CN205452248U - 具有高气密性的晶片切割用吸附式治具 - Google Patents

Abstract

一种具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，并包含一个吸附头座、一个弹性接触层及一个密封元件。该吸附头座包括一个基座本体、多个贯穿该基座本体并共同界定出一个吸附区的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽。该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。该密封元件设置于该基座本体的底面，并环绕该吸附区。本实用新型通过设置该密封元件，提升吸气时的气密性，进而提升产品的良率。

Description

具有高气密性的晶片切割用吸附式治具

技术领域

本实用新型涉及一种半导体加工治具，特别是涉及一种具有高气密性的晶片切割用吸附式治具。

背景技术

在晶圆的切割制程中，业者将一个吸附式治具锁固于一台切割机上，并连接至一个抽气装置，再将一片晶圆设置于该吸附式治具上进行切割，过程中，该抽气装置吸气，以吸附该晶圆于该吸附式治具，然而，该吸附式治具锁固于该切割机时可能因人为操作而产生误差，进而造成「泄漏」的现象，欲切割成大尺寸的晶片时，该晶圆较不易发生移位的情形，但是，欲切割成小尺寸的晶片时，即使微小的泄漏也会造成切割后的晶片无法稳定地吸附于该吸附式治具，因此，该吸附式治具具有气密性不佳的缺点。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种能提高产品良率的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具。

本实用新型具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，该具有高气密性的晶片切割用吸附式治具包含一个吸附头座、一个弹性接触层及一个密封元件。

该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽，且所述第一通孔共同界定出一个吸附区。

该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔。

该密封元件设置于该基座本体的底面，并环绕该吸附区。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该具有高气密性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔的主切割槽。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，每一个挡墙还具有多个形成于该垂直板部且分别连通于所述主切割槽的副切割槽。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第二通孔的气槽。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该密封元件为一个O型环。

本实用新型所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，该弹性接触层的材质为橡胶。

本实用新型的有益效果在于：通过设置该密封元件，提升吸气时的气密性，进而提升产品的良率，且不管是切割成大尺寸或小尺寸的晶片皆能适用，因此，能提升切割的速度，达到增加产能的效果。

附图说明

图1是一立体分解图，说明本实用新型具有高气密性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例；

图2是该实施例的一立体图；

图3是该实施例的一局部放大立体图；

图4是该实施例的一仰视立体图；

图5是该实施例的一仰视平面图；

图6是沿图5的剖线VI-VI的一局部剖视图，说明一片晶圆吸附于该实施例待切割的情形。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本实用新型进行详细说明。

参阅图1至图3，本实用新型具有高气密性的晶片切割用吸附式治具的一个实施例，包含一个吸附头座2、一个弹性接触层3、一个支撑单元4及一个密封元件5(见图4)。

该吸附头座2包括一个基座本体21、多个分别贯穿该基座本体21的两相反侧面的第一通孔22，及一个形成于该基座本体21的顶面且连通所述第一通孔22的容置凹槽23，所述第一通孔22共同界定出一个吸附区24(见图4)。

该弹性接触层3以贴合的方式设置于该容置凹槽23，并包括一个呈水平的接触面31、多个贯穿该接触面31并分别连通所述第一通孔22的第二通孔32、多个形成于该接触面31并分别围绕所述第二通孔32的气槽33，及多个形成于该接触面31且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔32与所述气槽33的主切割槽34。在本实施例中，该弹性接触层3的材质为橡胶，但不以此为限。

该支撑单元4包括多个设置于该基座本体21且紧抵于该弹性接触层3边缘的挡墙41，及多个分别将所述挡墙41锁固于该基座本体21的锁固件42。在本实施例中，每一个锁固件42为一个螺丝，但不以此为限。

所述挡墙41呈L字形，每一个挡墙41具有一个设置于该基座本体21顶面的水平板部411、一个由该水平板部411向上延伸且紧抵于该弹性接触层3边缘的垂直板部412，及多个形成于该垂直板部412且分别连通于所述主切割槽34的副切割槽413。

参阅图4及图5，该密封元件5设置于该基座本体21的底面，并环绕该吸附区24，在本实施例中，该密封元件5为一个O型环，但不以此为限。

参阅图3及图6，实际使用时，将本实施例架设于一个产线(图未示)的切割机(图未示)上，并将一个抽气装置8连接至该基座本体21，再将一片晶圆9设置于该弹性接触层3的接触面31上，接着，启动该抽气装置8，通过所述第一通孔22、所述第二通孔32及所述气槽33间的气体所形成的吸力吸附该晶圆9，切割过程中，一个切割刀(图未示)会行经所述挡墙41的副切割槽413与该弹性接触层3的主切割槽34，将该晶圆9切割成小块的晶片，以进行后续的加工。

通过设置该密封元件5，即使本实施例锁固于该切割机的过程中因人为操作而产生误差，也不影响吸气时的气密性，而不会产生泄漏的现象，进而提升产品的良率，且切割后的大尺寸及小尺寸晶片皆不易移位，因此，能提升切割的速度，进而增加产能。

此外，通过在该弹性接触层3的边缘设置所述挡墙41，当该切割刀通过该弹性接触层3的边缘时，该弹性接触层3不容易晃动，使该晶圆9不会发生飞落或旋转的情形，同样提高产品的良率。

值得一提的是，本实施例适用于「全切」的晶圆切割工法，也就是说切穿该晶圆9成多个完整的晶片，所述副切割槽413使该切割刀经过该弹性接触层3的边缘时不会被所述挡墙41阻挡，所述主切割槽34使该切割刀切割该晶圆9时不会被该接触面31阻挡。然而，该弹性接触层3也可以不设置所述主切割槽34，而应用于「半切」的晶圆切割工法，也就是说未完全切穿该晶圆9，此时，所述挡墙41也不须设置所述副切割槽413。

综上所述，本实用新型通过设置该密封元件5，提升吸气时的气密性，进而提升产品的良率，且不管是切割成大尺寸或小尺寸的晶片皆能适用，因此，能提升切割的速度，达到增加产能的效果，所以确实能达成本实用新型的目的。

Claims (9)

1.一种具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，适用于连接至一个抽气装置，该具有高气密性的晶片切割用吸附式治具包含一个吸附头座及一个弹性接触层，该吸附头座包括一个连接至该抽气装置的基座本体、多个分别贯穿该基座本体的两相反侧面的第一通孔，及一个形成于该基座本体的顶面且连通所述第一通孔的容置凹槽，该弹性接触层设置于该容置凹槽，并包括一个呈水平的接触面，及多个贯穿该接触面且分别连通所述第一通孔的第二通孔，其特征在于：

所述第一通孔共同界定出一个吸附区，该具有高气密性的晶片切割用吸附式治具还包含一个密封元件，该密封元件设置于该基座本体的底面，并环绕该吸附区。

2.根据权利要求1所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该具有高气密性的晶片切割用吸附式治具还包含一个支撑单元，该支撑单元包括多个设置于该基座本体且紧抵于该弹性接触层边缘的挡墙。

3.根据权利要求2所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且呈纵横交错地分别围绕所述第二通孔的主切割槽。

4.根据权利要求3所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：所述挡墙呈L字形，每一个挡墙具有一个设置于该基座本体顶面的水平板部，及一个由该水平板部向上延伸且紧抵于该弹性接触层边缘的垂直板部。

5.根据权利要求4所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：每一个挡墙还具有多个形成于该垂直板部且分别连通于所述主切割槽的副切割槽。

6.根据权利要求2所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该支撑单元还包括多个分别将所述挡墙锁固于该基座本体的锁固件。

7.根据权利要求1所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该弹性接触层还包括多个形成于该接触面且分别围绕所述第二通孔的气槽。

8.根据权利要求1所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该密封元件为一个O型环。

9.根据权利要求1至8中任一权利要求所述的具有高气密性的晶片切割用吸附式治具，其特征在于：该弹性接触层的材质为橡胶。