传输层(HTL)、发光层(EL)与电子传输层(ETL)。当电力供应至适当电压时，正极空穴与阴极电荷就会在发光层中结合，产生光亮，依其配方不同产生红、绿和蓝RGB三原色，构成基本色彩。但是由于OLED器件本身多层平面介质折射率不匹配的固有缺陷，导致外量子效率仅为20％左右，其中波导模式损失了约15％，基底模式损失了约23％，表面等离子基元(Surface Plasmon)损失约40％，电极吸收约4％。通常用于对OLED器件进行光萃取的金属纳米颗粒等，由于严格的周期条件或金属本身吸收特性，造成光增强吸收存在波长依赖性、角度依赖性和偏振敏感的缺陷，从而会影响到器件增强吸收光子的效果。
【实用新型内容】
本实用新型的目的在于针对现有技术存在的缺陷和不足，提供一种具有光萃取结构的OLED器件。该结构既能够有效的增强出光量，又能不破坏有机层的均匀度，减少缺陷。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种具有光萃取结构的OLED器件，包括：由下而上依次层叠设置的光萃取层、基板、阳极、空穴传输层、发光层及电子传输层、电子注入层和阴极；所述的光萃取层由SiO2层和Ti3O5层构成，Ti3O5层与基板接触；阳极和阴极上分别引出正极引线与负极引线。
所述的SiO2层和Ti3O5层的层数分别为一层或者多层。
多层SiO2层和Ti3O5层交替层叠设置。
所述的基板采用玻璃基板或塑料基板。
所述的空穴传输层采用NPB材料制成。
所述的发光层及电子传输层采用Alq3材料制成。
所述的电子注入层采用LiF材料制成。
所述的阳极采用Al材料制成。
与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：
本实用新型增加了SiO2层/Ti3O5层制成的光萃取层。光萃取层的引入增强了透过率，降低了光线的反射，使得更多的光能透过器件，可以提高OLED的发光效率。既能够有效的增强出光量，又能不破坏薄膜的均匀度，减少缺陷。
【附图说明】
图1为本实用新型一种具有光萃取结构的OLED器件示意图。
其中，1为SiO2层，2为Ti3O5层，3为基板，4为阳极，5为空穴传输层，6为发光层及电子传输层，7为电子注入层，8为阴极；
图2为本实用新型OLED器件的电压-发光亮度关系曲线。
【具体实施方式】
下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步说明，本实用新型不限于以下实施例。
参见图1，一种具有光萃取结构的OLED器件，包括SiO2层1、Ti3O5层2、以及由下而上依次层叠于基板3上的阳极4、空穴传输层5、发光层及电子传输层6，电子注入层7，阴极8。
其中，所述SiO2/Ti3O5层，以均匀沉积的方式沉积到附着层上，附着层可以是玻璃、塑料，SiO2/Ti3O5沉积层的形成方法是电子枪轰击。该光萃取方法可以有效的提高器件的透过率，提高OLED的发光效率。多层SiO2层1和Ti3O5层2至少设置一层，设置多层时，SiO2层1和Ti3O5层2交替层叠设置，上下位置不限制。
实施例1
基板3采用玻璃基板，阳极4采用ITO阳极，空穴传输层5采用NPB蒸镀制成，发光层及电子传输层6采用Alq3制成，电子注入层7采用LiF制成，阴极8采用Al制成。光萃取层为SiO2层1、Ti3O5层2两层构成。
为验证本实用新型的效果，分别制备了无光萃取结构的OLED器件A和有光萃取结构的OLED器件B，按图1的结构分别在玻璃基板3的一侧沉积上SiO2层1和Ti3O5层2，器件A则不需要沉积SiO2层1和Ti3O5层2，之后在另一侧的阳极2上蒸镀空穴传输层5(NPB)、发光层及电子传输层6(Alq3)，电子注入层7(LiF)，阴极8(Al)，最终得到不同的OLED器件，通过测试器件的电流、电压、发光光谱等性能，对比观察光萃取效果。
参见图2，有图可知，在同一电压下，器件B相较于器件A亮度明显提高。说明SiO2/Ti3O5层增强了透射能力，降低了光线的反射，使得更多的光能透过器件。
以上所述仅为本实用新型的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本实用新型说明书而对本实用新型技术方案采取的任何等效的变换，均为本实用新型的权利要求所涵盖。
Claims (8)
1.一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，包括：由下而上依次层叠设置的光萃取层、基板(3)、阳极(4)、空穴传输层(5)、发光层及电子传输层(6)、电子注入层(7)和阴极(8)；所述的光萃取层由SiO2层(1)和Ti3O5层(2)构成；阳极(4)和阴极(8)上分别引出正极引线与负极引线。
2.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的SiO2层(1)和Ti3O5层(2)分别为一层或者多层。
3.根据权利要求2所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，多层的SiO2层(1)和Ti3O5层(2)交替层叠设置。
4.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的基板(3)采用玻璃基板或塑料基板。
5.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的空穴传输层(5)采用NPB材料制成。
6.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的发光层及电子传输层(6)采用Alq3材料制成。
7.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的电子注入层(7)采用LiF材料制成。
8.根据权利要求1所述的一种具有光萃取结构的OLED器件，其特征在于，所述的阳极(8)采用Al材料制成。
Priority Applications (1)
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| CN201620499517.4U CN205790076U (zh) | 2016-05-26 | 2016-05-26 | 一种具有光萃取结构的oled器件 |
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| CN205790076U true CN205790076U (zh) | 2016-12-07 |
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Family Applications (1)
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2016
- 2016-05-26 CN CN201620499517.4U patent/CN205790076U/zh not_active Expired - Fee Related
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