CN204834686U - 一种倒装式无金线封装的超导铝led cob面光源 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供了一种倒装式无金线封装的超导铝LED?COB面光源,包括超导铝基板、芯片、硅胶层、透镜,所述超导铝基板由基板本体和容纳芯片的安装部组成,基板本体包括线路层、树脂层、粘结层和基板层,基板层的材质为超导铝,基板层和粘结层通过胶膜热压结合,树脂层和线路层通过粘合胶相粘结;所述安装部的两侧、粘接层和基板层之间对称设有阻流块,阻流块的厚度为20-100μm;所述芯片由硅胶衬底、N型外延层、P型外延层组成。本实用新型芯片倒装利于热量及时散发,提高了散热效率,保证LED芯片处于合适的温度,延长其使用寿命;采用特殊漫反射油墨处理超导铝为基板层,使得其反射率高达99%,超导铝基板更有利于将LED器件的光激发出来,且光色的一致性好。

Description

一种倒装式无金线封装的超导铝LED COB面光源
技术领域
本实用新型涉及一种COB光源,特别涉及一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,属于电子技术领域。
背景技术
众所周知,正装芯片技术是传统的微电子封装技术,其技术成熟,应用范围最为广泛,目前市场上绝大多数LED均为正装LED,LED裸芯片正装在一个带有反射杯的支架上,其P型外延层、N型外延层分别通过金属线焊接在阳极和阴极的引线上,这种正装LED可反射侧面的光使其从正面射出,但是正面发出的光会被金属焊线遮蔽,且散热性差;此外传统的铝制基板反射率较低,具有一定的局限性。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有的缺陷,提供一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,将芯片倒装在超导铝基板上,可以有效解决背景技术中的问题。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:
本实用新型的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,包括超导铝基板、芯片、硅胶层、透镜,所述超导铝基板由基板本体和容纳芯片的安装部组成,基板本体包括线路层、树脂层、粘结层和基板层,基板层的材质为超导铝,基板层和粘结层通过胶膜热压结合,树脂层和线路层通过粘合胶相粘结;所述安装部的两侧、粘接层和基板层之间对称设有阻流块,阻流块的厚度为20-100μm;所述芯片由硅胶衬底、N型外延层、P型外延层组成,N型外延层和P型外延层分别通过两个金属引脚倒装焊接在线路层上;所述硅胶层为凸出结构覆于硅胶衬底的上表面,硅胶层的上方设有透镜。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述线路层上表面涂覆有高白度的油墨或白色的亮膜。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述胶膜的厚度为20-50μm。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述硅胶衬底的上方设有粗化结构。
作为本实用新型的一种优选技术方案,所述芯片上涂覆有荧光粉。
本实用新型所达到的有益效果是:
1、芯片倒装利于热量及时散发,提高了散热效率,保证LED芯片处于合适的温度,延长其使用寿命;
2、采用特殊漫反射油墨处理超导铝为基板层,使得其反射率高达99%,超导铝基板更有利于将LED器件的光激发出来,且光色的一致性好。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。
在附图中:
图1是本实用新型实施例所述的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源的结构示意图;
图中标号:1、超导铝基板;2、芯片;3、硅胶层;4、透镜;5、安装部;6、线路层;7、树脂层;8、粘结层;9、基板层;10、胶膜;11、阻流块;12、硅胶衬底;13、N型外延层;14、P型外延层;15、引脚;16、粗化结构。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
实施例:如图1所示,本实用新型一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,包括超导铝基板1、芯片2、硅胶层3、透镜4,所述超导铝基板1由基板本体和容纳芯片的安装部5组成,基板本体包括线路层6、树脂层7、粘结层8和基板层9,基板层9的材质为超导铝,基板层9和粘结层8通过胶膜10热压结合,树脂层7和线路层6通过粘合胶相粘结;所述安装部5的两侧、粘接层8和基板层9之间对称设有阻流块11,阻流块11的厚度为20-100μm;所述芯片2由硅胶衬底12、N型外延层13、P型外延层14组成,N型外延层13和P型外延层14分别通过两个金属引脚15倒装焊接在线路层6上;所述硅胶层3为凸出结构覆于硅胶衬底12的上表面,硅胶层3的上方设有透镜4。
为了进一步提高反射率,所述线路层6上表面涂覆有高白度的油墨或白色的亮膜。
为了让粘结层8和基板层9有效粘结,所述胶膜10的厚度为20-50μm。
为了提高取光的效率,所述硅胶衬底12的上方设有粗化结构16。
为了增加芯片的发光度,所述芯片2上涂覆有荧光粉。
该实用新型通过芯片倒装利于热量及时散发,提高了散热效率,保证LED芯片处于合适的温度,延长其使用寿命;采用特殊漫反射油墨处理超导铝为基板层,使得其反射率高达99%,超导铝基板更有利于将LED器件的光激发出来,且光色的一致性好。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (5)

1.一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,其特征在于,包括超导铝基板(1)、芯片(2)、硅胶层(3)、透镜(4),所述超导铝基板(1)由基板本体和容纳芯片的安装部(5)组成,基板本体包括线路层(6)、树脂层(7)、粘结层(8)和基板层(9),基板层(9)的材质为超导铝,基板层(9)和粘结层(8)通过胶膜(10)热压结合,树脂层(7)和线路层(6)通过粘合胶相粘结;所述安装部(5)的两侧、粘接层(8)和基板层(9)之间对称设有阻流块(11),阻流块(11)的厚度为20-100μm;所述芯片(2)由硅胶衬底(12)、N型外延层(13)、P型外延层(14)组成,N型外延层(13)和P型外延层(14)分别通过两个金属引脚(15)倒装焊接在线路层(6)上;所述硅胶层(3)为凸出结构覆于硅胶衬底(12)的上表面,硅胶层(3)的上方设有透镜(4)。
2.根据权利要求1所述的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,其特征在于,所述线路层(6)上表面涂覆有高白度的油墨或白色的亮膜。
3.根据权利要求1所述的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,其特征在于,所述胶膜(10)的厚度为20-50μm。
4.根据权利要求1所述的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,其特征在于,所述硅胶衬底(12)的上方设有粗化结构(16)。
5.根据权利要求1所述的一种倒装式无金线封装的超导铝LEDCOB面光源,其特征在于,所述芯片(2)上涂覆有荧光粉。
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