CN205062175U - 一种改善靶材结瘤的ito薄膜生产装置 - Google Patents
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Abstract
一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放卷辊、收卷辊、镀膜主辊与靶材，放卷辊与收卷辊分别位于密封腔体内两侧，镀膜主辊处于收卷辊与放卷辊之间的下方，所述靶材包括有第一靶材与第二靶材，分别设于镀膜主辊左右两边的密封腔体壁面上。本实用新型通过将靶材都设于密封腔体壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔体内气流的流动，使得氧化物溅落在无效溅射区，减少了溅射结瘤，提高ITO薄膜透过率，降低雾度和表面电阻，使产品性能更稳定，并且提高了靶材的利用率，降低了工人对靶材的清洁次数，节约了生产成本和生产时间。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种ITO薄膜生产装置，尤其是一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置。
背景技术
多数情况下，ITO薄膜通过溅射这种生产方式获得。在溅射过程中，通常会在靶材溅射表面累积一些从几微米到几毫米大小的异物，这些异物被认为是In或Si的不完全氧化物，一般称之为结瘤。随着溅射时间的增加，结瘤数量增加，结瘤的体积也会增大，并逐步覆盖靶材表面。由于结瘤具有绝缘性，结瘤量的增加会导致溅射过程中发生异常放电，使ITO薄膜上产生粒状物，影响ITO薄膜的质量。
结瘤是在生产透明导电膜过程中，溅射靶材特有的问题。对于靶材表面结瘤的异常增加，可以通过中止溅射操作，对溅射靶材表面的结瘤进行清洁再生处理。但这种方法会中断连续作业，是导致生产效率下降的主要原因。并且这种方法不但花费作业者的时间和精力，也会影响到作业者工作心情，降低工作效率。并且即使去除靶材上的结瘤，但反复进行的再生处理也很难使靶材恢复到新靶材的状态。这样造成的一种结果就是，靶材在用尽以前(通常指靶材消耗殆尽的寿命)，会因为结瘤的增加导致靶材不能继续使用。所以，从生产效率和材料成本两个方面来看，减少结瘤，提高靶材的洁净度，是ITO薄膜生产中主要的改进方向之一。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种能够改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置。
为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放卷辊、收卷辊、镀膜主辊与靶材，放卷辊与收卷辊分别位于密封腔体内两侧，镀膜主辊处于收卷辊与放卷辊之间的下方，所述靶材包括有第一靶材与第二靶材，分别设于镀膜主辊左右两边的密封腔体壁面上。
本实用新型进一步方案，所述ITO薄膜生产装置还设有放导辊和收导辊，放导辊位于放卷辊与镀膜主辊之间，收导辊位于收卷辊与镀膜主辊之间，所述放卷棍上的基材按顺序经过放导辊内侧，镀膜主辊，收导辊内侧，到收卷辊收卷。
本实用新型进一步方案，放导辊与收导辊轴心之间的距离小于收卷辊与放卷辊轴心之间的距离。
本实用新型进一步方案，所述密封腔体底面到镀膜主辊最下端的距离小于靶材的厚度。
本实用新型进一步方案，第一靶材中心到镀膜主辊轴心之间的距离等于第二靶材中心到镀膜主辊轴心之间的距离。
本实用新型进一步方案，所述第一靶材为Si靶材，所述第二靶材为ITO靶材。
本实用新型进一步方案，所述密封腔体设有进气口和出气口，进气口与送气管道相连，出气口与真空泵相连。
本实用新型与现有技术相比，本实用新型通过将靶材都设于密封腔体的壁面上，利用氧化物自身的重量和密封腔体内气流的流动，使得氧化物溅落在无效溅射区，减少了靶材表面的氧化物，使得本实用新型具有以下优点和进步：(1)减少了结瘤，降低了溅射过程中的异常放电和薄膜表面粒状物的产生，提高ITO薄膜透过率，降低雾度和表面电阻，使产品性能更稳定，质量更佳；(2)提高了靶材的利用率，降低了生产成本；(3)降低了作业者对靶材的清洁次数，节约了生产时间，提高了生产效率。
为更清楚地阐述本实用新型的结构特征、技术手段及其所达到的具体目的和功能，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型作进一步详细说明：
附图说明
图1是本实用新型之实施例的结构示意图。
附图标识说明：
1、放卷辊，2、放导辊，3、镀膜主辊，4、收导辊，5、收卷辊，6、第一靶材，7、第二靶材，8、基材，9、密封腔体，10、进气口，11、出气口。
具体实施方式
如图1所示，一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，包括密封腔体9，以及设置于密封腔体9内的放卷辊1、收卷辊5、镀膜主辊3与靶材，放卷辊1与收卷辊5分别位于密封腔体9内两侧，镀膜主辊3处于收卷辊5与放卷辊1之间的下方，靶材包括有第一靶材6与第二靶材7，分别设于镀膜主辊3左右两边的密封腔体9壁面上。
所述ITO薄膜生产装置还设有放导辊2和收导辊4，放导辊2位于放卷辊1与镀膜主辊3之间，收导辊4位于收卷辊5与镀膜主辊3之间。放导辊2与收导辊4轴心之间的距离小于收卷辊5与放卷辊1轴心之间的距离。这样能使基材8更加贴紧镀膜主辊3的表面。
所述密封腔体9底面到镀膜主辊3最下端的距离小于靶材的厚度，使密封腔体9的体积更小，结构更加紧凑。第一靶材6中心到镀膜主辊3轴心之间的距离等于第二靶材7中心到镀膜主辊3轴心之间的距离，使溅射效果更加均匀。
所述密封腔体9设有进气口10和出气口11，进气口10与送气管道相连，出气口11与真空泵相连。真空泵从出气口11抽出空气，使密封腔体9达到真空状态。送气管道将高纯度Ar气体通入进气口10。
在溅射过程中，通过辊的转动，放卷棍上的基材8按顺序经过放导辊2内侧，镀膜主辊3，收导辊4内侧，到收卷辊5收卷。期间，基材8先后经过第一靶材6和第二靶材7溅射。所述第一靶材6为Si靶材，所述第二靶材7为ITO靶材。
本实用新型之实施例通过改变靶材的位置，将靶材设于密封腔体9的壁面上，在溅射过程中，利用氧化物自身的重量和密封腔体9内气流的流动，使得氧化物溅落在无效溅射区，减少了靶材表面的氧化物，从而达到改善靶材结瘤的效果。
以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (7)
1.一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：包括密封腔体，以及设置于密封腔体内的放卷辊、收卷辊、镀膜主辊与靶材，放卷辊与收卷辊分别位于密封腔体内两侧，镀膜主辊处于收卷辊与放卷辊之间的下方，所述靶材包括有第一靶材与第二靶材，分别设于镀膜主辊左右两边的密封腔体壁面上。
2.根据权利要求1所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：所述ITO薄膜生产装置还设有放导辊和收导辊，放导辊位于放卷辊与镀膜主辊之间，收导辊位于收卷辊与镀膜主辊之间，所述放卷棍上的基材按顺序经过放导辊内侧，镀膜主辊，收导辊内侧，到收卷辊收卷。
3.根据权利要求2所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：放导辊与收导辊轴心之间的距离小于收卷辊与放卷辊轴心之间的距离。
4.根据权利要求1所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：所述密封腔体底面到镀膜主辊最下端的距离小于靶材的厚度。
5.根据权利要求1所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：第一靶材中心到镀膜主辊轴心之间的距离等于第二靶材中心到镀膜主辊轴心之间的距离。
6.根据权利要求1所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：所述第一靶材为Si靶材，所述第二靶材为ITO靶材。
7.根据权利要求1所述一种改善靶材结瘤的ITO薄膜生产装置，其特征在于：所述密封腔体设有进气口和出气口，进气口与送气管道相连，出气口与真空泵相连。
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN112853302A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置 |
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2015
- 2015-07-06 CN CN201520480160.0U patent/CN205062175U/zh active Active
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| CN112853302A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-28 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置 |
| CN112853302B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-08-25 | 广东欣丰科技有限公司 | 一种磁控溅射卷绕设备的镀膜室装置 |
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