CN205473958U - 一种e型碳纳米管电子枪蒸发源 - Google Patents
一种e型碳纳米管电子枪蒸发源 Download PDFInfo
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Abstract
本实用新型属于真空镀膜技术，具体涉及一种e型碳纳米管电子枪蒸发源。一种e型碳纳米管电子枪蒸发源，包括熔池、阴极、屏蔽装置和偏转系统，其特征在于：所述阴极由阴极基底上表面沉积碳纳米管阵列组成。所述碳纳米管阵列垂直排列在阴极基底上表面。本实用新型有益效果：碳纳米管具有开启电压低，电流输出稳定的特性，适合作为本适应新型结构的阴极使用。碳纳米管冷阴极同时具有节能特点，且不易损坏。
Description
技术领域
本实用新型属于真空镀膜技术，具体涉及一种e型碳纳米管电子枪蒸发源。
背景技术
蒸发源是用来加热膜材使之气化蒸发的装置。目前，所用的蒸发源主要有电阻加热、电子束加热、感应加热、电弧加热和激光加热等形式。有很多材料不能用电阻加热的形式蒸发，在这种情况下，必须采用电子束加热方式。电子枪所用电源大小更多的取决于蒸发材料的导热性，而不是其蒸发温度。电源功率一般在4-10KV之间，对于大多数绝缘材料，4KW是比较理想的功率条件。
电子枪的阴极电子发射材料一般是选用灯丝，灯丝的缺点是发热温度高，易熔断，需要经常更换，且电子束不稳定。
实用新型内容
本实用新型为了克服上述技术缺陷，提供一种新型阴极材料，有效地提高阴极的使用效率。
一种e型碳纳米管电子枪蒸发源，包括熔池、阴极、屏蔽装置和偏转系统，其特征在于：所述阴极由阴极基底上表面沉积碳纳米管阵列组成。
所述碳纳米管阵列垂直排列在阴极基底上表面。
本实用新型有益效果：碳纳米管具有开启电压低，电流输出稳定的特性，适合作为本适应新型结构的阴极使用。碳纳米管冷阴极同时具有节能特点，且不易损坏。
附图说明
图1为本实用新型结构图
图2为阴极结构图
具体实施方式
如图1所示，电子位于熔池1下面的阴极2发出，这种结构避免了阴极被蒸发材料的污染。阴极2发出的电子经过屏蔽装置3的筛选，再经过偏转系统4的电压作用，轰击熔池1内的材料。该装置的阴极2由阴极基底22垂直表面的碳纳米管21阵列组成。该电子束在电磁线圈的磁场中可沿E×B的方向偏转。
Claims (2)
1.一种e型碳纳米管电子枪蒸发源，包括熔池(1)、阴极(2)、屏蔽装置(3)和偏转系统(4)，其特征在于：所述阴极(2)由阴极基底(22)上表面沉积碳纳米管(21)阵列组成。
2.根据权利要求1所述一种e型碳纳米管电子枪蒸发源，其特征在于：碳纳米管(21)阵列垂直排列在阴极基底(22)上表面。
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| CN201620243399.0U CN205473958U (zh) | 2016-03-21 | 2016-03-21 | 一种e型碳纳米管电子枪蒸发源 |
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| CN205473958U true CN205473958U (zh) | 2016-08-17 |
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| CN (1) | CN205473958U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111293013A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-06-16 | 中山大学 | 一种场发射冷阴极结构及其制造方法 |
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2016
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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Granted publication date: 20160817 Termination date: 20170321 |