CN205684409U - 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置 - Google Patents

一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置 Download PDF

Info

Publication number
CN205684409U
CN205684409U CN201620574021.9U CN201620574021U CN205684409U CN 205684409 U CN205684409 U CN 205684409U CN 201620574021 U CN201620574021 U CN 201620574021U CN 205684409 U CN205684409 U CN 205684409U
Authority
CN
China
Prior art keywords
hcl
synthetic furnace
steam
distributing disc
trichlorosilane synthetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201620574021.9U
Other languages
English (en)
Inventor
朱克虎
刘军
盛长海
王振荣
李英
彭冬寿
尹东林
王体虎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Original Assignee
Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asia Silicon Qinghai Co Ltd filed Critical Asia Silicon Qinghai Co Ltd
Priority to CN201620574021.9U priority Critical patent/CN205684409U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205684409U publication Critical patent/CN205684409U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本实用新型涉及一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,该装置包括底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手的水箱和设在所述水箱底部中心的蒸气盘管。所述蒸气盘管上均布有数个气孔,且该蒸气盘管的一端与低压蒸汽管线相连。本实用新型结构简单,易于实现,不但操作简单、清洗彻底,而且缩短了清洗时间,降低了检修人员的劳动强度,从而提高了工作效率和清洗效果,同时节约了大量的工业用水。

Description

一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置
技术领域
本实用新型涉及多晶硅生产技术领域,尤其涉及一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置。
背景技术
随着全球新能源替代和我国电子产业及太阳能光伏产业迅猛发展,多晶硅市场需求迅速增长,整个行业面临着降低成本和保护环境的双重压力,如何实现系统的闭路循环,降低成本,减小环境污染,成为了企业发展的根本。
目前,在大规模多晶硅生产中,90%的生产厂采用改良西门子法,其主要原料是三氯氢硅。三氯氢硅的合成可在沸腾床和固定床两种设备中进行,与固定床相比,沸腾床合成三氯氢硅的方法,具有生产能力大、可连续生产、产品中三氯氢硅含量高、生产成本低以及有利于采用催化反应等优点。但在沸腾床使用过程中,三氯氢硅合成炉HCl分布盘容易造成结堵,导致HCl分布不均匀、合成炉底部反应温度增高,从而使合成炉三氯氢硅转化率降低,而且容易损坏三氯氢硅合成炉HCl分布盘。基于上述情况,在生产过程中须定期对三氯氢硅合成炉HCl分布盘进行清理和清洗。
常规的处理方法是将三氯氢硅合成炉HCl分布盘置于一定量的水中侵泡2小时候后人工进行清理,由于残留的大量硅粉和硅烷结晶物粘结到三氯氢硅合成炉HCl分布盘上,并使分布盘气孔结堵严重,采用工业用水直接冲洗,无法彻底清洗干净残留物,同时造成工业水在大量浪费。另外1台三氯氢硅合成炉HCl分布盘需要2名工作人员清理2天,费时、费工,而且清洗频率高,检修周期短。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种提高工作效率和清洗效果的清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置。
为解决上述问题,本实用新型所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:该装置包括底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手的水箱和设在所述水箱底部中心的蒸气盘管;所述蒸气盘管上均布有数个气孔,且该蒸气盘管的一端与低压蒸汽管线相连。
所述蒸气盘管通过卡扣用螺栓连接固定在所述水箱底部中心。
所述气孔呈圆形或方形。
所述蒸气盘管的一端穿过蒸汽预留口通过法兰与所述低压蒸汽管线相连。
所述蒸气盘管内的低压蒸汽压力为0.15 MPa ~0.45MPa。
本实用新型与现有技术相比具有以下优点:
1、本实用新型中的水箱底部四角设有滑轮且对应的两个侧面设有把手,可根据工艺检测点挪动。
2、本实用新型为常压敞开式清洗,不需加压密封清洗,不但操作简单、清洗彻底,而且缩短了清洗时间,降低了检修人员的劳动强度,从而提高了工作效率和清洗效果,同时节约了大量的工业用水。
3、本实用新型结构简单,易于实现。采用实用新型清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘后的工业水可做净化处理。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
图1为本实用新型的结构示意图。
图中:1-水箱,2-蒸气盘管,3-气孔,4-蒸汽预留口,5-把手,6-卡扣,7-滑轮,8-螺栓。
具体实施方式
如图1所示,一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,该装置包括底部四角设有滑轮7且对应的两个侧面设有把手5的水箱1和设在水箱1底部中心的蒸气盘管2。
蒸气盘管2上均布有数个气孔3,且该蒸气盘管2的一端与低压蒸汽管线相连。
其中:
蒸气盘管2通过卡扣6用螺栓8连接固定在水箱1底部中心。
气孔3呈圆形或方形。
蒸气盘管2的一端穿过蒸汽预留口4通过法兰与低压蒸汽管线相连。
蒸气盘管2内的低压蒸汽压力为0.15 MPa ~0.45MPa。
水箱1材质为碳钢。蒸气盘管2材质为碳钢管,使用过程中可根据被清洗污垢性质选择其他材质。
使用时,将三氯氢硅合成炉HCl分布盘放置于蒸气盘管2上,在水箱1内通入工业水至水箱1/2处,打开蒸汽总管控制阀通入蒸气。当不断通入的蒸气使水加热至沸腾时,浸泡在蒸气盘管2上的三氯氢硅合成炉HCl分布盘与不断沸腾的热水鼓泡接触,使残留在三氯氢硅合成炉HCl分布盘内的硅烷结晶物充分溶解,从而使得三氯氢硅合成炉HCl分布盘被彻底的清洗。
若结晶物不易清除时,加入适量碱性化学试剂,提高清洗效果。

Claims (5)

1.一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:该装置包括底部四角设有滑轮(7)且对应的两个侧面设有把手(5)的水箱(1)和设在所述水箱(1)底部中心的蒸气盘管(2);所述蒸气盘管(2)上均布有数个气孔(3),且该蒸气盘管(2)的一端与低压蒸汽管线相连。
2.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:所述蒸气盘管(2)通过卡扣(6)用螺栓(8)连接固定在所述水箱(1)底部中心。
3.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:所述气孔(3)呈圆形或方形。
4.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:所述蒸气盘管(2)的一端穿过蒸汽预留口(4)通过法兰与所述低压蒸汽管线相连。
5.如权利要求1所述的一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置,其特征在于:所述蒸气盘管(2)内的低压蒸汽压力为0.15 MPa ~0.45MPa。
CN201620574021.9U 2016-06-15 2016-06-15 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置 Active CN205684409U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620574021.9U CN205684409U (zh) 2016-06-15 2016-06-15 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201620574021.9U CN205684409U (zh) 2016-06-15 2016-06-15 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205684409U true CN205684409U (zh) 2016-11-16

Family

ID=57427031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201620574021.9U Active CN205684409U (zh) 2016-06-15 2016-06-15 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205684409U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110421485A (zh) * 2019-08-25 2019-11-08 山东理工大学 一种三棱台气压喷孔悬浮磨料池光整加工装置及方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110421485A (zh) * 2019-08-25 2019-11-08 山东理工大学 一种三棱台气压喷孔悬浮磨料池光整加工装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104176723A (zh) 小管径碳纳米管的纯化装置及方法
CN205684409U (zh) 一种清洗三氯氢硅合成炉HCl分布盘的装置
CN104307241A (zh) 一种陶瓷过滤机的清洗方法
CN104772214A (zh) 一种粉煤灰高效除铁的方法
CN100560496C (zh) 外冷变换气制碱清洗工艺
CN105129783A (zh) 一种以脱硫渣为原料提纯石墨的装置及加工工艺
CN107716480B (zh) 一种用于食品工业管道在线清洁的装置及其运行方法
CN102060304B (zh) 用于水玻璃生产中放料与过滤的设备及加工方法
CN205701656U (zh) 一种废耐材酸洗系统
CN202136905U (zh) 废气处理装置
CN103450249B (zh) 甲基环硅氧烷的精制方法
CN107973569B (zh) 一种高粘结强度无机混凝土界面粘合剂的制备方法
CN102160988A (zh) 一种印染废水处理材料的制备方法
CN202989012U (zh) 一种化学法脱除异戊二烯中微量环戊二烯的装置
CN101735525B (zh) 防漏剂
CN106044780B (zh) 一种用石英粉生产橡胶添加剂的方法
CN205528453U (zh) 一种由生石灰制备氢氧化钙的粉尘热能处理装置
CN201381228Y (zh) 一种提纯人造金刚石除石墨和处理废气的装置
CN204417426U (zh) 一种裂解油油品净化装置
CN202849283U (zh) 一种脱除焦化苯中的噻吩硫的装置
CN201988388U (zh) 人造金刚石除石墨装置
CN201543376U (zh) 一种烟气处理装置
CN203998972U (zh) 碳化硅微粉的酸洗装置
CN203307061U (zh) 水玻璃沥水灌装设备
CN101880064A (zh) 一种生产高锰酸钠的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CP03 Change of name, title or address

Address after: 810007 No.1, Jinsi Road, Chengdong economic and Technological Development Zone, Xining City, Qinghai Province

Patentee after: Asia silicon (Qinghai) Co.,Ltd.

Address before: 810007 Qinghai city of Xining Province Economic and Technological Development Zone No. 1 gold Guilu

Patentee before: ASIA SILICON (QINGHAI) Co.,Ltd.

CP03 Change of name, title or address