CN205576270U - 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 - Google Patents
磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN205576270U CN205576270U CN201620388278.5U CN201620388278U CN205576270U CN 205576270 U CN205576270 U CN 205576270U CN 201620388278 U CN201620388278 U CN 201620388278U CN 205576270 U CN205576270 U CN 205576270U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- coating film
- brilliant
- magnetron sputtering
- frame
- brilliant board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本实用新型涉及致冷件生产技术领域的设备和方法,名称是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,包括机架,在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置,所述的传送装置上具有晶板的放置盘,所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗,所述的机架上还设置有晶板的检测装置;磁控溅射致冷件晶板镀膜方法,将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜,镀膜的耗材是镍、钯或银,可以形成一层镀膜的半导体晶板,较好的技术方案是:溅射的条件是加速电压:350~410V、电流密度:30~50mA/cm、气压:7~12 mTorr、磁场约:200~220G、功率密度:50~60W/cm。这样的装置和方法可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法,具体地说是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法。
背景技术
致冷件包括晶粒和瓷板,所述的晶粒主要成分是三碲化二铋,晶粒是由晶板切割而成的,将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层,以便晶粒和瓷板很好地结合。
现有技术中,使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的,这样的装置具有镀膜材料(镍、钯或银)浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。
采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料(镍、钯或银)热熔化并喷涂到晶板上,也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。
发明内容
本发明的目的就是针对上述缺点,提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜方法
本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置这样实现的:磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括机架,在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置,所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
进一步地讲,所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置。
本发明致冷件晶板镀膜方法这样实现的:磁控溅射致冷件晶板镀膜方法,将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜,镀膜的耗材是镍、钯或银,可以形成一层镀膜的半导体晶板。
较好的技术方案是:溅射的条件是加速电压:350~410V、电流密度:30~50mA/cm、气压:7~12 mTorr、磁场约:200~220G、功率密度:50~60W/cm。
本发明的有益效果是:这样的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。
这样的致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。
附图说明
图1是本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置的结构示意图。
其中:1、机架 2、传送装置 3、磁控溅射装置 4、放置盘 5、送料斗 6、收集斗7、检测装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1所示,磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括机架1,在机架上具有传送装置2,在传送装置上面安装磁控溅射装置3,所述的传送装置上具有晶板的放置盘4。这样,使用时晶板就放置在放置盘上,晶板就在磁控溅射装置下面进行溅射,形成一层镀膜,溅射装置所用的材料是镍、钯或银。相比现有技术中的热喷涂具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的优点。
进一步地讲,所述的机架上还具有晶板的送料斗5和镀膜后成品的收集斗6。这样,送料和接料都很方便。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置7。这样在传送装置上就可以对产品的质量进行检测,使用更方便。
实施例1
a、将晶板放置经过热喷涂,喷涂材料用镍,形成第一晶板,其利用率达到10%,散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力较差。
实施例2
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:350 V、 电流密度:30mA/cm 、气压:7 mTorr、磁场约:200G、功率密度:50W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第二晶板。
其利用率达到45%,散落到周围环境中的镍为55%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
实施例3
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:410 V、 电流密度:50mA/cm 、气压:12 mTorr、磁场约:220G、功率密度:60W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第三晶板。
其利用率达到47%,散落到周围环境中的镍为53%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
实施例4
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅,射溅射的条件是加速电压:380 V、 电流密度:40mA/cm 、气压:8 mTorr、磁场约:210G、功率密度:55W/cm,所用的溅射材料是镍,形成第四晶板。
其利用率达到44%,散落到周围环境中的镍为56%,用这样的晶板制作半导体致冷件,承受能力(即晶粒和瓷板的结合力)较好。
上述实施例2、3、4证实,磁控溅射可以使晶板镀层连接更牢固。
将上述的镍换成银或钯,得到同样的结果,证明磁控溅射半导体晶板是可行的,并具有节省材料、减少污染、增加镀膜和晶板之间的结合力的优点。
以上所述仅为本发明的具体实施例,但本发明的结构特征并不限于此,任何本领域的技术人员在本发明的领域内,所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。
Claims (3)
1.磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:包括机架,在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置,所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。
3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置,其特征是:所述的机架上还设置有晶板的检测装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620388278.5U CN205576270U (zh) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201620388278.5U CN205576270U (zh) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN205576270U true CN205576270U (zh) | 2016-09-14 |
Family
ID=56859377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201620388278.5U Active CN205576270U (zh) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN205576270U (zh) |
-
2016
- 2016-05-04 CN CN201620388278.5U patent/CN205576270U/zh active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103737140A (zh) | Ito靶材与铜背板的绑定方法 | |
CN101204860A (zh) | 一种复合金属的铝箔带及制备方法和用途 | |
WO2009089376A3 (en) | Highly electrically conductive surfaces for electrochemical applications | |
CN101876140A (zh) | 电磁屏蔽导电布的制备方法 | |
WO2012137572A9 (ja) | リン酸鉄リチウム正極材料およびその製造方法 | |
TW201230913A (en) | Copper-clad laminate and method for manufacturing same | |
UA90448C2 (uk) | Спосіб виготовлення електродів з низьким контактним опором для батарей та конденсаторів подвійного електричного шару | |
EP1208577A4 (en) | FIELD EMISSION CATHODES CONSISTING OF ELECTRON EMITTING PARTICLES AND INSULATING PARTICLES | |
CN204159501U (zh) | 往复式浆料涂膜装置 | |
CN205576270U (zh) | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置 | |
CN206986276U (zh) | 一种旋转靶绑定装置 | |
CN204659170U (zh) | 一种导电银浆丝网印刷网版 | |
CN205662592U (zh) | 等离子溅射致冷件晶板镀膜装置 | |
CN205635761U (zh) | 真空蒸镀晶板镀膜装置 | |
CA2899333C (en) | Coated iron electrode and method of making same | |
CN105734515A (zh) | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法 | |
JP2016507004A5 (zh) | ||
EP2953915A1 (en) | (ga) zn sn oxide sputtering target | |
CN106119795A (zh) | 利用真空磁控溅射镀膜技术制备锂电池C‑Si负极涂层的方法 | |
CN102888196B (zh) | 一种导电胶膜及其制备方法 | |
US7700162B2 (en) | Method for coating graphite foil | |
Zheng et al. | Influence of the Cu2O morphology on the metallization of Al2O3 ceramics | |
CN106756668A (zh) | 一种钨铝复合材料的表面改性方法 | |
CN201495281U (zh) | 离子溅镀装置 | |
CN210711722U (zh) | 一种靶材贴合装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |