CN205595330U - 一种内嵌pmos触发的用于静电防护的可控硅 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极,所述N阱包括第一N阱、第二N阱,所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区,所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区;通过多晶硅栅、第一P+注入区和第二P+注入区在第一N阱上构成PMOS结构,能够在降低可控硅触发电压的同时提高维持电压,从而减小它的ESD工作窗口。本实用新型提供的一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,本设计结构简单,稳定可靠,维持电压高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,属于集成电路技术领域。
背景技术
自然界的静电放电(ESD)现象对集成电路的可靠性构成严重的威胁。在工业界,集成电路产品的失效30%都是由于遭受静电放电现象所引起的。而且随着集成电路的密度越来越大,一方面由于二氧化硅膜的厚度越来越薄(从微米到纳米),器件承受的静电压力越来越低;另一方面,容易产生、积累静电的材料如塑料,橡胶等大量使用,使得集成电路受到静电放电破坏的几率大大增加。
静电放电现象的模式通常分为四种:HBM(人体放电模式),MM(机器放电模式),CDM(组件充电放电模式)以及电场感应模式(FIM)。而最常见也是工业界产品必须通过的两种静电放电模式是HBM和MM。当发生静电放电时,电荷通常从芯片的一只引脚流入而从另一只引脚流出,此时静电电荷产生的电流通常高达几个安培,在电荷输入引脚产生的电压高达几伏甚至几十伏。如果较大的ESD电流流入内部芯片则会造成内部芯片的损坏,同时,在输入引脚产生的高压也会造成内部器件发生栅氧击穿现象,从而导致电路失效。因此,为了防止内部芯片遭受ESD损伤,对芯片的每个引脚都要进行有效的ESD防护,对ESD电流进行泄放。
在集成电路的正常工作状态下,静电放电保护器件是处于关闭的状态,不会影响输入输出引脚上的电位。而在外部静电灌入集成电路而产生瞬间的高电压的时候,这个器件会开启导通,迅速的排放掉静电电流。
然而随着CMOS工艺制程的不断进步,器件尺寸不断减小,核心电路承受ESD能力大大降低,对于低压IC(集成电路)的ESD防护而言,一个有效的静电放电防护器件必须能够保证相对低的触发电压(不能高于被保护电路的栅氧击穿电压),相对高的维持电压(对电源防护而言,要高于电源电压以避免闩锁效应),提供较强的ESD保护能力(ESD鲁棒性),并占用有限的布局面积。为了避免闩锁风险,可以通过提高维持电流,提高维持电压来解决。因此在保证低触发电压的优点的同时,进一步提高其维持电压显得十分必要。
作为一种常用的ESD防护结构,可控硅被广泛的应用于集成电路芯片I/O端口以及电源域的防护中。可控硅有着高鲁棒性、制造工艺简单等优点。但可控硅也有着开启速度慢,开启电压高,维持电压低等缺点,对集成电路输入输出端MOS管的栅极氧化层保护不能起到很好的效果。
实用新型内容
目的:为了克服现有技术中存在的不足,本实用新型提供一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅。
技术方案:为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:
一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底、N阱、P阱、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极,所述N阱包括第一N阱、第二N阱,所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区,所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区,所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱,所述第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱上,所述第二P+注入区跨设在第一N阱、P阱和第二N阱上,所述第二N+注入区设置在第二N阱上;所述多晶硅栅设置在第一N阱上的第一P+注入区与第二P+注入区之间的位置;所述第一N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第一N+注入区和第一P+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二P+注入区和第二N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离;所述第一N+注入区、第一P+注入区和多晶硅栅均接入阳极,所述第二N+注入区、第二P+注入区均接入阴极。
有益效果:本实用新型提供的一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,通过多晶硅栅、第一P+注入区和第二P+注入区在第一N阱上构成PMOS结构,能够在降低可控硅触发电压的同时提高维持电压,从而减小它的ESD工作窗口。本设计结构简单,稳定可靠,维持电压高。
附图说明
图1为本发明的剖面正视图;
图2为本发明的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作更进一步的说明。
如图1、图2所示,一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底1、N阱、P阱4、P+注入区、N+注入区、多晶硅栅9、浅槽隔离10、阳极11、阴极12,所述N阱包括第一N阱2、第二N阱3,所述N+注入区包括第一N+注入区5、第二N+注入区6,所述P+注入区包括第一P+注入区7、第二P+注入区8,所述P型衬底1上沿横向依次设置有第一N阱2、P阱4、第二N阱3,所述第一N+注入区5、第一P+注入区7设置在第一N阱2上,所述第二P+注入区8跨设在第一N阱2、P阱4和第二N阱3上,所述第二N+注入区6设置在第二N阱3上;所述多晶硅栅9设置在第一N阱2上的第一P+注入区7与第二P+注入区8之间的位置;所述第一N+注入区5和外部结构之间通过浅槽隔离10进行隔离,所述第一N+注入区5和第一P+注入区7之间通过浅槽隔离10进行隔离,所述第二P+注入区8和第二N+注入区6之间通过浅槽隔离10进行隔离,所述第二N+注入区6和外部结构之间通过浅槽隔离10进行隔离;所述第一N+注入区5、第一P+注入区7和多晶硅栅9均接入阳极11,所述第二N+注入区6、第二P+注入区8均接入阴极12。
当产生ESD信号后,由多晶硅栅、第一P+注入区和第二P+注入区构成的PMOS的漏极PN结处首先产生雪崩击穿。空穴将从第一P+注入区流入到第二P+注入区,此时泄放一部分电流。同时由于部分电流路径是通过P阱的,这样导致P阱上的寄生电阻存在压降。随着压降达到一定数值时,P阱与第二N阱形成的PN结正向偏置,最终导致可控硅结构开启,来泄放大部分的电流。
由于PMOS和可控硅的触发电压以及导通电阻的差异,将导致PMOS以及可控硅的相继开启,并最终由可控硅作为泄放电流的主要途径。维持电压会随着多晶硅栅宽度的减小而增大,因此还可以通过改变这个距离来调节防护器件的维持电压。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
Claims (1)
1.一种内嵌PMOS触发的用于静电防护的可控硅,包括:P型衬底、N阱、P阱,其特征在于:还包括:P+注入区、N+注入区、多晶硅栅、浅槽隔离、阴极、阳极,所述N阱包括第一N阱、第二N阱,所述N+注入区包括第一N+注入区、第二N+注入区,所述P+注入区包括第一P+注入区、第二P+注入区,所述P型衬底上沿横向依次设置有第一N阱、P阱、第二N阱,所述第一N+注入区、第一P+注入区设置在第一N阱上,所述第二P+注入区跨设在第一N阱、P阱和第二N阱上,所述第二N+注入区设置在第二N阱上;所述多晶硅栅设置在第一N阱上的第一P+注入区与第二P+注入区之间的位置;所述第一N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第一N+注入区和第一P+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二P+注入区和第二N+注入区之间通过浅槽隔离进行隔离,所述第二N+注入区和外部结构之间通过浅槽隔离进行隔离;所述第一N+注入区、第一P+注入区和多晶硅栅均接入阳极,所述第二N+注入区、第二P+注入区均接入阴极。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201620210816.1U CN205595330U (zh) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 一种内嵌pmos触发的用于静电防护的可控硅 |
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CN205595330U true CN205595330U (zh) | 2016-09-21 |
Family
ID=56929699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201620210816.1U Active CN205595330U (zh) | 2016-03-18 | 2016-03-18 | 一种内嵌pmos触发的用于静电防护的可控硅 |
Country Status (1)
Country | Link |
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