CN205140963U - 一种高功率半导体的内包芯片材结构 - Google Patents
一种高功率半导体的内包芯片材结构 Download PDFInfo
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Abstract
一种高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层、导电层、绝缘层，其中衬垫层是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物以及高分子树脂基材。本实用新型通过在半导体上使用包覆材料能够屏蔽电磁辐射问题，而且通过改进包覆材料的结构，能够带来更加稳定的电磁隔离效果，稳定电路信号，带来稳定的电路、信号使用效果。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体的内部结构，尤其涉及内层包芯内电磁屏蔽薄膜片材结构。
背景技术
高功率半导体通常跟电源组件以及其他信号发射接收元器件进行集成使用，在使用中未了避免高频电波的干扰通常都需要对相互单元之间进行屏蔽和信号隔离，使得其中各个单元的功能能够独立地正常地发挥作用。
电磁屏蔽材料是通过消减、拦截或者阻断电磁辐射能量，而使其所限定在所规定的空间内，阻止电磁波的传播与扩散的一类材料。
目前的半导体或者直接裸露组装或者是单层材料外包，电磁感应作用比较强，互相之间干扰比较大，影响了半导体元件的性能稳定，会对其他元器件产生比较大的影响，从而导致整个电子设备的紊乱以及故障频发。
发明内容
本实用新型针对以上问题提出了一种改换了半导体内部基材的结构的产品，能够避免电磁干扰的问题，带来稳定的电磁隔离效果，稳定整体使用效果。
本实用新型所述涉及高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层、导电层、绝缘层，其中衬垫层是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物以及高分子树脂基材。
该导电材料层包含恰好包裹住金属内嵌物的高分子树脂以及高分子树脂内的金属内嵌物，该金属内嵌物为相对而置的两条梳齿状金属支条。
该金属内嵌物材料为铝、铜或金材料。
本实用新型通过在半导体上使用包覆材料能够屏蔽电磁辐射问题，而且通过改进包覆材料的结构，能够带来更加稳定的电磁隔离效果，稳定电路信号，带来稳定的电路、信号使用效果。
附图说明
图1是本实用新型高功率半导体的内包芯片材结构的剖视图；
图2是本实用新型高功率半导体的内包芯片材结构的导电层结构图；
其中：10、衬底层；20、导电层；21、金属内嵌物；22、高分子树脂；30、绝缘层。
具体实施方式
下面将结合附图及实施例对本实用新型高功率半导体的内包芯片材结构进行详细说明。
请参考附图：一种高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层10、导电层20、绝缘层30，其中衬垫层10是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层30是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层20是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物21以及高分子树脂22基材。
该导电材料层包含恰好包裹住金属内嵌物的高分子树脂22以及高分子树脂内的金属内嵌物21，该金属内嵌物21为相对而置的两条梳齿状金属支条。
该金属内嵌物材料为铝、铜或金材料。
本实用新型通过在半导体上使用包覆材料能够屏蔽电磁辐射问题，而且通过改进包覆材料的结构，能够带来更加稳定的电磁隔离效果，稳定电路信号，带来稳定的电路、信号使用效果。
以上所述，仅是本实用新型较佳实施例而已，并非对本实用新型作任何形式上的限制，虽然本实用新型以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围内，当利用上述揭示的技术内容作出些许变更或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型技术是指对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (3)
1.一种高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层、导电层、绝缘层，其中衬垫层是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物以及高分子树脂基材。
2.根据权利要求1所述高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该导电材料层包含恰好包裹住金属内嵌物的高分子树脂以及高分子树脂内的金属内嵌物，该金属内嵌物的形状为相对而置的两条梳齿状金属支条。
3.根据权利要求2所述高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该金属内嵌物材料为铝、铜或金材料。
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| CN115799227B (zh) * | 2023-01-10 | 2023-06-09 | 荣耀终端有限公司 | 裸芯片、芯片和电子设备 |
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