CN101515633B - 一种有机电致发光显示器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属于平板显示技术领域，涉及有机电致发光显示器件的制备方法，步骤如下：1)在导电基板上印刷ITO阳极图形，将印有阳极的基板进行超声清洗，在真空室中进行臭氧离子轰击处理；2)在基板上制备NPB空穴传输层；3)空穴传输层上制备发光层；4)在发光层上制备Alq3电子传输层；5)电子传输层上制备CuPc/LiF/Al功能插层；6)在功能插层上制备第二空穴传输层；7)在第二空穴传输层上制备第二发光层；8)在第二发光层上制备第二Alq3电子传输层；9)在第二Alq3电子传输层上制备LiF/Al混合阴极；10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。本发明的有机电致发光显示器件OLED，制备工艺简单，可实现高亮度窄带发射。
Description
技术领域
本发明属于平板显示技术领域，涉及一种有机电致发光显示器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光显示器件，简称OLED，因为具有发光效率高、驱动电压低、制备工艺简单、成本低、超薄以及具有面发射和全色显示等特点，成为光电子器件和平板显示领域中最有前景的技术之一。通常，有机电致发光显示器件由基板，氧化铟锡ITO阳极，NPB空穴传输层，由蒸镀红光材料为Alq3掺杂3％的4-(二氰亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲氨基苯乙烯基)-4H-吡喃；绿光材料为Alq3掺杂5％的香豆素；蓝光材料为蒽中掺杂4％的苝制作的发光层与LIF/Al阴极这五层结构组成，但由于振动边带和不均匀加宽效应，无论是有机小分子还是高分子聚合物发光材料，其光谱半峰宽往往大于80nm，因而在利用红、绿、蓝三基色合成而制备的彩色显示器中利用效率很低。目前制备具有窄带发射的有机电致发光显示器件OLED是研究的热点内容，现有技术为将有窄带发射的稀土金属配合物发光材料应用到OLED中实现窄带发射，但与宽带发射的有机电致发光材料相比，其发光亮度低、发光效率低和性能稳定性差，具有一定的局限性。
发明内容
针对现有技术中的有机电致发光显示器件发光亮度低、发光效率低和性能稳定性差的技术问题，本发明提供一种有机电致发光显示器件的制备方法，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在5-50Pa间，对基底进行轰击5min-20min。
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，厚度为40-80nm。
3)在NPB第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为20-50nm。
4)在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为10-40nm。
5)在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为0.1-10.0nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别5-20nm、0.1-5nm和1.0-10nm。
6)在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层。系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，厚度为40-80nm。
7)在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层。系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为20-50nm。
8)在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为10-40nm。
9)在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为0.1-10.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.1-5nm和50-300nm。
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
本发明的有机电致发光显示器件OLED，实现有机电致发光显示器件OLED高亮度的窄带发射。采用该结构制备的有机电致发光显示器件OLED不仅实现了窄带发射，而且与传统结构的OLED相比，其发光强度大大增强，并能够实现波长的可调谐性及实现彩色显示。本发明运用CuPc/LiF/Al插层将整个有机电致发光显示器件OLED分为功能插层一金属和功能插层一氧化铟锡ITO结构的两组微腔型发光单元，CuPc/LiF/Al既可以作为顶发射单元的阳极，又可以作为低发射单元的阴极，这种器件结构制备工艺简单，可实现有机电致发光显示器件OLED高亮度窄带发射，是提高有机电致发光显示器件OLED综合性能的有效途径。
附图说明
图1本发明有机电致发光显示器件结构示意图
图2传统有机电致发光显示器件结构示意图
具体实施方式
实施例1
一种有机电致发光显示器件的制备方法，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板1上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极2图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净。最后在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在50Pa，对基底进行轰击20min。
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层3，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1n m/s，厚度为80nm。
3)在NPB第一空穴传输层3上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层4，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为20nm。
4)在第一发光层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层6，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1n m/s，厚度为40nm。
5)在Alq3第一电子传输层6上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层7，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层7材料的沉积速率为0.1nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别为20nm、5nm和1.0nm。
6)在CuPc/LiF/Al功能插层7上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层8。系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为1.5nm/s，厚度为40nm。
7)在第二空穴传输层8上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层9。系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为20nm。
8)在第二发光层9上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层10，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为40nm。
9)在第二Alq3电子传输层10上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极5，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为0.1nm/s，LiF和Al的厚度分别5nm和50nm。
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
实施例2
一种有机电致发光显示器件的制备方法，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板1上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极2图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，的去离子水中进行超声清洗，再用去离子水冲洗干净，然后分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，最后在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在5Pa间，对基底进行轰击5min。
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层3，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为1.5nm/s，厚度为40nm。
3)在NPB第一空穴传输层3上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层4，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为50nm。
4)在第一发光层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层6，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为10nm。
5)在Alq3第一电子传输层6上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、Li F和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层7，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层7材料的沉积速率为10.0nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别为5nm、0.1nm和10nm。
6)在CuPc/LiF/Al功能插层7上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层8。系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1nm/s，厚度为80nm。
7)在第二空穴传输层8上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层9。系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为50nm。
8)在第二发光层9上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层10，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为10nm。
9)在第二Alq3电子传输层10上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极5，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为10.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.1nm和300nm。
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
实施例3
一种有机电致发光显示器件的制备方法，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板1上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极2图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板在有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，再用去离子水冲洗干净，然后分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，最后在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在30Pa，对基底进行轰击15min。
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极2图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层3，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为1.0nm/s，厚度为60nm。
3)在NPB第一空穴传输层3上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层4，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.5nm/s，厚度为30nm。
4)在第一发光层4上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层6，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为10nm/s，厚度为30nm。
5)在Alq3第一电子传输层6上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层7，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层7材料的沉积速率为0.5nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别为12nm、3nm和5nm。
6)在CuPc/LiF/Al功能插层7上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层8。系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1nm/s，厚度为60nm。
7)在第二空穴传输层8上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层9。系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为1.0nm/s，厚度为30nm。
8)在第二发光层9上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层10，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为1.0nm/s，厚度为30nm。
9)在第二Alq3电子传输层10上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极5，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为5.0nm/s，LiF和Al的厚度分别3nm和200nm。
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
本发明提出的新型插层结构的有机电致发光显示器件中，在现有的有机电致发光显示器件结构的基础上，在第一发光层与LiF/Al阴极之间又制备出第一Alq3电子传输层6、CuPc/LiF/Al功能插层7、第二空穴传输层8、第二发光层9、第二Alq3电子传输层10，CuPc/LiF/Al插层作为半透半反镜与LiF/Al作为全反射镜面的阴极构成平面微腔。采用本发明制备的有机电致发光显示器件的红、绿、蓝三基色发射波长的半峰宽分别达到了30-50nm、40-55nm、35-60nm，与采用传统结构制备的器件相比有了显著的优化(采用传统结构制备的器件的红、绿、蓝三基色发射波长的半峰宽分别为68nm、80nm、92nm)，色纯度得到了显著的提高。采用本发明制备的有机电子发光显示器件的最大发光亮度达到了1000-1500cd/m2，而传统结构的器件仅为650cd/m2。
Claims (3)
1.一种有机电致发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将真空室压强控制在5-50Pa之间，对基底进行轰击5min-20min；
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，厚度为40-80nm；
3)在NPB第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为20-50nm；
4)在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为10-40nm；
5)在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为0.1-10.0nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别5-20nm、0.1-5nm和1.0-10nm；
6)在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1-1.5nm/s，厚度为40-80nm；
7)在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为20-50nm；
8)在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1-2.0nm/s，厚度为10-40nm；
9)在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为0.1-10.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.1-5nm和50-300nm；
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在50Pa，对基底进行轰击20min；
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1nm/s，厚度为80nm；
3)在第一NPB空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为20nm；
4)在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为40nm；
5)在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为0.1nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别20nm、5nm和1.0nm；
6)在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为1.5nm/s，厚度为40nm；
7)在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为20nm；
8)在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为40nm；
9)在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为0.1nm/s，LiF和Al的厚度分别5nm和50nm；
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在清洗干净的导电基板上印刷有机电致发光显示器件OLED的氧化铟锡ITO阳极图形，将印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板分别用甲苯、乙醇和丙酮进行超声清洗，再用去离子水浸洗干净，最后在真空室中进行臭氧离子轰击处理，将压强控制在5Pa，对基底进行轰击5min；
2)用真空蒸镀的方法在印刷好氧化铟锡ITO阳极图形的基板上蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备NPB第一空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为1.5nm/s，厚度为40nm；
3)在NPB第一空穴传输层上，采用现有技术真空蒸镀的方法蒸镀红绿蓝有机发光材料，制备第一发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为50nm；
4)在第一发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备Alq3第一电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为10nm；
5)在Alq3第一电子传输层上，采用真空蒸镀的方法依次蒸镀功能插层材料CuPc、LiF和Al，制备CuPc/LiF/Al功能插层，系统真空度维持在5×10-5Pa，CuPc/LiF/Al功能插层材料的沉积速率为10.0nm/s，CuPc、LiF和Al的厚度分别5nm、0.1nm和10nm；
6)在CuPc/LiF/Al功能插层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀空穴传输层材料N，N’-双(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1’-二苯基-4，4’-二胺，简称NPB，制备第二空穴传输层，系统真空度在5×10-5Pa，NPB沉积速率为0.1nm/s，厚度为80nm；
7)在第二空穴传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀有机发光材料，制备第二发光层，系统真空度维持在5×10-5Pa，有机发光材料的沉积速率为0.1nm/s，厚度为50nm；
8)在第二发光层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀电子传输材料8-羟基喹啉铝Alq3，制备第二Alq3电子传输层，系统真空度维持在5×10-5Pa，电子传输材料的沉积速率为2.0nm/s，厚度为10nm；
9)在第二Alq3电子传输层上，采用真空蒸镀的方法蒸镀阴极材料LiF和Al，制备LiF/Al混合阴极，系统真空度维持在5×10-5Pa，阴极材料的沉积速率为10.0nm/s，LiF和Al的厚度分别0.1nm和300nm；
10)采用封装基板对器件进行整体封装，完成器件制备。
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