CN205420545U - 一种等离子体化学气相沉积装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及等离子体化学气相沉积技术领域，公开一种等离子体化学气相沉积装置，该等离子体化学气相沉积装置包括至少一个沉积工艺腔室，每一个沉积工艺腔室中设有下极板；沉积工艺腔室的侧壁对应下极板侧面的部位设有至少一个通孔；每一个沉积工艺腔室的侧壁外侧设有与上述通孔一一对应的顶杆装置，每一个顶杆装置包括：和通孔相通的波纹管，波纹管的第一端通过第一密封板密封，第二端密封安装于沉积工艺腔室的侧壁、以与通孔相连通；位于波纹管内、且一端固定安装于第一密封板的伸缩杆，伸缩杆的另一端伸入通孔内部，当波纹管折叠收缩至一定程度时，伸缩杆可穿过通孔且与下极板的侧面相抵。上述等离子体化学气相沉积装置的稼动率较高。

Description

一种等离子体化学气相沉积装置

技术领域

本实用新型涉及等离子体化学气相沉积技术领域，尤其是涉及一种等离子体化学气相沉积装置。

背景技术

等离子体化学气相沉积装置一般用于实现在基板上进行镀膜，其在薄膜晶体管液晶显示技术(TFT—LCD)行业、薄膜太阳能行业中具有广泛的应用。等离子体化学气相沉积装置中一般包括至少一个沉积工艺腔室，如图1所示，沉积工艺腔室中设有用于承载带加工基板的下极板(Susceptor)20，该下极板20安装于支承轴30上，其可以在电机的控制下进行上下移动以保证其与上极板之间的间距，并且，该下极板20可以与遮挡板40配合，使基板10边缘在遮挡板40的保护部分形成膜边(DEPDesign)。

由于加工生产过程中，下极板20会频繁的上下调节移动，从而其很容易相对于支承轴30发生旋转，而下极板20产生的旋转会导致基板10与下极板20和遮挡板40的相对位置发生变动，进而容易造成基板10受压破损(GlassBroken)或者下极板20受尖端放电破损(PartsArcing)等情况出现，而一旦发生上述情况，则必须先将沉积工艺腔室降温，然后再进行腔室的清理和修复，这将严重降低整个等离子体化学气相沉积装置的稼动率。

实用新型内容

本实用新型提供了一种等离子体化学气相沉积装置，用以解决现有技术中的等离子体化学气相沉积装置的稼动率较低的问题。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种等离子体化学气相沉积装置，包括至少一个沉积工艺腔室，每一个所述沉积工艺腔室中设有支承轴以及安装于所述支承轴上、用于承载待加工基底的下极板；其中，所述沉积工艺腔室的侧壁与所述下极板的侧面相对的部位设有至少一个通孔；每一个所述沉积工艺腔室的侧壁外侧设有与所述至少一个通孔一一对应的至少一个顶杆装置，每一个所述顶杆装置包括：

和与该顶杆装置对应的通孔相通的波纹管，所述波纹管的第一端通过第一密封板密封，所述波纹管的第二端密封安装于所述沉积工艺腔室的侧壁、以与所述通孔相连通；

位于所述波纹管内、且一端固定安装于所述第一密封板的伸缩杆，所述伸缩杆的另一端伸入所述通孔内部，当所述第一密封板朝向所述沉积工艺腔室的侧壁方向运动、以使所述波纹管折叠收缩至一定程度时，所述伸缩杆可穿过所述通孔且与所述下极板的侧面相抵。

上述等离子体化学气相沉积装置中，每一个沉积工艺腔室的侧壁上与下极板的侧壁相对的部位设有通孔、以及与通孔一一对应的顶杆装置，每一个顶杆装置中包括与通孔相连通的波纹管、以保证整个沉积工艺腔室内部环境的密封性；每一个顶杆装置的波纹管中设有伸缩杆，伸缩杆的一端安装于波纹管、另一端伸入沉积工艺腔室侧壁上的通孔内部，当波纹管折叠收缩至一定程度时，伸缩杆伸入通孔内部的一端可以进入沉积工艺腔室中与下极板的侧面相抵，从而，可以通过推动伸缩杆来驱动下极板旋转，进而实现对下极板的位置进行调整；因此，上述等离子体化学气相沉积装置中，当某一个沉积工艺腔室中的下极板在上下移动过程中产生旋转时，可以通过该沉积工艺腔室侧壁上设有的顶杆装置对下极板的位置进行调整，以避免由于下极板位置偏移而导致基板受压破损(GlassBroken)或者下极板受尖端放电破损(PartsArcing)等情况出现，从而提高整个等离子体化学气相沉积装置的稼动率。

因此，上述等离子体化学气相沉积装置的稼动率较高。

优选地，所述波纹管的第二端设有与所述沉积工艺腔室的侧壁相对设置、且固定安装于所述沉积工艺腔室的侧壁的第二密封板，所述第二密封板上设有与所述通孔相对设置、且供伸缩杆穿过的过孔，所述第二密封板朝向所述沉积工艺腔室侧壁的一侧设有环绕所述过孔设置、且压紧于所述沉积工艺腔室侧壁上的密封环。

优选地，每一个所述顶杆装置还包括用于调节所述波纹管的折叠伸缩的波纹管架。

优选地，所述波纹管架包括：位于所述波纹管外部、且沿所述波纹管的延伸方向延伸的至少一根螺纹杆；每一根所述螺纹杆的一端固定安装于所述沉积工艺腔室的侧壁；所述第一密封板设有与所述至少一根螺纹杆一一对应的至少一个过孔；每一根螺纹杆穿过与其对应的过孔，且每一根所述螺纹杆位于所述第一密封板的两侧分别设有一个调节螺母、以用于驱动所述第一密封板在沿所述螺纹杆的延伸方向上进行运动。

优选地，所述第二密封板上设有与所述至少一根螺纹杆一一对应的至少一个过孔；每一根螺纹杆穿过与其对应的过孔、且每一根所述螺纹杆位于所述第二密封板背离所述沉积工艺腔室侧壁的一侧设有锁紧螺母、以使第二密封板压紧于沉积工艺腔室的侧壁上。

优选地，所述波纹管架包括四根螺纹杆，所述四根螺纹杆均匀分布于所述波纹管的外侧。

优选地，所述伸缩杆背离所述第一密封板的一端设有非刚性垫片结构。

优选地，每一个所述沉积工艺腔室的侧壁上设有2～6个通孔。

优选地，所述等离子体化学气相沉积装置包括多个沉积工艺腔室、以及将待加工基底传递到每一个所述沉积工艺腔室中的一个中间传递腔室，所述多个沉积工艺腔室围绕所述中间传递腔室排列设置；每一个所述沉积工艺腔室为方形、且每一个所述沉积工艺腔室上的通孔设置于所述沉积工艺腔室中除了与所述中间传递腔室相邻的一个侧壁以外的三个侧壁上。

优选地，每一个所述沉积工艺腔室的侧壁上设有两个通孔，所述两个通孔分别位于所述沉积工艺腔室的三个侧壁中相对的两个侧壁上。

附图说明

图1为现有技术的等离子体化学气相沉积装置的一个沉积工艺腔室的切面结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种等离子体化学气相沉积装置的一个沉积工艺腔室的切面结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种等离子体化学气相沉积装置中的顶杆装置的切面结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的一种等离子体化学气相沉积装置的沉积工艺腔室和中间传递腔室的整体结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图2～图4。

如图2～图4所示，本实用新型实施例提供的一种等离子体化学气相沉积装置，包括至少一个沉积工艺腔室1，每一个沉积工艺腔室1中设有支承轴3以及安装于支承轴3上、用于承载待加工基底10的下极板2；其中，沉积工艺腔室1的侧壁与下极板2的侧面相对的部位设有至少一个通孔4；每一个沉积工艺腔室1的侧壁外侧设有与至少一个通孔4一一对应的至少一个顶杆装置5，每一个顶杆装置5包括：

和与该顶杆装置5对应的通孔4相通的波纹管6，波纹管6的第一端通过第一密封板61密封，波纹管6的第二端密封安装于沉积工艺腔室1的侧壁、以与通孔4相连通；

位于波纹管6内、且一端固定安装于第一密封板61的伸缩杆7，伸缩杆7的另一端伸入通孔4内部，当第一密封板61朝向沉积工艺腔室1的侧壁方向运动、以使波纹管6折叠收缩至一定程度时，伸缩杆7可穿过通孔4且与下极板2的侧面21相抵。

上述等离子体化学气相沉积装置中，每一个沉积工艺腔室1的侧壁上与下极板2的侧壁21相对的部位设有通孔4、以及与通孔4一一对应的顶杆装置5，每一个顶杆装置5中包括与通孔4相连通的波纹管6、以保证整个沉积工艺腔室1内部环境的密封性；每一个顶杆装置5的波纹管6中设有伸缩杆7，伸缩杆7的一端安装于波纹管6、另一端伸入沉积工艺腔室1侧壁上的通孔4内部，当波纹管6折叠收缩至一定程度时，伸缩杆7伸入通孔4内部的一端可以进入沉积工艺腔室1中并与下极板2的侧面21相抵，从而，可以通过推动伸缩杆7来驱动下极板2旋转，进而实现对下极板2的位置进行调整；因此，上述等离子体化学气相沉积装置中，当某一个沉积工艺腔室1中的下极板2在上下移动过程中产生旋转时，可以通过该沉积工艺腔室1侧壁上设有的顶杆装置5对下极板2的位置进行调整，以避免由于下极板2位置偏移而导致基板10受压破损(GlassBroken)或者下极板2受尖端放电破损(PartsArcing)等情况出现，从而提高整个等离子体化学气相沉积装置的稼动率。

因此，上述等离子体化学气相沉积装置的稼动率较高。

如图2和图3所示，一种具体的实施例中，顶杆装置5中，波纹管6的第二端设有与沉积工艺腔室1的侧壁相对设置、且固定安装于沉积工艺腔室1的侧壁上的第二密封板62，该第二密封板62上设有与通孔4相对设置、且供伸缩杆7穿过的过孔，第二密封板62朝向沉积工艺腔室1侧壁的一侧设有环绕过孔设置、且压紧于沉积工艺腔室1侧壁上的密封环620。

通过第二密封板62可以将波纹管6的第二端封装起来，而第二密封板62上设有的密封环620环绕第二密封板62上的过孔设置且压紧于沉积工艺腔室1的侧壁上，可以保证第二密封板62与沉积工艺腔室1侧壁之间的密封连接，进而保证波纹管6与通孔4之间的密封连通。

如图2和图3所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，每一个顶杆装置5还可以包括用于调节波纹管6的折叠伸缩的波纹管架8。

如图3所示，一种具体的实施方式中，波纹管架8可以包括：

位于波纹管6外部、且沿波纹管6的延伸方向延伸(即垂直于沉积工艺腔室1的侧壁方向上)的至少一根螺纹杆81；每一根螺纹杆81的一端固定安装于沉积工艺腔室1的侧壁；

第一密封板62上设有与螺纹杆81一一对应的过孔，每一根螺纹杆81穿过第一密封板62上与其对应的过孔，且每一根螺纹杆81位于第一密封板62的两侧分别设有一个调节螺母82、以用于驱动第一密封板62在沿螺纹杆81的延伸方向上进行运动。

上述波纹管架8包括沿波纹管6的延伸方向延伸的至少一根螺纹杆81，且每一根螺纹杆81穿过第一密封板61，因此，第一密封板61可以在螺纹杆81的延伸方向上运动以带动波纹管6伸缩运动；并且，由于与螺纹杆81螺纹配合的调节螺母82可以沿螺纹杆81的延伸方向上调节移动，因此，通过调节移动第一密封板61两侧的调节螺母82，可以驱动第一密封板61沿螺纹杆81的延伸方向(即朝向或远离沉积工艺腔室1的侧壁方向)运动，进而实现对波纹管6伸缩运动的调节；并且，第一密封板61两侧通过调节螺母82进行限位，可以避免第一密封板61受到压力或者在外部大气压力下运动、进而可以避免在不需要调整下极板2位置时伸缩杆7触碰到下极板2。

如图3所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，第二密封板62上也设有与螺纹杆81一一对应的过孔；每一根螺纹杆81穿过第二密封板62上与其对应的过孔、且每一根螺纹杆81位于第二密封板62背离沉积工艺腔室1侧壁的一侧设有锁紧螺母83、以使第二密封板62压紧于沉积工艺腔室1的侧壁上。

由于每一根螺纹杆81穿过第二密封板62、且一端安装于沉积工艺腔室1的侧壁上，所以，通过调节螺纹杆81上的锁紧螺母83的位置可以使第二密封板62贴紧并固定于沉积工艺腔室1的侧壁上，进而，可以使第二密封板62的密封环620压紧于沉积工艺腔室1的侧壁上，进而保证波纹管6与通孔4之间的密封连通。

如图2和图4所示，在上述两个实施例的基础上，一种优选的实施例中，波纹管架8可以包括四根螺纹杆81、以保证整个顶杆装置5的稳定性，该四根螺纹杆81均匀分布于波纹管6的外周侧。

当然，本实用新型中，上述螺纹杆81的数量并不限于四个，也可以是二个或者三个。

如图3所示，在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，伸缩杆7背离第一密封板61的一端可以设置有非刚性的垫片结构71；该垫片结构71可以避免伸缩杆7的端部对下极板2造成划损。进一步地，一种优选的实施例中，伸缩杆7安装于第二密封板62的一端可以设有台阶部72，以限定伸缩杆7可伸入沉积工艺腔室1中的极限位置。

优选地，上述垫片结构71的材料可以为聚四氟乙烯。聚四氟乙烯(商标名为“特氟龙”)这种材料具有抗酸抗碱、抗各种有机溶剂的特点，几乎不溶于所有的溶剂，同时，聚四氟乙烯具有耐高温摩擦系数极低的特点，因此，它很适合用作于垫片结构。

在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，每一个沉积工艺腔室1的侧壁上可以设有2～6个通孔4、并安装有2～6个与通孔4一一对应的顶杆装置5。

如图4所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，本实用新型提供的离子体化学气相沉积装置可以包括多个沉积工艺腔室1、以及将待加工基底10传递到每一个沉积工艺腔室1中的一个中间传递腔室9，多个沉积工艺腔室1围绕中间传递腔室9排列设置；每一个沉积工艺腔室1为方形、且每一个沉积工艺腔室1上的通孔4设置于沉积工艺腔室1中除了与中间传递腔室9相邻的一个侧壁11以外的三个侧壁(侧壁12、侧壁13和侧壁14)上。

沉积工艺腔室1与中间传递腔室9相邻的侧壁一侧不利于顶杆装置5的安装与调节，因此，优选地，在每一个沉积工艺腔室1的其它三个侧壁(侧壁12、侧壁13和侧壁14)上设置通孔4并安装顶杆装置5。

如图4所示，在上述实施例的基础上，一种具体的实施例中，每一个沉积工艺腔室1的侧壁上设有两个通孔4，该两个通孔4分别位于沉积工艺腔室1的三个侧壁(侧壁12、侧壁13和侧壁14)中相对的两个侧壁(侧壁12和侧壁14)上；优选地，该两个通孔4的中心线重合。通过上述对应设置的两个顶杆装置5即可以实现对下极板2在两个旋转方向上进行移动调节。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括至少一个沉积工艺腔室，每一个所述沉积工艺腔室中设有支承轴以及安装于所述支承轴上、用于承载待加工基底的下极板；其中，所述沉积工艺腔室的侧壁与所述下极板的侧面相对的部位设有至少一个通孔；每一个所述沉积工艺腔室的侧壁外侧设有与所述至少一个通孔一一对应的至少一个顶杆装置，每一个所述顶杆装置包括：

和与该顶杆装置对应的通孔相通的波纹管，所述波纹管的第一端通过第一密封板密封，所述波纹管的第二端密封安装于所述沉积工艺腔室的侧壁、以与所述通孔相连通；

位于所述波纹管内、且一端固定安装于所述第一密封板的伸缩杆，所述伸缩杆的另一端伸入所述通孔内部，当所述第一密封板朝向所述沉积工艺腔室的侧壁方向运动、以使所述波纹管折叠收缩至一定程度时，所述伸缩杆可穿过所述通孔且与所述下极板的侧面相抵。

2.根据权利要求1所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管的第二端设有与所述沉积工艺腔室的侧壁相对设置、且固定安装于所述沉积工艺腔室的侧壁的第二密封板，所述第二密封板上设有与所述通孔相对设置、且供伸缩杆穿过的过孔，所述第二密封板朝向所述沉积工艺腔室侧壁的一侧设有环绕所述过孔设置、且压紧于所述沉积工艺腔室侧壁上的密封环。

3.根据权利要求2所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，每一个所述顶杆装置还包括用于调节所述波纹管的折叠伸缩的波纹管架。

4.根据权利要求3所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管架包括：

位于所述波纹管外部、且沿所述波纹管的延伸方向延伸的至少一根螺纹杆；每一根所述螺纹杆的一端固定安装于所述沉积工艺腔室的侧壁；

所述第一密封板设有与所述至少一根螺纹杆一一对应的至少一个过孔；每一根螺纹杆穿过与其对应的过孔，且每一根所述螺纹杆位于所述第一密封板的两侧分别设有一个调节螺母、以用于驱动所述第一密封板在沿所述螺纹杆的延伸方向上进行运动。

5.根据权利要求4所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二密封板上设有与所述至少一根螺纹杆一一对应的至少一个过孔；每一根螺纹杆穿过与其对应的过孔、且每一根所述螺纹杆位于所述第二密封板背离所述沉积工艺腔室侧壁的一侧设有锁紧螺母、以使第二密封板压紧于沉积工艺腔室的侧壁上。

6.根据权利要求5所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述波纹管架包括四根螺纹杆，所述四根螺纹杆均匀分布于所述波纹管的外侧。

7.根据权利要求1～6任一项所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，所述伸缩杆背离所述第一密封板的一端设有非刚性垫片结构。

8.根据权利要求1～6任一项所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，每一个所述沉积工艺腔室的侧壁上设有2～6个通孔。

9.根据权利要求8所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，包括多个沉积工艺腔室、以及将待加工基底传递到每一个所述沉积工艺腔室中的一个中间传递腔室，所述多个沉积工艺腔室围绕所述中间传递腔室排列设置；每一个所述沉积工艺腔室为方形、且每一个所述沉积工艺腔室上的通孔设置于所述沉积工艺腔室中除了与所述中间传递腔室相邻的一个侧壁以外的三个侧壁上。

10.根据权利要求9所述的等离子体化学气相沉积装置，其特征在于，每一个所述沉积工艺腔室的侧壁上设有两个通孔，所述两个通孔分别位于所述沉积工艺腔室的三个侧壁中相对的两个侧壁上。