CN205428943U - 有机半导体薄膜晶体管以及显示装置与背板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种有机半导体薄膜晶体管以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，源极和漏极上设置有沟道层，沟道层中形成有使源极和漏极至少部分露出的沟道，沟道中填充有有机半导体层，有机半导体层与源极和漏极连接，有机半导体层上形成有图案。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。

Description

有机半导体薄膜晶体管以及显示装置与背板

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种有机半导体薄膜晶体管以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。

背景技术

现有的有机半导体薄膜晶体管，其有机半导体层是直接涂布在源极和漏极上，再对有机半导体层进行图案化制程。但是，这种方式所形成的有机半导体薄膜晶体管元件，存在不同元件的成膜厚度不一、半导体排列方向各异等问题，导致不同元件的特性差异较大，导致使用了多个元件的显示装置的显示特性较差。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型旨在提供一种元件特性更均一的有机半导体薄膜晶体管以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置及其背板。

为了实现本实用新型的目的，本实用新型实施例一方面提供一种有机半导体薄膜晶体管,其包括源极、漏极和栅极，所述源极和漏极上设置有沟道层，所述沟道层中形成有使所述源极和漏极至少部分露出的沟道，所述沟道中填充有有机半导体层，所述有机半导体层与所述源极和漏极连接，所述有机半导体层上形成有图案。

在上述实施例中，由于沟道的深度和延伸方向均是在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此将有机半导体材料填充在沟道层的沟道中形成有机半导体层，相较于直接涂布有机半导体，采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管均具有较为均一的特性。此外，这种结构所形成的有机半导体层的膜厚也较厚，使得有机半导体薄膜晶体管的机械性能更好。

优选地，所述有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述源极和漏极间隔开地设置在所述基底上，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述基底相接，所述栅极绝缘层位于所述沟道层上并覆盖所述有机半导体层，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上方。

优选地，所述有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述栅极形成于所述基底上，所述栅极绝缘层设于所述基底上并覆盖所述栅极，所述源极和漏极间隔开地设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述栅极绝缘层相接。

优选地，所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出。

优选地，在横向方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间。

优选地，所述沟道层的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构。

优选地，所述栅极绝缘层是由可图案化的有机介电材料制成的。

本实用新型实施例另一方面提供一种有机半导体薄膜晶体管的制造方法，其包括如下步骤：

形成间隔设置的源极和漏极；

在所述源极和漏极上形成沟道层；

在所述沟道层中形成沟道，所述沟道使所述源极和漏极至少部分露出；

在所述沟道中填充有机半导体层，所述有机半导体层与所述源极和漏极连接；

在所述有机半导体层上形成图案。

在上述实施例中，由于沟道的深度和延伸方向均是在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此将有机半导体材料填充在沟道层的沟道中形成有机半导体层，相较于直接涂布有机半导体，采用该种方法制造的不同有机半导体薄膜晶体管，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管均具有较为均一的特性。此外，这种方法所形成的有机半导体层的膜厚也较厚，使得有机半导体薄膜晶体管的机械性能更好。

优选地，所述源极和漏极形成于基底上，在所述有机半导体层上形成图案后，还包括如下步骤：

在所述沟道层上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述有机半导体层；

在所述栅极绝缘层上方形成栅极。

优选地，在形成间隔设置的源极和漏极的步骤之前，还包括如下步骤：

在基底上形成栅极；

在基底上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极，所述源极和漏极形成于所述栅极绝缘层的上方。

优选地，所述栅极是通过黄光或印制制程形成的。

优选地，在所述沟道中填充有机半导体层时，是在所述沟道中涂布流体形态的有机半导体，所述流体形态的有机半导体排列以形成所述有机半导体层。

优选地，所述沟道是通过黄光制程形成于所述沟道层中。

优选地，在所述沟道中填充有机半导体层之前，利用等离子体对所述沟道进行表面处理。

本实用新型实施例再一方面提供一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列，所述薄膜晶体管阵列包括上述任一实施例所述的有机半导体薄膜晶体管。

优选地，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道彼此相通。

优选地，所述薄膜晶体管阵列包括多个呈矩阵分布的所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道层彼此相接。

优选地，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中一端或两端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

优选地，所述分流道呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述分流道与所述沟道层连接一端的宽度大于远离所述沟道层一端的宽度。

优选地，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上连接有阻挡结构，所述阻挡结构与所述沟道相接并阻挡所述沟道。

优选地，涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

优选地，所述阻挡结构呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述阻挡结构与所述沟道连接一端的宽度大于远离所述沟道一端的宽度。

本实用新型实施例又一方面提供一种显示装置,其包括上述任一实施例所述的显示装置的背板。上述有机半导体薄膜晶体管所带来的有益效果显然也可在该显示装置及其背板中体现，此处不再赘述。

附图说明

图1是本实用新型第一实施例的有机半导体薄膜晶体管的制造方法示意图。

图2是本实用新型第二实施例的有机半导体薄膜晶体管的制造方法示意图。

图3(a)-(c)是本实用新型第二实施例的有机半导体薄膜晶体管的不同形状沟道层的结构示意图。

图4是本实用新型第二实施例的有机半导体薄膜晶体管的俯视图。

图5是本实用新型实施例提供的显示装置的背板的结构示意图。

图6是图5中的薄膜晶体管阵列的结构示意图。

图7是图5中的薄膜晶体管阵列的另一实施例的结构示意图。

图8是图5中的薄膜晶体管阵列的又一实施例的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参考图1，本实用新型第一实施例提供一种有机半导体薄膜晶体管，其包括第一源极12、第一漏极13和第一栅极17。第一源极12和第一漏极13一般由可导电的金属材料制成。第一源极12和第一漏极13上设置有第一沟道层14，第一沟道层14中通过黄光制程形成有第一沟道19，第一沟道19使第一源极12和第一漏极13至少部分露出，在本实施例中，第一源极12和第一漏极13的部分上表面及两者相对的侧边面均露出。第一沟道层14可以由光阻或其他可图案化的介电材料制成。第一沟道19中填充有第一有机半导体层15，第一有机半导体层15与第一源极12和第一漏极13连接，第一有机半导体层15上形成有图案，由此形成所需的电子器件。

在本实施例中，该有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，也即第一栅极17位于该有机半导体薄膜晶体管的顶部。该有机半导体薄膜晶体管进一步包括第一基底11和第一栅极绝缘层16。第一基底11可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金属薄片或是复合材料制成，第一基底11上还可以设置平坦层或保护层等。第一源极12和第一漏极13间隔开地设置在第一基底11上，也即第一源极12和第一漏极13并列设置在第一基底11上，且彼此之间间隔预设距离。第一有机半导体层15伸入第一源极12与第一漏极13之间并与第一基底11相接。第一栅极绝缘层16位于第一沟道层14上并覆盖第一有机半导体层15，第一栅极17形成于第一栅极绝缘层16上方。

请参考图2至图4，本实用新型第二实施例也提供一种有机半导体薄膜晶体管，其包括第二源极24、第二漏极25和第二栅极22。同样地，第二源极24和第二漏极25一般由可导电的金属材料制成，第二源极24和第二漏极25上设置有第二沟道层26，第二沟道层26中通过黄光制程形成有第二沟道29，第二沟道29使第二源极24和第二漏极25至少部分露出，在本实施例中，第二源极24和第二漏极25的部分上表面及两者相对的侧边面均露出。第二沟道层26可以由光阻或其他可图案化的介电材料制成。第二沟道29中填充有第二有机半导体层27，第二有机半导体层27与第二源极24和第二漏极25连接，第二有机半导体层27上形成有图案，由此形成所需的电子器件。

与第一实施例不同的是，该第二实施例的有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括第二基底21和第二栅极绝缘层23。第二基底21可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金属薄片或是复合材料制成，第二基底21上还可以设置平坦层或保护层等。第二栅极22形成于第二基底23上，第二栅极绝缘层23设于第二基底21上并覆盖第二栅极22。第二源极24和第二漏极25间隔开地设置于第二栅极绝缘层23的上方，也即第二源极12和第二漏极13并列设置在第二栅极绝缘层23上，且彼此之间间隔预设距离。第二有机半导体层27伸入第二源极24与第二漏极25之间并与第二栅极绝缘层23相接。

在上述两个实施例中，由于沟道的深度和延伸方向均是在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此将有机半导体材料填充在沟道层的沟道中形成有机半导体层，相较于直接涂布有机半导体，采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管均具有较为均一的特性。此外，这种结构所形成的有机半导体层的膜厚也较厚，使得有机半导体薄膜晶体管的机械性能更好。此种结构的有机半导体薄膜晶体管特别适用于卷对卷工艺技术。

在上述第一实施例中，第一有机半导体层15的上表面可优选地相对于第一沟道层14凸出，也即第一有机半导体层15的上表面高于第一沟道层14的上表面。类似地，在上述第二实施例中，第二有机半导体层27的上表面可优选地相对于第二沟道层26凸出。当然，在其他实施例中，第一有机半导体层15的上表面也可以与第一沟道层14上表面齐平或者相对于第一沟道层14的上表面凹陷，第二有机半导体层27也可存在类似的实施例。

在进一步的优选实施例中，在横向方向上(即图1中的水平方向)，第一栅极17位于第一源极12和第一漏极13之间，也即在纵向方向上，第一栅极17与第一源极12和第一漏极13之间的间隔区域(即通道)的位置相对应。第一栅极17的宽度一般大于或等于该间隔区域的宽度(即通道长度)。在第二实施例中，在横向方向上，第二栅极22也可位于第二源极24和第二漏极25之间。

请参考图3(a)-(c)，在第二实施例的进一步优选实施例中，第二沟道层26的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构。所谓倾斜角结构，即如图3(b)所示，以第二沟道层26的横截面为例，第二沟道层26的顶边、底边及连接该顶边和底边的两侧边构成一四边形，第二沟道层26靠近第二沟道29的侧边为一斜边，该斜边与第二沟道层26的底边所成夹角为锐角，由此使得第二沟道29的上方宽度大于下方宽度。所谓底切结构，则与倾斜角结构相反，即如图3(c)所示，第二沟道层26靠近第二沟道29的侧边为一斜边，该斜边与第二沟道层26的底边所成夹角为钝角，由此使得第二沟道29的上方宽度小于下方宽度。所谓垂直结构，即如图3(a)所示，第二沟道层26靠近第二沟道29的侧边与第二沟道层26的底边所成夹角为直角。需要说明的是，此处仅以第二实施例为例来进行说明，但第一实施例中的第一沟道层14也可具有倾斜角结构、垂直结构或底切结构。

在一优选实施例中，第一沟道19位于栅极通道的上方。类似地，第二沟道29也可以位于栅极通道的上方。

在一优选实施例中，第一栅极绝缘层16和/或第二栅极绝缘层23是由可图案化的有机介电材料制成的。

请参考图1，本实用新型第三实施例还提供一种有机半导体薄膜晶体管的制造方法，其包括如下步骤：

形成间隔设置的第一源极12和第一漏极13；在本实施例中，第一源极12和第一漏极13可通过黄光制程形成；

在第一源极12和第一漏极13上形成第一沟道层14；具体地，第一沟道层14可以由可图案化的材料(例如光阻或其他可图案化的介电材料)制成，其可以通过涂布在第一源极12和第一漏极13上形成；

在第一沟道层14中形成第一沟道19，第一沟道19使第一源极12和第一漏极13至少部分露出，在本实施例中，第一源极12和第一漏极13的部分上表面及两者相对的侧边面均露出；

在第一沟道19中填充第一有机半导体层15，第一有机半导体层15与第一源极12和第一漏极13连接；第一有机半导体层15可以是通过在第一沟道19中涂布有机半导体形成；

在第一有机半导体层15上形成图案，由此形成所需的电子器件；具体来说，可以在第一有机半导体层15上涂布感光材料，经过曝光、显影、蚀刻等工艺，将第一有机半导体层15图案化。

需要说明的是，在第一源极12和第一漏极13上形成第一沟道层14和在第一沟道层14中形成第一沟道19可以是分步进行，也可以是同时进行。例如，在一优选实施例中，可以先在第一源极12和第一漏极13上涂布光阻形成第一沟道层14，然后再通过黄光制程在第一沟道层14中形成第一沟道19。在另一优选实施例中，第一沟道层14和第一沟道19可以通过网印、喷印等方法直接形成。

在一优选实施例中，该有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，第一源极12和第一漏极13形成于第一基底11上，在第一有机半导体层15上形成图案后，还包括如下步骤：

在第一沟道层14上形成第一栅极绝缘层16，第一栅极绝缘层16覆盖第一有机半导体层15；该第一栅极绝缘层16可通过在第一沟道层14及第一有机半导体层15上涂布可图案化的有机介电材料制成；

在第一栅极绝缘层16上方形成第一栅极17。

请参考图2，本实用新型第四实施例也提供一种有机半导体薄膜晶体管的制造方法，其包括如下步骤：

形成间隔设置的第二源极24和第二漏极25；在本实施例中，第二源极24和第二漏极25可通过黄光制程形成；

在第二源极24和第二漏极25上形成第二沟道层26；具体地，第二沟道层26可以由可图案化的材料(例如光阻或其他可图案化的介电材料)制成，其可以通过涂布在第二源极24和第二漏极25上形成；

在第二沟道层26中形成第二沟道29，第二沟道29使第二源极24和第二漏极25至少部分露出，在本实施例中，第二源极24和第二漏极25的部分上表面及两者相对的侧边面均露出；第二沟道层26和第二沟道29的形成方式与第一沟道层14和第一沟道19类似，可以分步形成，也可以同时形成；

在第二沟道29中填充第二有机半导体层27，第二有机半导体层27与第二源极24和第二漏极25连接；第二有机半导体层27可以是通过在第二沟道29中涂布有机半导体形成；

在第二有机半导体层27上形成图案，由此形成所需的电子器件；具体来说，可以在第二有机半导体层27上涂布感光材料，经过曝光、显影、蚀刻等工艺，将第二有机半导体层27图案化。

在上述第三和第四实施例中，由于沟道的深度和延伸方向均是在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此将有机半导体材料填充在沟道层的沟道中形成有机半导体层，相较于直接涂布有机半导体，采用该种方法制造的不同有机半导体薄膜晶体管，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管均具有较为均一的特性。此外，这种方法所形成的有机半导体层的膜厚也较厚，使得有机半导体薄膜晶体管的机械性能更好。

在进一步的优选实施例中，该有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，在形成间隔设置的第二源极24和第二漏极25的步骤之前，还包括如下步骤：

在第二基底21上形成第二栅极22；

在第二基底21上形成第二栅极绝缘层23，第二栅极绝缘层23覆盖第二栅极22，第二源极24和第二漏极25形成于第二栅极绝缘层23的上方。

在上述实施例中，第一栅极17和第二栅极22均可通过黄光制程或印制制程形成，印制制程可以是网印、喷印等。

在一优选实施例中，在第一沟道19中填充第一有机半导体层15时，是在第一沟道19中涂布流体形态的有机半导体，流体形态的有机半导体排列以形成第一有机半导体层15。由于流体形态的有机半导体可以在第一沟道19中流动，因此可以使第一有机半导体层15的厚度更均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着第一沟道19的延伸方向排列，烤干后第一有机半导体层15的排列特性更好，因此使得有机半导体薄膜晶体管的机械和电学性能更好。类似地，第二有机半导体层27也可通过上述方式形成。

在一优选实施例中，在第一沟道19中填充第一有机半导体层15之前，利用等离子体对第一沟道19进行表面处理，由此提高第一有机半导体层15的附着力。类似地，在第二沟道29中填充第二有机半导体层27之前，也可利用等离子体对第二沟道29进行表面处理。

请参考图5至图8，本实用新型实施例还提供一种显示装置的背板4，其上设置有显示区域41，显示区域41下设置有薄膜晶体管阵列，薄膜晶体管阵列包括多个上述任一实施例所述的有机半导体薄膜晶体管。需要说明的是，图5至图8以第二实施例中具有底栅结构的有机半导体薄膜晶体管作为示例来展示该背板4，但第一实施例中具有顶栅结构的有机半导体薄膜晶体管同样可以应用于该背板4中。

在一优选实施例中，请参考图6，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道29彼此相通，从而使得涂布有机半导体材料时可以连续完成多个有机半导体薄膜晶体管的涂布。

在一优选实施例中，薄膜晶体管阵列包括多个呈矩阵分布的有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道层彼此相接，通过如此设置，有利于简化该薄膜晶体管阵列的制程。

请参考图7，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列其中一端或两端(也即涂布方向的首端和末端)的有机半导体薄膜晶体管上设置有分流道42，分流道42与第二沟道层26连接且间隔设置以露出第二沟道29，即第二沟道29的端部位于两分流道42之间，未被分流道42堵住。在本实施例中，薄膜晶体管阵列在第二有机半导体层27的涂布方向的两端的有机半导体薄膜晶体管均设置有分流道42。该分流道42可起到导流作用，以便于涂布第二有机半导体层27。优选地，分流道42呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，分流道42与第二沟道层26连接一端的宽度大于远离第二沟道层26一端的宽度。

请参考图8，薄膜晶体管阵列在沿第二有机半导体层27的涂布方向上分布有多个有机半导体薄膜晶体管，薄膜晶体管阵列在涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上设置有阻挡结构43，阻挡结构43与第二沟道29相接并阻挡第二沟道29，也即在第二有机半导体层27的涂布方向上，第二沟道29的末端被堵塞，有机半导体材料无法从第二沟道29末端流出薄膜晶体管阵列。当涂布有机半导体材料形成第二有机半导体层27后，第二有机半导体层27与阻挡结构43相接。在进一步的优选实施例中，第二有机半导体层27的涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道42，分流道42与第二沟道层26连接且间隔设置以露出第二沟道29。通过如此设置，有利于涂布有机半导体材料以形成第二有机半导体层27。优选地，阻挡结构43呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，阻挡结构43与第二沟道29连接一端的宽度大于远离第二沟道29一端的宽度。

需要说明的是，上述实施例中以应用了底栅结构有机半导体薄膜晶体管的背板4作为示例来说明分流道42和阻挡结构43，但应用了顶栅结构有机半导体薄膜晶体管的背板同样可以设置分流道和阻挡结构，也即在沿第一有机半导体层15的涂布方向上，薄膜晶体管阵列两端的有机半导体薄膜晶体管同样可以连接上述实施例所述的分流道和阻挡结构，此处不再赘述。

本实用新型还提供一种显示装置,其包括上述任一实施例所述的显示装置的背板。上述有机半导体薄膜晶体管所带来的有益效果显然也可在该显示装置及其背板中体现，使得各显示单元的显示特性比较一致，此处不再赘述。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (16)

1.一种有机半导体薄膜晶体管,其包括源极、漏极和栅极，其特征在于，所述源极和漏极上设置有沟道层，所述沟道层中形成有使所述源极和漏极至少部分露出的沟道，所述沟道中填充有有机半导体层，所述有机半导体层与所述源极和漏极连接，所述有机半导体层上形成有图案。

2.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有顶栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述源极和漏极间隔开地设置在所述基底上，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述基底相接，所述栅极绝缘层位于所述沟道层上并覆盖所述有机半导体层，所述栅极形成于所述栅极绝缘层上方。

3.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体薄膜晶体管具有底栅结构，其进一步包括基底和栅极绝缘层，所述栅极形成于所述基底上，所述栅极绝缘层设于所述基底上并覆盖所述栅极，所述源极和漏极间隔开地设置于所述栅极绝缘层的上方，所述有机半导体层伸入所述源极与漏极之间并与所述栅极绝缘层相接。

4.根据权利要求2或3所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述有机半导体层的上表面相对于所述沟道层凸出。

5.根据权利要求2或3所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，在横向方向上，所述栅极位于所述源极和所述漏极之间。

6.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道层的横截面呈倾斜角结构、垂直结构或底切结构。

7.根据权利要求2或3所述的有机半导体薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层是由可图案化的有机介电材料制成的。

8.一种显示装置的背板,其上设置有薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个如权利要求1至7任一项所述的有机半导体薄膜晶体管。

9.根据权利要求8所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道彼此相通。

10.根据权利要求8所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包括多个呈矩阵分布的所述有机半导体薄膜晶体管，相邻有机半导体薄膜晶体管的沟道层彼此相接。

11.根据权利要求8所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中一端或两端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

12.根据权利要求11所述的显示装置的背板，其特征在于，所述分流道呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述分流道与所述沟道层连接一端的宽度大于远离所述沟道层一端的宽度。

13.根据权利要求8所述的显示装置的背板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列在沿所述有机半导体层的涂布方向上分布有多个所述有机半导体薄膜晶体管，其中涂布方向末端的有机半导体薄膜晶体管上连接有阻挡结构，所述阻挡结构与所述沟道相接并阻挡所述沟道。

14.根据权利要求13所述的显示装置的背板，其特征在于，涂布方向首端的有机半导体薄膜晶体管上连接有分流道，所述分流道与所述沟道层连接且间隔设置以露出所述沟道。

15.根据权利要求13所述的显示装置的背板，其特征在于，所述阻挡结构呈三角形、椭圆形、半圆形或梯形，所述阻挡结构与所述沟道连接一端的宽度大于远离所述沟道一端的宽度。

16.一种显示装置,其特征在于，包括如权利要求8至15任一项所述的显示装置的背板。