CN205484061U - 一种拉曼增强基底 - Google Patents
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Abstract
一种拉曼增强基底，其中，所述拉曼增强基底包括：衬底、Ag纳米层和Al2O3纳米层，其中，所述Ag纳米层位于所述衬底和所述Al2O3纳米层之间。本实用新型实施例提供的拉曼增强基底，能够很好的保护贵金属Ag纳米层中Ag的氧化流失，使得该拉曼增强基底的使用寿命明显提高，另外，Al2O3纳米层涂覆的该拉曼增强基底，灵敏度和稳定性接近未包覆Al2O3纳米层的Ag拉曼增强基底。
Description
技术领域
本实用新型涉及但不限于一种拉曼增强基底。
背景技术
现阶段，贵金属(Au,Ag)纳米结构基底的生长与性能调控和拉曼光谱的增强仍然是人们研究的焦点，特别是生长成本较低、形貌可控、灵敏度高、稳定性好、重复性好、可循环使用的鲁棒性的纳米结构基底仍然面临诸多挑战。目前Ag纳米结构基底增强因子高，成本较低受到青睐，但在空气中易氧化、不稳定，不能满足鲁棒性的要求；实际上，Ag也属于贵金属，作为拉曼增强基底若是“一次性”使用，仍然面临成本较高的问题。
鉴于此，需要提供一种能够多次使用且使用性能稳定、生产成本较低的拉曼增强基底。
实用新型内容
本实用新型提供一种能够多次使用且使用性能稳定、生产成本较低的拉曼增强基底。
具体地，本实用新型提供了一种拉曼增强基底，所述拉曼增强基底包括：衬底、Ag纳米层和Al2O3纳米层，其中，所述Ag纳米层位于所述衬底和所述Al2O3纳米层之间。
在一个实施方案中，所述衬底的一个侧面依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。
在一个实施方案中，所述衬底的两个侧面分别依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。
在一个实施方案中，所述Ag纳米层的厚度为5-10nm。
在一个实施方案中，所述Al2O3纳米层的厚度为1-2nm。
在一个实施方案中，所述衬底的厚度为200-500μm。
在一个实施方案中，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层与所述Al2O3纳米层的厚度比为2.5-10：1。
在一个实施方案中，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层的覆盖面积为50％-100％；所述Al2O3纳米层完全覆盖所述Ag纳米层。
在一个实施方案中，所述拉曼增强基底还包括覆盖在所述Al2O3纳米层上的保护膜。
通过上述技术方案，在本实用新型中，在Ag纳米层上涂覆Al2O3纳米层，能够很好的保护贵金属Ag纳米层中Ag的氧化流失，使得该拉曼增强基底的使用寿命明显提高；并且，Al2O3纳米层沉积的该拉曼增强基底，灵敏度和稳定性接近未包覆Al2O3纳米层的Ag拉曼增强基底。在一个实施方案中，在所述衬底的两个侧面分别依次沉积有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层，其中在使用一个侧面时，另一个侧面的涂层使用保护膜保护起来，避免污染；在一个侧面不能使用时，继续使用另一个侧面，这样不仅节约了衬底材料，而且提高了制造效率，从而不仅提高了使用效率，而且大大降低了生产成本。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的拉曼增强基底的结构示意图。
图2为本实用新型实施例2的拉曼增强基底的结构示意图。
图3为本实用新型实施例3的拉曼增强基底的结构示意图。
附图标记说明
1、衬底
2、Ag纳米层
3、Al2O3纳米层
具体实施方式
下面将通过实施例对本实用新型作进一步的描述，这些描述并不是对本实用新型内容作进一步的限定。本领域的技术人员应理解，对本实用新型技术特征所作的等同替换，或相应的改进，仍属于本实用新型的保护范围之内。
本实用新型提供一种拉曼增强基底，具体地，如图1至图3所示，所述拉曼增强基底包括：衬底1、Ag纳米层2和Al2O3纳米层3，其中，Ag纳米层2位于衬底1和Al2O3纳米层3之间。
需要说明的是，本实用新型提供的拉曼增强基底，衬底的形状可以是规则形状，也可以是不规则形状。可选地，所述衬底的形状是规则的长方体。
本实用新型提供的拉曼增强基底，可以根据实际需要在衬底的一个侧面上依次形成有Ag纳米层和Al2O3纳米层，也可以在衬底的两个侧面上都依次形成有Ag纳米层和Al2O3纳米层。
在一个具体实施方案中，所述衬底的一个侧面依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。本实用新型中，在所述衬底的一个侧面上设置涂层，可以通过将所述衬底置于容器底部，通过在所述衬底上沉积纳米涂层来实现。沉积所述Ag纳米层和Al2O3纳米层可以通过本领域的已知的方法实现，例如通过液相热还原法制备分散性好的Ag纳米层，通过原子层沉积法在Ag纳米层上覆盖Al2O3纳米层。
在一个具体实施方案中，所述衬底的两个侧面分别依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。本实用新型中，在所述衬底的两个侧面上设置涂层，可以通过旋涂和沉积实现，例如可以通过旋涂法在所述衬底表面涂敷来实现Ag纳米层，通过原子层沉积法实现Al2O3纳米层的涂覆。
在一个具体实施方案中，所述Ag纳米层的厚度为5-10nm。
在一个具体实施方案中，所述Al2O3纳米层的厚度为1-2nm。
在一个具体实施方案中，所述衬底的厚度为200-500μm。
本实用新型中，所述拉曼增强基底的衬底可以为本领域技术人员已知的任意一种材料，例如Si片或SiO2片等。
在一个具体实施方案中，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层与所述Al2O3纳米层的厚度比可以为2.5-10：1，可选地，为4-5:1。当所述Ag纳米层与所述Al2O3纳米层的厚度比在上述范围内时，不仅能够实现很好的保护Ag纳米层的目的，同时使所述拉曼增强基底保持相近的灵敏性和稳定性。
本实用新型中，所述Ag纳米层在衬底上的涂覆面积可以根据实际需要进行选择。可选地，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层的涂覆面积为50％-100％。而为了保护所述Ag纳米层，可选地，所述Al2O3纳米层完全覆盖所述Ag纳米层。
在一个具体实施方案中，所述拉曼增强基底还包括覆盖在所述Al2O3纳米层上的保护膜。在所述拉曼增强基底处于非使用状态时，通过覆盖一层保护膜来保护所述拉曼增强基底免受污染。或者在衬底的两个侧面上都形成有Ag纳米层和Al2O3纳米层时，当使用其中一个侧面时，可以使用保护膜将另一个侧面保护起来免受污染。
如图1所示，本实用新型实施例1的拉曼增强基底，包括Si片衬底1、Ag纳米层2和Al2O3纳米薄层3，其中，所述Ag纳米层2位于所述衬底1和所述Al2O3纳米薄层3之间；Ag纳米层2的厚度为10nm；Al2O3纳米薄层3的厚度为2nm；衬底1的厚度为400μm；Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3的厚度比为5：1。Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3都全部覆盖衬底1。
如图2所示，本实用新型实施例2的拉曼增强基底，包括SiO2片衬底1、Ag纳米层2和Al2O3纳米薄层3，其中，衬底的每个侧面依次涂覆有Ag纳米层2和Al2O3纳米薄层3。其中，衬底1的厚度为500μm；每个侧面上Ag纳米层2的厚度为5nm；Al2O3纳米层3的厚度为1nm；Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3的厚度比为5：1。Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3都全部覆盖衬底1。
如图3所示，本实用新型实施例3的拉曼增强基底，包括Si片衬底1、Ag纳米层2和Al2O3纳米薄层3，其中，衬底的每个侧面依次涂覆有Ag纳米层2和Al2O3纳米薄层3。其中，衬底1的厚度为400μm；每个侧面上Ag纳米层2的厚度为6nm；Al2O3纳米薄层3的厚度为1.5nm；Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3的厚度比为4：1。Ag纳米层2与Al2O3纳米薄层3覆盖衬底面积的80％。
以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式，但是，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。
Claims (9)
1.一种拉曼增强基底，其特征在于，所述拉曼增强基底包括：衬底、Ag纳米层和Al2O3纳米层，其中，所述Ag纳米层位于所述衬底和所述Al2O3纳米层之间。
2.根据权利要求1所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述衬底的一个侧面依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。
3.根据权利要求1所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述衬底的两个侧面分别依次设置有所述Ag纳米层和所述Al2O3纳米层。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述Ag纳米层的厚度为5-10nm。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述Al2O3纳米层的厚度为1-2nm。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述衬底的厚度为200-500μm。
7.根据权利要求1-3中任一项所述的拉曼增强基底，其特征在于，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层与所述Al2O3纳米层的厚度比为2.5-10：1。
8.根据权利要求3所述的拉曼增强基底，其特征在于，在所述衬底的一个侧面上，所述Ag纳米层的覆盖面积为50％-100％；所述Al2O3纳米层完全覆盖所述Ag纳米层。
9.根据权利要求1-3中任一项所述的拉曼增强基底，其特征在于，所述拉曼增强基底还包括覆盖在所述Al2O3纳米层上的保护膜。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106442460A (zh) * | 2016-09-05 | 2017-02-22 | 山东师范大学 | 一种金@银纳米颗粒/金字塔形硅三维拉曼增强基底及制备方法和应用 |
| CN107761053A (zh) * | 2017-10-26 | 2018-03-06 | 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 | 大面积拉曼增强基底的制备方法及其产品和应用 |
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2016
- 2016-01-21 CN CN201620061802.8U patent/CN205484061U/zh not_active Expired - Fee Related
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