CN204794756U - 一种变频器 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种变频器，通过第一电源可以直接为下桥臂IGBT的驱动芯片供电，同时三路自举电路分别将所述第一电源转变为三路浮动控制电源为所述主回路上桥臂IGBT的三路隔离驱动电路供电。因此本实用新型所述的变频器仅需一路电源和自举电路即可实现所述主回路所有IGBT驱动电路的供电，降低了所述变频器的硬件成本，解决了现有技术成本高的问题。

Description

一种变频器

技术领域

本实用新型涉及工业自动化技术领域，尤其涉及一种变频器。

背景技术

现有技术中变频器主回路中的三相桥式逆变电路，通常需要四路相互隔离的电源，其中上桥三路隔离光耦的供电电源为三路浮动的双电源，用于给所述三相逆变电路的上桥隔离光耦供电；另外一路电源用于给所述三相逆变电路的下桥驱动芯片供电。因此，所述三相桥式逆变电路驱动电路需要四路相互隔离的电源，而四路电源需要配套外围电路和相关器件，因此增加了所述变频器的硬件成本。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种变频器，以解决现有技术成本高的问题。

为了实现上述目的，本实用新型实施例提供的技术方案如下：

一种变频器，包括：主回路、驱动电路和控制单元；其中，

所述主回路包括三相桥式逆变电路；

所述驱动电路包括三个分别驱动所述主回路中三相IGBT的驱动单元；

所述驱动单元包括：自举电路及驱动所述主回路中上桥臂IGBT的隔离驱动电路，所述隔离驱动电路包括隔离光耦；其中：

所述自举电路的输入端与第一电源相连，所述自举电路的低电位输出端与所述隔离光耦的负电源输入端VEE及所述主回路中上桥臂IGBT的发射极相连，所述自举电路的高电位输出端与所述隔离光耦的正电源输入端VCC相连；

所述隔离驱动电路的输入端分别与所述控制单元及第二电源相连，所述隔离驱动电路的输出端与所述主回路中上桥臂IGBT的门极相连。

优选的，所述自举电路包括：第一电阻、第一电容及第一二极管；其中：

所述第一二极管的阳极与所述第一电阻的一端相连；

所述第一电阻的另一端为所述自举电路的输入端；

所述第一二极管的阴极与所述第一电容的一端相连，连接点为所述自举电路的高电位输出端；

所述第一电容的另一端为所述自举电路的低电位输出端。

优选的，所述隔离驱动电路还包括第二电阻；所述隔离驱动电路中所述隔离光耦的阳极输入端Anode与所述第二电源相连，所述隔离光耦的阴极输入端Cathode与所述控制单元相连，所述隔离光耦的输出端VO与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端为所述隔离驱动电路的输出端。

优选的，所述隔离驱动电路还包括：第二电容和第三电阻；所述第二电容和所述第三电阻并联，两个连接点分别与所述隔离光耦的阳极输入端Anode及阴极输入端Cathode相连。

优选的，所述隔离驱动电路还包括：第一稳压管、第三电容及第四电阻；其中：

所述第一稳压管的阴极与所述隔离驱动电路的输出端相连，所述第一稳压管的阳极与所述隔离光耦的负电源输入端VEE相连；

所述第三电容和所述第四电阻均与所述第一稳压管并联。

优选的，所述三相桥式逆变电路的每个桥臂包括上桥臂IGBT，集电极与所述上桥臂IGBT的发射极相连的下桥臂IGBT，及连接于所述下桥臂IGBT的发射极与地之间的采样电阻；

所述驱动单元中驱动所述主回路中下桥臂IGBT的电路为非隔离驱动电路；所述非隔离驱动电路的输入端分别与所述控制单元及所述第二电源相连，所述非隔离驱动电路的输出端与所述主回路中下桥臂IGBT的门极及发射极相连。

优选的，所述非隔离驱动电路包括：反相器、驱动芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第四电容、第五电容第六电容、第二稳压管、第七电容及第八电阻；其中：

所述第五电阻和所述第四电容并联，两个连接点分别与所述控制单元及所述第二电源相连；

所述反相器的输入端与所述控制单元相连；所述反相器的电源端与所述第二电源及所述第五电容的一端相连，所述第五电容的另一端接地；

所述第六电阻连接于所述反相器的输出端与地之间；

所述驱动芯片的输入端与所述反相器的输出端相连；所述驱动芯片的电源端与所述第一电源及所述第六电容的一端相连，所述第六电容的另一端接地；

所述第七电阻的一端与所述驱动芯片的输出端相连，所述第七电阻的另一端与所述主回路中下桥臂IGBT的门极相连；

所述第二稳压管的阴极与所述主回路中下桥臂IGBT的门极相连，所述第二稳压管的阳极与所述主回路中下桥臂IGBT的发射极相连；

所述第七电容和所述第八电阻均与所述第二稳压管并联。

优选的，所述自举电路包括：第十二电阻、第八电容及第二二极管；其中：

所述第二二极管的阳极与所述第十二电阻的一端相连；

所述第十二电阻的另一端为所述自举电路的输入端；

所述第二二极管的阴极与所述第八电容的一端相连，连接点为所述自举电路的高电位输出端；

所述第八电容的另一端为所述自举电路的低电位输出端。

所述每个驱动单元内的所述隔离驱动电路、所述非隔离驱动电路及所述自举电路中的所述第十二电阻及所述第二二极管，与所述主回路中的IGBT集成在双列直插型智能功率模块DIP-IPM中，所述第八电容外接于所述双列直插型智能功率模块DIP-IPM。

优选的，所述隔离驱动电路还包括：第九电阻及第一反相器；所述第九电阻的一端与所述第二电源相连，所述第九电阻的另一端与所述第一反相器的输入端相连，连接点为所述隔离驱动电路的第一输入端；所述第一反相器的输出端与所述DIP-IPM的WP引脚、VP引脚或者UP引脚相连；

所述非隔离驱动电路还包括：第十电阻及第二反相器；所述第十电阻的一端与所述第二电源相连，所述第十电阻的另一端与所述第二反相器的输入端相连，连接点为所述非隔离驱动电路的第一输入端；所述第二反相器的输出端与所述DIP-IPM的WN引脚、VN引脚或者UN引脚相连；

所述自举电路还包括：第三稳压管及第九电容；其中，所述第三稳压管的阴极为所述自举电路的高电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFB引脚、VVFB引脚或者VUFB引脚相连；所述第三稳压管的阳极与为所述自举电路的低电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFS引脚、VVFS引脚或者VUFS引脚相连；所述第八电容及所述第九电容均与所述第三稳压管并联；

所述主回路还包括：三个采样电阻；所述三个采样电阻的一端分别与所述DIP-IPM的NW引脚、NV引脚或者NU引脚相连；所述三个采样电阻的另一端均接地；

所述变频器还包括：第十电容和第十一电容；所述第十电容和所述第十一电容并联，一个连接点与所述DIP-IPM的CFO引脚相连，另一个连接点接地。

本申请提供一种变频器，通过第一电源可以直接为下桥臂IGBT的驱动芯片供电，同时三路自举电路分别将所述第一电源转变为三路浮动控制电源为所述主回路上桥臂IGBT的三路隔离驱动电路供电。因此本实用新型所述的变频器仅需一路电源和自举电路即可实现所述主回路所有IGBT驱动电路的供电，降低了所述变频器的硬件成本，解决了现有技术成本高的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种变频器结构示意图；

图2为本申请另一实施例提供的另外一种变频器的电路图；

图3为本申请另一实施例提供的另外一种变频器的电路图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了一种变频器，以解决现有技术成本高的问题。

具体的，所述变频器如图1所示，包括：主回路300、驱动电路及控制单元200；其中，

主回路300包括三相桥式逆变电路；

所述驱动电路包括三个分别驱动所述主回路中三相IGBT的驱动单元100；

每个驱动单元100如图1中的虚框所示，包括：自举电路103及隔离驱动电路101，隔离驱动电路101包括隔离光耦；其中：

自举电路103的输入端与第一电源相连，自举电路103的低电位输出端与所述隔离光耦的负电源输入端VEE及所述主回路中上桥臂IGBT的发射极相连，自举电路103的高电位输出端与所述隔离光耦的正电源输入端VCC相连；

隔离驱动电路101的输入端分别与控制单元200及第二电源相连，隔离驱动电路101输出端与所述主回路中上桥臂IGBT的门极相连。

其中，隔离驱动电路101接收控制单元200的上桥臂驱动信号，经过处理后输出，驱动所述主回路中的上桥臂IGBT。

图1中仅展示了一个驱动单元100，实际情况下还存在另外两个驱动单元100连接于主回路300与控制单元200之间，分别用于驱动所述主回路中三相IGBT。

在具体的实际应用中，所述第一电源可以提供15V电压，所述第二电源可以为5V电压，此处不做具体限定，可使其具体环境而定。

自举电路103用于将所述第一电源变换后，通过高电位输出端和低电位输出端给隔离驱动电路101提供浮动的单电源，进而使得隔离驱动电路101中的隔离光耦无需额外的电源供电。所述自举电路103的高电位输出端和地点为输出端只是为了区分两个输出端子及其输出端电位的相对关系，并不实际限定其电位值的数值高低。

所述第一电源为驱动下桥臂IGBT的驱动芯片和三个隔离驱动电路101供电，每个自举电路103通过将第一电源变换后给一个所述驱动单元中的隔离驱动电路101提供浮动的单电源，进而通过一个第一电源和自举电路103即可实现为三个所述驱动单元供电。

本实施例提供的所述变频器，通过所述第一电源可以直接为下桥臂IGBT的驱动芯片供电，同时三路自举电路103分别将所述第一电源转变为三路浮动控制电源为上桥臂IGBT的三路隔离驱动电路101供电。因此本实用新型所述的变频器仅需一路电源和自举电路103即可实现所述主回路所有IGBT驱动电路的供电，降低了所述变频器的硬件成本，解决了现有技术成本高的问题。所述单电源的应用比现有技术中的双电源更节约成本，适于小功率逆变场合。

优选的，如图2所示，自举电路103包括：第一电阻R1、第一电容C1及第一二极管D1；其中：

第一二极管D1的阳极与第一电阻R1的一端相连；

第一电阻R1的另一端为自举电路103的输入端；

第一二极管D1的阴极与第一电容C1的一端相连，连接点为自举电路103的高电位输出端；

第一电容C1的另一端为自举电路103的低电位输出端。

自举电路103中的第一电阻R1用于限流，第一电容C1作为驱动隔离驱动电路101的控制电源，所述第一电源通过三个自举电路103可以转变成三路浮动控制电源，进而为三个上桥臂IGBT的隔离驱动电路101供电。

自举电路103中的第一电容C1的充电状态随外界条件的变化而变化，主要受载波频率、第一电容C1的容值、输出频率的影响。

优选的，如图2所示，隔离驱动电路101包括：隔离光耦与第二电阻R2；其中，所述隔离光耦的阳极输入端Anode与所述第二电源相连，所述隔离光耦的阴极输入端Cathode与所述控制单元相连，所述隔离光耦的正电源输入端VCC与自举电路103的高电位输出端相连，所述隔离光耦的输出端VO与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端为隔离驱动电路101的输出端。

优选的，如图2所示，隔离驱动电路101还包括：第二电容C2和第三电阻R3；第二电容C2和第三电阻R3并联，两个连接点分别与所述隔离光耦的阳极输入端Anode及阴极输入端Cathode相连。

优选的，如图2所示，隔离驱动电路101还包括：第一稳压管Z1、第三电容C3及第四电阻R4；其中第一稳压管Z1的阴极与隔离驱动电路101的输出端相连，第一稳压管Z1的阳极与所述隔离光耦的负电源输入端VEE相连；第三电容C3和第四电阻R4均与第一稳压管Z1并联。

具体的工作原理为：

以所述驱动单元为驱动所述主回路中W相IGBT的驱动单元为例进行说明，如图2所示，其中的隔离驱动电路101接收来自所述控制单元的驱动信号PW+，第二电容C2用于滤除高频干扰，第三电阻R3对所述隔离光耦的原边起保护作用，通过所述隔离光耦驱动所述主回路中W相的上桥臂IGBTQ1，其中第二电阻R2用于限制驱动电流和IGBT的门极导通时间，第一稳压管Z1起可以限制IGBT的门极电压，防止门极过压击穿的作用，第三电容C3可以起到滤除杂波干扰的作用，第四电阻R4可以将门极电压拉低，防止IGBT的误导通。

在实际应用中，所述三相桥式逆变电路可以为标准的三相桥式逆变电路，即每个桥臂上包括两个串联连接的IGBT，此时对应的所有IGBT的驱动电路均为隔离的驱动电路。

所述三相桥式逆变电路也可以为改进后的电路，如图2所示，所述三相桥式逆变电路的每个桥臂包括上桥臂IGBTQ1，集电极与上桥臂IGBTQ1的发射极相连的下桥臂IGBTQ2，及连接于下桥臂IGBTQ2的发射极与地之间的采样电阻。本实施例中的所述采样电阻只有在所述主回路的下桥臂导通时才能对所述主回路中的电流进行采样，此处接地GND为强电信号。所述采样电阻设置在下桥臂IGBTQ2的发射极与地之间，还可以省掉电流检测隔离光耦。此时下桥臂IGBT的驱动电路可以是非隔离的。

具体的，图1中的所述驱动单元中驱动所述主回路中下桥臂IGBT的电路为非隔离驱动电路102；非隔离驱动电路102的输入端分别与控制单元200及所述第二电源相连，非隔离驱动电路102的输出端与所述主回路中下桥臂IGBT的门极及发射极相连。

此时，非隔离驱动电路102直接从所述第一电源取电，其电源参考点是强电GND。隔离驱动电路101和非隔离驱动电路102的控制电源都是通过所述第一电源得到的，所述第一电源可以直接为下桥臂的非隔离驱动电路供电，同时三路自举电路分别将第一电源转变为三路浮动控制电源为上桥臂的三路隔离驱动电路101供电。因此本实用新型所述的变频器仅需一路电源和自举电路即可实现主回路所有IGBT驱动电路的供电。

现有技术中变频器的驱动电路一般都是采用驱动隔离光耦驱动主回路中上桥臂和下桥臂的IGBT，使用的所述驱动隔离光耦的数量多、成本高。而本实施例所述的变频器，采用非隔离驱动电路102驱动所述主回路中的下桥臂IGBT，减少了驱动隔离光耦的数量，降低了成本。

优选的，如图2所示，非隔离驱动电路102包括：反相器U3、驱动芯片U4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第四电容C4、第五电容C5第六电容C6、第二稳压管Z2、第七电容C7及第八电阻R8；其中：

第五电阻R5和第四电容C4并联，两个连接点分别与所述控制单元及所述第二电源相连；反相器U3的输入端与所述控制单元相连；反相器U3的电源端与所述第二电源及第五电容C5的一端相连，第五电容C5的另一端接地；第六电阻R6连接于反相器U3的输出端与地之间；驱动芯片U4的输入端与反相器U3的输出端相连；驱动芯片U4的电源端与所述第二电源及第六电容C6的一端相连，第六电容C6的另一端接地；第七电阻R7的一端与所述驱动芯片U4的输出端相连，第七电阻R7的另一端与所述主回路中下桥臂IGBTQ2的门极相连；第二稳压管Z2的阴极与与所述主回路中下桥臂IGBTQ2的门极相连相连，第二稳压管Z2的阳极与所述主回路中下桥臂IGBTQ2的发射极相连；第七电容C7和第八电阻R8均与第二稳压管Z2并联。

非隔离驱动电路102接收来自控制单元200的驱动信号PW-，经过反相器U3保证信号按照低电平开通的逻辑，驱动信号PW-不需要隔离，直接通过所述驱动芯片U4驱动所述主回路中W相的下桥臂IGBTQ2。

图2中自举电路103的低电位输出端与所述隔离光耦的负电源输入端VEE均与所述主回路中的上桥臂IGBTQ1与下桥臂IGBTQ2的连接点相连，输出相应相的电压信号W。非隔离驱动电路102还与所述采样电阻及所述下桥臂IGBTQ2的连接点相连，输出相应相的采样信号IW1。

优选的，如图3所示，所述自举电路包括：第十二电阻R12、第八电容C8及第二二极管D2；第二二极管D2的阳极与第十二电阻R12的一端相连；第十二电阻R12的另一端为所述自举电路的输入端；第二二极管D2的阴极与第八电容C8的一端相连，连接点为所述自举电路的高电位输出端；第八电容C8的另一端为所述自举电路的低电位输出端。

所述每个驱动单元内的所述隔离驱动电路、所述非隔离驱动电路及所述自举电路中的第十二电阻R12及第二二极管D2，与所述主回路中的IGBT可以集成在双列直插型智能功率模块DIP-IPM中，而第八电容C8外接于所述双列直插型智能功率模块DIP-IPM。

优选的，如图3所示，以W相为例说明所述双列直插型智能功率模块DIP-IPM的连接关系，所述隔离驱动电路还包括：第九电阻R9及第一反相器U1；第九电阻R9的一端与所述第二电源相连，第九电阻R9的另一端与所述第一反相器U1的输入端相连，连接点为所述隔离驱动电路的第一输入端；所述第一反相器U1的输出端与所述DIP-IPM的WP引脚、VP引脚或者UP引脚相连；所述非隔离驱动电路还包括：第十电阻R10及第二反相器U2；所述第十电阻R10的一端与所述第二电源相连，所述第十电阻R10的另一端与所述第二反相器U2的输入端相连，连接点为所述驱动芯片的第一输入端；所述第二反相器U2的输出端与所述DIP-IPM的WN引脚、VN引脚或者UN引脚相连；

所述自举电路还包括：第三稳压管Z3及第九电容C9；其中，所述第三稳压管Z3的阴极为所述自举电路的高电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFB引脚、VVFB引脚或者VUFB引脚相连；所述第三稳压管Z3的阳极与为所述自举电路的低电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFS引脚、VVFS引脚或者VUFS引脚相连；所述第八电容C8及所述第九电容C9均与所述第三稳压管Z3并联；

所述主回路还包括：三个采样电阻R11；三个采样电阻R11的一端分别与所述DIP-IPM的NW引脚、NV引脚或者NU引脚相连；所述三个采样电阻的另一端均接地；

所述变频器还包括：第十电容C10和第十一电容C11；第十电容C10和第十一电容C11并联，一个连接点与所述DIP-IPM的CFO引脚相连，另一个连接点接地。

另外，所述DIP-IPM的VP1-1引脚、VP1-2引脚、VP1-3引脚及VN1引脚均与所述第一电源相连；

所述DIP-IPM的VNC引脚接地；

所述DIP-IPM的W引脚、V引脚及U引脚均为所述主回路中上桥臂IGBT的输出端；

所述DIP-IPM的NW引脚、NV引脚及NU引脚均与一个所述采样电阻相连，连接点分别输出相应相的采样信号IW1、IV1及IU1。

图3与图2所示的变频器的区别主要为：

图2中所述主回路的IGBT一般为单管。图3中所述隔离驱动电路、所述非隔离驱动电路及所述自举电路的第十二电阻R12及第二二极管D2，与所述主回路中的IGBT集成在DIP-IPM中，这样可以大大减少外围元器件数目。因此本实施例所述的变频器现有技术中的变频器的体积小。

所述DIP-IPM为高电平驱动，为配合低电平有效的设计方案，将图3中所述控制单元输出的驱动信号PW+和PW-分别经过第一反相器U1和第二反相器U2送到所述DIP-IPM中。

第八电容C8为所述隔离驱动电路的控制电源；第三稳压管Z3在一定程度上保证控制电源第八电容C8的稳定，另外将第一反相器U1和第二反相器U2的输入信号上拉到5V，主要是防止所述驱动电路未与控制单元200相连接时所述驱动信号的状态不定，第一反相器U1和第二反相器U2优选为抗干扰能力强的芯片。

所述第一电源可以直接为下桥臂的非隔离驱动电路供电，同时三路自举电路分别将第一电源转变为三路浮动控制电源为上桥臂的三路隔离驱动电路供电。因此本实用新型所述的变频器仅需一路电源和自举电路即可实现主回路所有IGBT驱动电路的供电。

本实用新型中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。

以上仅是本实用新型的优选实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种变频器，其特征在于，包括：主回路、驱动电路和控制单元；其中，

所述主回路包括三相桥式逆变电路；

所述驱动电路包括三个分别驱动所述主回路中三相IGBT的驱动单元；

所述驱动单元包括：自举电路及驱动所述主回路中上桥臂IGBT的隔离驱动电路，所述隔离驱动电路包括隔离光耦；其中：

所述自举电路的输入端与第一电源相连，所述自举电路的低电位输出端与所述隔离光耦的负电源输入端VEE及所述主回路中上桥臂IGBT的发射极相连，所述自举电路的高电位输出端与所述隔离光耦的正电源输入端VCC相连；

所述隔离驱动电路的输入端分别与所述控制单元及第二电源相连，所述隔离驱动电路的输出端与所述主回路中上桥臂IGBT的门极相连。

2.根据权利要求1所述的变频器，其特征在于，所述自举电路包括：第一电阻、第一电容及第一二极管；其中：

所述第一二极管的阳极与所述第一电阻的一端相连；

所述第一电阻的另一端为所述自举电路的输入端；

所述第一二极管的阴极与所述第一电容的一端相连，连接点为所述自举电路的高电位输出端；

所述第一电容的另一端为所述自举电路的低电位输出端。

3.根据权利要求1或2所述的变频器，其特征在于，所述隔离驱动电路还包括第二电阻；所述隔离驱动电路中所述隔离光耦的阳极输入端Anode与所述第二电源相连，所述隔离光耦的阴极输入端Cathode与所述控制单元相连，所述隔离光耦的输出端VO与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端为所述隔离驱动电路的输出端。

4.根据权利要求3所述的变频器，其特征在于，所述隔离驱动电路还包括：第二电容和第三电阻；所述第二电容和所述第三电阻并联，两个连接点分别与所述隔离光耦的阳极输入端Anode及阴极输入端Cathode相连。

5.根据权利要求3所述的变频器，其特征在于，所述隔离驱动电路还包括：第一稳压管、第三电容及第四电阻；其中：

所述第一稳压管的阴极与所述隔离驱动电路的输出端相连，所述第一稳压管的阳极与所述隔离光耦的负电源输入端VEE相连；

所述第三电容和所述第四电阻均与所述第一稳压管并联。

6.根据权利要求1-5任一所述的变频器，其特征在于，所述三相桥式逆变电路的每个桥臂包括上桥臂IGBT，集电极与所述上桥臂IGBT的发射极相连的下桥臂IGBT，及连接于所述下桥臂IGBT的发射极与地之间的采样电阻；

所述驱动单元中驱动所述主回路中下桥臂IGBT的电路为非隔离驱动电路；所述非隔离驱动电路的输入端分别与所述控制单元及所述第二电源相连，所述非隔离驱动电路的输出端与所述主回路中下桥臂IGBT的门极及发射极相连。

7.根据权利要求6所述的变频器，其特征在于，所述非隔离驱动电路包括：反相器、驱动芯片、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第四电容、第五电容第六电容、第二稳压管、第七电容及第八电阻；其中：

所述第五电阻和所述第四电容并联，两个连接点分别与所述控制单元及所述第二电源相连；

所述反相器的输入端与所述控制单元相连；所述反相器的电源端与所述第二电源及所述第五电容的一端相连，所述第五电容的另一端接地；

所述第六电阻连接于所述反相器的输出端与地之间；

所述驱动芯片的输入端与所述反相器的输出端相连；所述驱动芯片的电源端与所述第一电源及所述第六电容的一端相连，所述第六电容的另一端接地；

所述第七电阻的一端与所述驱动芯片的输出端相连，所述第七电阻的另一端与所述主回路中下桥臂IGBT的门极相连；

所述第二稳压管的阴极与所述主回路中下桥臂IGBT的门极相连，所述第二稳压管的阳极与所述主回路中下桥臂IGBT的发射极相连；

所述第七电容和所述第八电阻均与所述第二稳压管并联。

8.根据权利要求6所述的变频器，其特征在于，所述自举电路包括：第十二电阻、第八电容及第二二极管；其中：

所述第二二极管的阳极与所述第十二电阻的一端相连；

所述第十二电阻的另一端为所述自举电路的输入端；

所述第二二极管的阴极与所述第八电容的一端相连，连接点为所述自举电路的高电位输出端；

所述第八电容的另一端为所述自举电路的低电位输出端；

所述每个驱动单元内的所述隔离驱动电路、所述非隔离驱动电路及所述自举电路中的所述第十二电阻及所述第二二极管，与所述主回路中的IGBT集成在双列直插型智能功率模块DIP-IPM中，所述第八电容外接于所述双列直插型智能功率模块DIP-IPM。

9.根据权利要求8所述的变频器，其特征在于，所述隔离驱动电路还包括：第九电阻及第一反相器；所述第九电阻的一端与所述第二电源相连，所述第九电阻的另一端与所述第一反相器的输入端相连，连接点为所述隔离驱动电路的第一输入端；所述第一反相器的输出端与所述DIP-IPM的WP引脚、VP引脚或者UP引脚相连；

所述非隔离驱动电路还包括：第十电阻及第二反相器；所述第十电阻的一端与所述第二电源相连，所述第十电阻的另一端与所述第二反相器的输入端相连，连接点为所述非隔离驱动电路的第一输入端；所述第二反相器的输出端与所述DIP-IPM的WN引脚、VN引脚或者UN引脚相连；

所述自举电路还包括：第三稳压管及第九电容；其中，所述第三稳压管的阴极为所述自举电路的高电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFB引脚、VVFB引脚或者VUFB引脚相连；所述第三稳压管的阳极与为所述自举电路的低电位输出端，与所述DIP-IPM的VWFS引脚、VVFS引脚或者VUFS引脚相连；所述第八电容及所述第九电容均与所述第三稳压管并联；

所述主回路还包括：三个采样电阻；所述三个采样电阻的一端分别与所述DIP-IPM的NW引脚、NV引脚或者NU引脚相连；所述三个采样电阻的另一端均接地。