CN205609501U - 高导热系数整流半导体器件 - Google Patents

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Abstract

本实用新型一种高导热系数整流半导体器件，其第一引线条一端是与二极管芯片连接的支撑区，所述二极管芯片一端通过焊锡膏与该支撑区电连接，第一引线条另一端是引脚区，该第一引线条的引脚区作为所述整流器的电流传输端；第二引线条一端是与所述连接片的第一焊接端连接的焊接区，该第二引线条另一端为引脚区，该第二引线条的引脚区作为所述整流器的电流传输端；所述连接片第二焊接端与二极管芯片另一端通过焊锡膏电连接；环氧封装体位于二极管芯片和支撑区正下方的下表面具有一内陷的弧形面。本实用新型在与PCB板之间形成一气流通道，有利于器件的热量快速的散热，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，大大提高了器件的散热性能。

Description

高导热系数整流半导体器件
技术领域
本实用新型涉及一种整流半导体器件，尤其涉及一种高导热系数整流半导体器件。
背景技术
高导热系数整流半导体器件是一种具有单向传导电流的电子器件，现有高导热系数整流半导体器件主要存以下技术问题：现有技术产品厚度大，散热性能不佳，客户希望产品能有更好的散热性，占用PCB 板空间较大，不适应终端产品小型化的需求；产品散热性能不佳，造成终端产品发热量大，不利于节能环保；不适用回流焊方式焊接，PCB板上其他产品需要用回流焊方式焊接时整个PCB 板需要二次受热，会对已组装的器件带来损害等技术问题。
发明内容
本实用新型目的是提供一种高导热系数整流半导体器件，该高导热系数整流半导体器件在与PCB 板之间形成一气流通道，有利于器件的热量快速的散热，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，大大提高了器件的散热性能。
为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高导热系数整流半导体器件，包括位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片，该第一引线条一端是与二极管芯片连接的支撑区，所述二极管芯片一端通过焊锡膏与该支撑区电连接，第一引线条另一端是引脚区，该第一引线条的引脚区作为所述整流器的电流传输端；
所述第二引线条一端是与所述连接片的第一焊接端连接的焊接区，该第二引线条另一端为引脚区，该第二引线条的引脚区作为所述整流器的电流传输端；所述连接片第二焊接端与二极管芯片另一端通过焊锡膏电连接；
所述环氧封装体位于二极管芯片和支撑区正下方的下表面具有一内陷的弧形面。
上述技术方案中进一步改进的方案如下：
1. 上述方案中，所述第一引线条的支撑区与引脚区之间区域设有一第一折弯处，从而使得第一引线条的支撑区低于引脚区。
2. 上述方案中，所述第二引线条的焊接区与引脚区之间区域设有一第二折弯处，从而使得第二引线条的焊接区低于引脚区。
3. 上述方案中，所述连接片的第一焊接端和第二焊接端之间设有第三折弯处，从而使得第一焊接端低于第二焊接端。
由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果：
本实用新型高导热系数整流半导体器件，其环氧封装体位于二极管芯片和支撑区正下方的下表面具有一内陷的弧形面，在与PCB 板之间形成一气流通道，有利于器件的热量快速的散热，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，大大提高了器件的散热性能。
附图说明
附图1为本实用新型高导热系数整流半导体器件结构示意图。
以上附图中：1、第一引线条；2、第二引线条；3、连接片；31、第一焊接端；32、第二焊接端；4、二极管芯片；5、支撑区；61、引脚区；62、引脚区；7、焊接区；8、挡块；9、第一折弯处；10、第二折弯处；11、第三折弯处；12、环氧封装体；13、弧形面。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述：
实施例1：一种高导热系数整流半导体器件，包括位于环氧封装体12内的第一引线条1、第二引线条2、连接片3和二极管芯片4，该第一引线条1一端是与二极管芯片4连接的支撑区5，所述二极管芯片4一端通过焊锡膏与该支撑区5电连接，第一引线条1另一端是引脚区61，该第一引线条1的引脚区61作为所述整流器的电流传输端；
所述第二引线条2一端是与所述连接片3的第一焊接端31连接的焊接区7，该第二引线条2另一端为引脚区62，该第二引线条2的引脚区62作为所述整流器的电流传输端；所述连接片3第二焊接端32与二极管芯片4另一端通过焊锡膏电连接；
所述环氧封装体12位于二极管芯片4和支撑区5正下方的下表面具有一内陷的弧形面13。
上述连接片3的第一焊接端31和第二焊接端32之间设有第三折弯处11，从而使得第一焊接端低于第二焊接端。
实施例2：一种高导热系数整流半导体器件，包括位于环氧封装体12内的第一引线条1、第二引线条2、连接片3和二极管芯片4，该第一引线条1一端是与二极管芯片4连接的支撑区5，所述二极管芯片4一端通过焊锡膏与该支撑区5电连接，第一引线条1另一端是引脚区61，该第一引线条1的引脚区61作为所述整流器的电流传输端；
所述第二引线条2一端是与所述连接片3的第一焊接端31连接的焊接区7，该第二引线条2另一端为引脚区62，该第二引线条2的引脚区62作为所述整流器的电流传输端；所述连接片3第二焊接端32与二极管芯片4另一端通过焊锡膏电连接；
所述环氧封装体12位于二极管芯片4和支撑区5正下方的下表面具有一内陷的弧形面13。
上述第一引线条1的支撑区5与引脚区61之间区域设有一第一折弯处9，从而使得第一引线条1的支撑区5低于引脚区61。
采用上述高导热系数整流半导体器件时，其环氧封装体位于二极管芯片和支撑区正下方的下表面具有一内陷的弧形面，在与PCB 板之间形成一气流通道，有利于器件的热量快速的散热，避免了现有产品的通过机箱内的空气对流散热，大大提高了器件的散热性能。
上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1. 一种高导热系数整流半导体器件，其特征在于：包括位于环氧封装体（12）内的第一引线条（1）、第二引线条（2）、连接片（3）和二极管芯片（4），该第一引线条（1）一端是与二极管芯片（4）连接的支撑区（5），所述二极管芯片（4）一端通过焊锡膏与该支撑区（5）电连接，第一引线条（1）另一端是引脚区（61），该第一引线条（1）的引脚区（61）作为所述整流器的电流传输端；
所述第二引线条（2）一端是与所述连接片（3）的第一焊接端（31）连接的焊接区（7），该第二引线条（2）另一端为引脚区（62），该第二引线条（2）的引脚区（62）作为所述整流器的电流传输端；所述连接片（3）第二焊接端（32）与二极管芯片（4）另一端通过焊锡膏电连接；
所述环氧封装体（12）位于二极管芯片（4）和支撑区（5）正下方的下表面具有一内陷的弧形面（13）。
2. 根据权利要求1所述高导热系数整流半导体器件，其特征在于：所述第一引线条（1）的支撑区（5）与引脚区（61）之间区域设有一第一折弯处（9），从而使得第一引线条（1）的支撑区（5）低于引脚区（61）。
3. 根据权利要求1所述高导热系数整流半导体器件，其特征在于：所述第二引线条（2）的焊接区（7）与引脚区（62）之间区域设有一第二折弯处（10），从而使得第二引线条（2）的焊接区（7）低于引脚区（62）。
4. 根据权利要求1所述高导热系数整流半导体器件，其特征在于：所述连接片（3）的第一焊接端（31）和第二焊接端（32）之间设有第三折弯处（11），从而使得第一焊接端低于第二焊接端。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN107293525A (zh) * 2017-08-12 2017-10-24 苏州锝耀电子有限公司 贴片式sod二极管
CN107492530A (zh) * 2017-08-12 2017-12-19 苏州锝耀电子有限公司 高可靠性整流半导体器件

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