CN105734515A - 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，名称是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法，磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘，所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗，所述的机架上还设置有晶板的检测装置；磁控溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板，较好的技术方案是：溅射的条件是加速电压:350～410V、电流密度:30～50mA/cm、气压:7～12 mTorr、磁场约:200～220G、功率密度:50～60W/cm。这样的装置和方法可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。
Description
技术领域
本发明涉及致冷件生产技术领域的设备和方法，具体地说是磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法。
背景技术
致冷件包括晶粒和瓷板，所述的晶粒主要成分是三碲化二铋，晶粒是由晶板切割而成的，将晶粒焊接在瓷板上之前需要在晶粒的表面形成一层镀膜——镍、钯或银层，以便晶粒和瓷板很好地结合。
现有技术中，使用的是热喷涂装置将镀膜材料结合在晶板上的，这样的装置具有镀膜材料（镍、钯或银）浪费严重、环保性能差、镍和晶板结合力量差的缺点。
采用热喷涂的装置和方法将镀膜材料（镍、钯或银）热熔化并喷涂到晶板上，也具有镀膜材料浪费严重、环保性能差、镀膜和晶板结合力量差的缺点。
发明内容
本发明的目的就是针对上述缺点，提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，还提供一种节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜方法
本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置这样实现的：磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
进一步地讲，所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置。
本发明致冷件晶板镀膜方法这样实现的：磁控溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。
较好的技术方案是：溅射的条件是加速电压:350～410V、电流密度:30～50mA/cm、气压:7～12mTorr、磁场约:200～220G、功率密度:50～60W/cm。
本发明的有益效果是：这样的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置可以生产出节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的致冷件晶板镀膜。
这样的致冷件晶板镀膜方法具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镍和晶板结合力量好的优点。
附图说明
图1是本发明磁控溅射致冷件晶板镀膜装置的结构示意图。
其中：1、机架2、传送装置3、磁控溅射装置4、放置盘5、送料斗6、收集斗7、检测装置。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的说明。
如图1所示，磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架1，在机架上具有传送装置2,在传送装置上面安装磁控溅射装置3，所述的传送装置上具有晶板的放置盘4。这样，使用时晶板就放置在放置盘上，晶板就在磁控溅射装置下面进行溅射，形成一层镀膜，溅射装置所用的材料是镍、钯或银。相比现有技术中的热喷涂具有节省耗材、减少浪费、环保性好、镀膜和晶板结合力量好的优点。
进一步地讲，所述的机架上还具有晶板的送料斗5和镀膜后成品的收集斗6。这样，送料和接料都很方便。
进一步地讲,所述的机架上还设置有晶板的检测装置7。这样在传送装置上就可以对产品的质量进行检测，使用更方便。
实施例1
a、将晶板放置经过热喷涂，喷涂材料用镍，形成第一晶板，其利用率达到10%，散落到周围环境中的镍为90%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力较差。
实施例2
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:350V、电流密度:30mA/cm、气压:7mTorr、磁场约:200G、功率密度:50W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第二晶板。
其利用率达到45%，散落到周围环境中的镍为55%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。
实施例3
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:410V、电流密度:50mA/cm、气压:12mTorr、磁场约:220G、功率密度:60W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第三晶板。
其利用率达到47%，散落到周围环境中的镍为53%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。
实施例4
a、将晶板放置在溅射装置下面进行溅，射溅射的条件是加速电压:380V、电流密度:40mA/cm、气压:8mTorr、磁场约:210G、功率密度:55W/cm，所用的溅射材料是镍，形成第四晶板。
其利用率达到44%，散落到周围环境中的镍为56%,用这样的晶板制作半导体致冷件，承受能力（即晶粒和瓷板的结合力）较好。
上述实施例2、3、4证实，磁控溅射可以使晶板镀层连接更牢固。
将上述的镍换成银或钯，得到同样的结果，证明磁控溅射半导体晶板是可行的，并具有节省材料、减少污染、增加镀膜和晶板之间的结合力的优点。
以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围内。
Claims (5)
1.磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是:包括机架，在机架上具有传送装置,在传送装置上面安装磁控溅射装置，所述的传送装置上具有晶板的放置盘。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是：所述的机架上还具有晶板的送料斗和镀膜后成品的收集斗。
3.根据权利要求1或2所述的磁控溅射致冷件晶板镀膜装置，其特征是：所述的机架上还设置有晶板的检测装置。
4.磁控溅射致冷件晶板镀膜方法，将晶板放置在磁控溅射装置里面下面进行镀膜，镀膜的耗材是镍、钯或银，可以形成一层镀膜的半导体晶板。
5.根据权利要求4所述的致冷件晶板镀膜方法，其特征是：溅射的条件是加速电压:350～410V、电流密度:30～50mA/cm、气压:7～12mTorr、磁场约:200～220G、功率密度:50～60W/cm。
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| CN201610284932.2A CN105734515A (zh) | 2016-05-04 | 2016-05-04 | 磁控溅射致冷件晶板镀膜装置和致冷件晶板镀膜方法 |
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2016
- 2016-05-04 CN CN201610284932.2A patent/CN105734515A/zh active Pending
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |