CN205115060U - 硅镁合金制备反应炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种硅镁合金制备反应炉,其为圆柱形的炉体,炉体的顶部设有真空密封盖,真空密封盖的上方设有搅拌电机,所述的炉体内部设有搅拌轴连接在搅拌电机上,搅拌轴与炉体之间设有环形的加热隔层,搅拌轴的底部设有主搅拌杆,加热隔层内部的搅拌轴上设有副搅拌杆,主搅拌杆上设有炉底温控探头,副搅拌杆上设有隔层内侧温控探头,炉体的中部设有隔层外侧温控探头;本实用新型的加热装置产生的能量全部利用在炉体内,能量利用率高;同时通过炉体内多个位置上的温控探头控制炉体内的温度,当不同位置上的温度发生变化时,可采用不同的操作方法进行保温或者降温,操作简单,保证了硅镁合金的高效反应。
Description
技术领域
本实用新型涉及合金材料的制备装置领域,尤其涉及一种控制精准的硅镁合金制备反应炉。
背景技术
目前市面上应用硅镁法制备硅烷的工艺过程,通常是将工业硅粉和硅粉在550℃左右的真空条件下进行反应,通常这种制备过程中从升温开始到反应结束通常只需4-5小时,但实际操作时,加热炉往往是从室温升高到550℃后,由于硅化镁合成是放热反应,温度会超过550℃,这样就会产生高阶的硅化镁化合物等副反应,这些高阶硅化镁化合物存在于Mg2Si合金中。
同时对于市面上其他的硅镁合金反应炉,其炉体采用外部加热,外部加热的炉体采用热传导进行加热,外部加热的炉体能耗较高,其炉体外侧需要再次设计一层保温层以保证装置的保温效果,这样导致加热装置的传热面积较大,同等条件下,装置本身的能量利用率较低。
实用新型内容
针对上述存在的问题,本实用新型目的在于提供一种能量利用率高,控制精准,产能高的硅镁合金制备反应炉。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:一种硅镁合金制备反应炉,所述的反应炉为圆柱形的炉体,炉体的顶部设有真空密封盖,真空密封盖的上方设有搅拌电机,所述的炉体内部设有搅拌轴连接在搅拌电机上,搅拌轴与炉体之间设有环形的加热隔层,所述的加热隔层内设有加热线圈,加热线圈通过加热隔层顶部的连接杆连接在炉体上,搅拌轴的底部设有主搅拌杆,加热隔层内部的搅拌轴上设有副搅拌杆,所述的主搅拌杆上设有炉底温控探头,副搅拌杆上设有隔层内侧温控探头,所述炉体的中部设有隔层外侧温控探头。
作为本实用新型的一种改进,所述的加热隔层的内侧面为垂直的圆柱形截面,所述加热隔层的外侧面为倾斜的圆锥形截面;通过锥形的加热隔层方便取料,避免硅镁合金产品附着在加热隔层上。
作为本实用新型的一种改进,所述的真空密封盖上设有抽真空管路,所述的抽真空管路上设有控制阀门和检测仪表;通过抽真空管路方便将炉体抽成真空,保证炉体内适宜的反应条件,控制精准。
作为本实用新型的一种改进,所述的真空密封盖的侧方设有惰性气体降温管道,所述的惰性气体降温管道设置在抽真空管道的对侧;当炉体内的温度到达550℃时,反应放热,当炉体内温度变高时,通过惰性气体降温管道通入少量惰性气体,在通过抽真空管路排出,对炉体内达到一定程度上的降温效果。
作为本实用新型的一种改进,所述的搅拌电机,加热隔层,炉底温控探头,隔层内侧温控探头,隔层外侧温控探头,抽真空管路和惰性气体降温管道均连接在一个控制器上;整体装置通过一个控制器综合控制,方便操作人员实时监控炉体内温度和压力情况,控制精确。
本实用新型的优点在于:本实用新型通过在炉体内部添加的环形的加热隔层,加热装置的能量全部利用在炉体内,能量利用率高,能耗较小;同时通过炉体内多个位置上的温控探头控制炉体内的温度,保证炉体内各个位置上的均匀反应,当不同位置上的温度发生变化时,采用不同的操作方法进行保温或者降温,操作简单,保证了硅镁合金的高效反应,避免副反应的发生,实用效果好。
附图说明
图1为本实用新型装置结构简图;
图2为本实用新型导流加热筒的俯视结构图;
其中,1炉体,2真空密封盖,3搅拌电机,4搅拌轴,5加热隔层,5-1加热隔层的外侧面,5-2加热隔层的内侧面,6主搅拌杆,7副搅拌杆,8连接杆,9抽真空管路,10惰性气体降温管道,P1炉底温控探头,P2隔层内侧温控探头,P3隔层外侧温控探头。
具体实施方式
下面结合附图说明和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的描述。
实施例1:如图1和2所示的一种硅镁合金制备反应炉,所述的反应炉为圆柱形的炉体1,炉体1的顶部设有真空密封盖2,真空密封盖2的上方设有搅拌电机3,所述的炉体1内部设有搅拌轴4连接在搅拌电机3上,搅拌轴4与炉体1之间设有环形的加热隔层5,所述的加热隔层5内设有加热线圈,加热线圈通过加热隔层5顶部的连接杆8连接在炉体1上,搅拌轴4的底部设有主搅拌杆6,加热隔层5内部的搅拌轴3上设有副搅拌杆7,所述的主搅拌杆6上设有炉底温控探头P1,副搅拌杆7上设有隔层内侧温控探头P2,所述炉体1的中部设有隔层外侧温控探头P3。
实施例2:如图1和2所示,加热隔层的内侧面5-2为垂直的圆柱形截面,所述加热隔层的外侧面5-1为倾斜的圆锥形截面;通过锥形的加热隔层5方便取料,避免硅镁合金产品附着在加热隔层5上。
实施例3:如图1和2所示,真空密封盖3上设有抽真空管路9,所述的抽真空管路9上设有控制阀门和检测仪表;通过抽真空管路9方便将炉体抽成真空,保证炉体1内适宜的反应条件,控制精准。
实施例4:如图1和2所示,真空密封盖3的侧方设有惰性气体降温管道10,所述的惰性气体降温管道10设置在抽真空管道9的对侧;当炉体1内的温度到达550℃时,反应放热,当炉体1内温度变高时,通过惰性气体降温管道10通入少量惰性气体,在通过抽真空管路9排出,对炉体1内达到一定程度上的降温效果。
实施例5:如图1和2所示,搅拌电机3,加热隔层5,炉底温控探头P1,隔层内侧温控探头P2,隔层外侧温控探头P3,抽真空管路9和惰性气体降温管道8均连接在一个控制器上;整体装置通过一个控制器综合控制,方便操作人员实时监控炉体内温度和压力情况,控制精确。
当炉体1内某个温控探头P1、P2或P3温度过高时,通过提高搅拌电机3的搅拌速度来保证炉体1内的均匀的温度,当炉体1内所有温控探头P1、P2和P3温度过高时,通过关闭加热隔层5,打开惰性气体降温管道10和抽真空管路9,对炉体1内进行降温操作,当温度达标后,继续进行保温反应。
需要说明的是,上述仅仅是本实用新型的较佳实施例,并非用来限定本实用新型的保护范围,在上述实施例的基础上所作出的等同变换均属于本实用新型的保护范围。
Claims (5)
1.一种硅镁合金制备反应炉,所述的反应炉为圆柱形的炉体,炉体的顶部设有真空密封盖,真空密封盖的上方设有搅拌电机,其特征在于,所述的炉体内部设有搅拌轴连接在搅拌电机上,搅拌轴与炉体之间设有环形的加热隔层,所述的加热隔层内设有加热线圈,加热线圈通过加热隔层顶部的连接杆连接在炉体上,搅拌轴的底部设有主搅拌杆,加热隔层内部的搅拌轴上设有副搅拌杆,所述的主搅拌杆上设有炉底温控探头,副搅拌杆上设有隔层内侧温控探头,所述炉体的中部设有隔层外侧温控探头。
2.根据权利要求1所述的硅镁合金制备反应炉,其特征在于,所述的加热隔层的内侧面为垂直的圆柱形截面,所述加热隔层的外侧面为倾斜的圆锥形截面。
3.根据权利要求1所述的硅镁合金制备反应炉,其特征在于,所述的真空密封盖上设有抽真空管路,所述的抽真空管路上设有控制阀门和检测仪表。
4.根据权利要求3所述的硅镁合金制备反应炉,其特征在于,所述的真空密封盖的侧方设有惰性气体降温管道,所述的惰性气体降温管道设置在抽真空管道的对侧。
5.根据权利要求4所述的硅镁合金制备反应炉,其特征在于,所述的搅拌电机,加热隔层,炉底温控探头,隔层内侧温控探头,隔层外侧温控探头,抽真空管路和惰性气体降温管道均连接在一个控制器上。
Priority Applications (1)
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CN201520813103.XU CN205115060U (zh) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 硅镁合金制备反应炉 |
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CN201520813103.XU Active CN205115060U (zh) | 2015-10-21 | 2015-10-21 | 硅镁合金制备反应炉 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111943211A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-11-17 | 南方科技大学 | 一种金属硅化物制备方法和制备辅助装置 |
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2015
- 2015-10-21 CN CN201520813103.XU patent/CN205115060U/zh active Active
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