CN204947928U - 智能功率模块和空调器 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供了一种智能功率模块和空调器，其中，所述智能功率模块，包括：三相上桥臂信号输入端、三相下桥臂信号输入端和控制端；HVIC管，HVIC管上设置有分别对应于三相上桥臂信号输入端和三相下桥臂信号输入端的接线端；其中，三相上桥臂信号输入端中和三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的一个逻辑控制电路的第一输入端相连，每个逻辑控制电路的输出端连接至HVIC管上对应的接线端，每个逻辑控制电路的第二输入端连接至控制端，逻辑控制电路用于根据控制端的输入信号，输出与第一输入端同相或反相的信号。本实用新型的技术方案可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑。

Description

智能功率模块和空调器

技术领域

本实用新型涉及智能功率模块技术领域，具体而言，涉及一种智能功率模块和一种空调器。

背景技术

智能功率模块(IntelligentPowerModule，简称IPM)是一种将电力电子分立器件和集成电路技术集成在一起的功率驱动器，智能功率模块包含功率开关器件和高压驱动电路，并带有过电压、过电流和过热等故障检测电路。智能功率模块的逻辑输入端接收主控制器的控制信号，输出端驱动压缩机或后续电路工作，同时将检测到的系统状态信号送回主控制器。相对于传统分立方案，智能功率模块具有高集成度、高可靠性、自检和保护电路等优势，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的理想电力电子器件。

现有的智能功率模块电路的结构示意图如图1所示，HVIC(HighVoltageintegratedcircuit，高压集成电路)管101的HIN1端接智能功率模块100的U相上桥臂输入端UHIN；HVIC管101的HIN2端接智能功率模块100的V相上桥臂输入端VHIN；HVIC管101的HIN3端接智能功率模块100的W相上桥臂输入端WHIN；HVIC管101的LIN1端接智能功率模块100的U相下桥臂输入端ULIN；HVIC管101的LIN2端接智能功率模块100的V相下桥臂输入端VLIN；HVIC管101的LIN3端接智能功率模块100的W相下桥臂输入端WLIN。

在实际应用场合中，不同的应用场合需求不同逻辑的智能功率模块，比如，有的应用场合需要的是正逻辑的智能功率模块，即需要输入信号为正时，所控制的对应IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)管被打开，输入信号为0时，所控制的对应IGBT管被关闭，而有的应用场合需要的是负逻辑的智能功率模块，即需要输入信号为正时，所控制的对应IGBT管被关闭，输入信号为0时，所控制的对应IGBT管被打开。

而现行的智能功率模块只有一种逻辑选择，当应用场合发生改变时，则需要更换智能功率模块型号以便适应，造成智能功率模块的普适性大大折扣，并且增加了智能功率模块的开发成本，另外，对于正负逻辑的更改一般都在智能模块的HVIC管上进行，HVIC管的变动使智能功率模块的稳定性削弱，对智能功率模块长期可靠性不利。

因此，如何能够保证在HVIC管不改动的同时，实现智能功率模块的正负逻辑的转换成为亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本实用新型的一个目的在于提出了一种智能功率模块，可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑，提高了智能功率模块的普适性，并降低了智能功率模块的开发成本和开发周期，提高了智能功率模块市场占有率。

本实用新型的另一个目的在于提出了一种空调器。

为实现上述目的，根据本实用新型的第一方面的实施例，提出了一种智能功率模块，包括：三相上桥臂信号输入端、三相下桥臂信号输入端和控制端；HVIC管，所述HVIC管上设置有分别对应于所述三相上桥臂信号输入端和所述三相下桥臂信号输入端的接线端；其中，所述三相上桥臂信号输入端中和所述三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的一个逻辑控制电路的第一输入端相连，每个所述逻辑控制电路的输出端连接至所述HVIC管上对应的所述接线端，每个所述逻辑控制电路的第二输入端连接至所述控制端，所述逻辑控制电路用于根据所述控制端的输入信号，输出与所述第一输入端同相或反相的信号。

根据本实用新型的实施例的智能功率模块，通过在三相上桥臂信号输入端中和三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的HVIC管上的接线端之间设置逻辑控制电路，并且通过控制端对逻辑控制电路进行控制，以根据控制端的输入信号，输出与逻辑控制电路的第一输入端同相或反相的信号，使得可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑，避免因应用场景的不同而需更换不同型号的智能功率模块才能满足用户需求的问题，从而可以使用户根据应用场合的需要，得到符合要求的智能功率模块，提高了智能功率模块的普适性，并降低了智能功率模块的开发成本和开发周期，进一步地促进了智能功率模块的普及应用，提高了智能功率模块市场占有率。

具体地，在本实用新型的一个实施例中，可以根据以下控制逻辑进行控制：在第一输入端有信号输入时，当控制端的输入信号为高电平时，逻辑控制电路输出与第一输入端同相的信号，当控制端的输入信号为低电平时，逻辑控制电路输出与第一输入端反相的信号；在第一输入端无信号输入时，无论控制端的输入信号为高电平或低电平，逻辑控制电路均输出能使后续IGBT管截至的信号。

根据本实用新型的上述实施例的智能功率模块，还可以具有以下技术特征：

根据本实用新型的一个实施例，所述逻辑控制电路包括：

施密特触发器，所述施密特触发器的输入端作为所述逻辑控制电路的第一输入端，所述施密特触发器的输出端连接至第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接至第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接至第一与非门的第一输入端，所述第一与非门的输出端连接至第二与非门的第一输入端，所述第二与非门的输出端连接至第三非门的输入端，所述第三非门的输出端作为所述逻辑控制电路的输出端；

第四非门，所述第四非门的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述第四非门的输出端连接至第三与非门的第一输入端，所述第三与非门的输出端连接至所述第二与非门的第二输入端；

第五非门，所述第五非门的输入端连接至所述第三与非门的第二输入端，并作为所述逻辑控制电路的第二输入端，所述第五非门的输出端连接至所述第一与非门的第二输入端；

NMOS管，所述NMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述NMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述NMOS管的源极和衬底相连后连接至第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端；

PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述PMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述PMOS管的源极和衬底相连后连接至第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源负端。

根据本实用新型的一个实施例，还包括自举电路，所述自举电路包括：

第一自举二极管，所述第一自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第一自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的U相高压区供电电源正端；

第二自举二极管，所述第二自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第二自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的V相高压区供电电源正端；

第三自举二极管，所述第三自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第三自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的W相高压区供电电源正端。

根据本实用新型的一个实施例，还包括：三相上桥臂电路，所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相高压区中对应相的信号输出端；三相下桥臂电路，所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相低压区中对应相的信号输出端。

其中，三相上桥臂电路包括：U相上桥臂电路、V相上桥臂电路、W相上桥臂电路；三相下桥臂电路包括：U相下桥臂电路、V相下桥臂电路、W相下桥臂电路。

根据本实用新型的一个实施例，所述每一相上桥臂电路包括：第一功率开关管和第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至所述第一功率开关管的发射极，所述第一二极管的阴极连接至所述第一功率开关管的集电极，所述第一功率开关管的集电极连接至所述智能功率模块的高电压输入端，所述第一功率开关管的基极作为所述每一相上桥臂电路的输入端，所述第一功率开关管的发射极连接至所述智能功率模块对应相的高压区供电电源负端。

其中，第一功率开关管可以是IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)。

根据本实用新型的一个实施例，所述每一相下桥臂电路包括：第二功率开关管和第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至所述第二功率开关管的发射极，所述第二二极管的阴极连接至所述第二功率开关管的集电极，所述第二功率开关管的集电极连接至对应的上桥臂电路中的所述第一二极管的阳极，所述第二功率开关管的基极作为所述每一相下桥臂电路的输入端。

其中，第一功率开关管可以是IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)。

根据本实用新型的一个实施例，所述每一相下桥臂电路中的所述第二功率开关管的发射极作为所述智能功率模块的对应相的低电压参考端。

根据本实用新型的一个实施例，所述智能功率模块的高电压输入端的电压为300V。

根据本实用新型的一个实施例，所述HVIC管中每一相的高压区供电电源正端和高压区供电电源负端之间连接有滤波电容。

根据本实用新型第二方面的实施例，还提出了一种空调器，包括：如上述任一项实施例中所述的智能功率模块。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了现有技术中的智能功率模块的结构示意图；

图2示出了根据本实用新型的实施例的智能功率模块的结构示意图；

图3示出了根据本实用新型的实施例的逻辑控制电路的结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

图2示出了根据本实用新型的实施例的智能功率模块的结构示意图。

如图2所示，根据本实用新型的实施例的智能功率模块1100，包括：HVIC管1101，其中，HVIC管1101的VCC端作为所述智能功率模块1100的低压区供电电源正端VDD，VDD一般为15V；

在HVIC管1101内部有自举电路，自举电路结构如下：

VCC端与自举二极管1102、自举二极管1103、自举二极管1104的阳极相连；自举二极管1102的阴极与所述HVIC管1101的VB1相连；自举二极管1103的阴极与所述HVIC管1101的VB2相连；自举二极管1104的阴极与所述HVIC管1101的VB3相连；

HVIC管1101的HIN1端与逻辑控制电路1131的输出端相连，逻辑控制电路1131的第一输入端作为智能功率模块1100的U相上桥臂输入端UHIN；HVIC管1101的HIN2端与逻辑控制电路1132的输出端相连，逻辑控制电路1132的第一输入端作为智能功率模块1100的V相上桥臂输入端VHIN；HVIC管1101的HIN3端与逻辑控制电路1133的输出端相连，逻辑控制电路1133的第一输入端作为智能功率模块1100的W相上桥臂输入端WHIN；HVIC管1101的LIN1端与逻辑控制电路1134的输出端相连，逻辑控制电路1134的第一输入端作为智能功率模块1100的U相下桥臂输入端ULIN；HVIC管1101的LIN2端与逻辑控制电路1135的输出端相连，逻辑控制电路1135的第一输入端作为智能功率模块1100的V相下桥臂输入端VLIN；HVIC管1101的LIN3端与逻辑控制电路1136的输出端相连，逻辑控制电路1136的第一输入端作为智能功率模块1100的W相下桥臂输入端WLIN；

逻辑控制电路1131的第二输入端、逻辑控制电路1132的第二输入端、逻辑控制电路1133的第二输入端、逻辑控制电路1134的第二输入端、逻辑控制电路1135的第二输入端、逻辑控制电路1136的第二输入端均连接至智能功率模块1100的控制端CON；

在此，智能功率模块1100的UHIN、VHIN、WHIN、ULIN、VLIN、WLIN六路输入接收0V或5V的输入信号；

HVIC管1101的GND端作为智能功率模块1100的低压区供电电源负端COM；

HVIC管1101的VB1端连接电容1131的一端，并作为智能功率模块1100的U相高压区供电电源正端UVB；HVIC管1101的HO1端与U相上桥臂IGBT管1121的基极相连；HVIC管1101的VS1端与IGBT管1121的发射极、FRD管1111的阳极、U相下桥臂IGBT管1124的集电极、FRD管1114的阴极、电容1131的另一端相连，并作为智能功率模块1100的U相高压区供电电源负端UVS；

HVIC管1101的VB2端连接电容1132的一端，作为智能功率模块1100的V相高压区供电电源正端VVB；HVIC管1101的HO2端与V相上桥臂IGBT管1123的基极相连；HVIC管1101的VS2端与IGBT管1122的发射极、FRD管1112的阳极、V相下桥臂IGBT管1125的集电极、FRD管1115的阴极、电容1132的另一端相连，并作为智能功率模块1100的V相高压区供电电源负端VVS；

HVIC管1101的VB3端连接电容1133的一端，作为智能功率模块1100的W相高压区供电电源正端WVB；HVIC管1101的HO3端与W相上桥臂IGBT管1123的基极相连；HVIC管1101的VS3端与IGBT管1123的发射极、FRD管1113的阳极、W相下桥臂IGBT管1126的集电极、FRD管1116的阴极、电容1133的另一端相连，并作为所述智能功率模块1100的W相高压区供电电源负端WVS；

HVIC管1101的LO1端与IGBT管1124的基极相连；HVIC管1101的LO2端与IGBT管1125的基极相连；HVIC管1101的LO3端与IGBT管1126的基极相连；

IGBT管1124的发射极与FRD管1114的阳极相连，并作为智能功率模块1100的U相低电压参考端UN；

IGBT管1125的发射极与FRD管1115的阳极相连，并作为智能功率模块1100的V相低电压参考端VN；

IGBT管1126的发射极与FRD管1116的阳极相连，并作为智能功率模块1100的W相低电压参考端WN；

IGBT管1121的集电极、FRD管1111的阴极、IGBT管1122的集电极、FRD管1112的阴极、IGBT管1123的集电极、FRD管1113的阴极相连，并作为智能功率模块1100的高电压输入端P，P一般接300V。

HVIC管1101的各管脚说明如下：

VCC为HVIC管1101供电电源正端，GND为HVIC管1101的供电电源负端；VCC-GND电压一般为15V；VB1和VS1分别为U相高压区的电源的正极和负极，HO1为U相高压区的输出端；VB2和VS2分别为V相高压区的电源的正极和负极，HO2为V相高压区的输出端；VB3和VS3分别为U相高压区的电源的正极和负极，HO3为W相高压区的输出端；LO1、LO2、LO3分别为U相、V相、W相低压区的输出端。

HVIC管1101的作用是：将输入端HIN1、HIN2、HIN3的0或5V的逻辑输入信号分别传到输出端HO1、HO2、HO3，LIN1、LIN2、LIN3的信号分别传到输出端LO1、LO2、LO3，其中HO1是VS1或VS1+15V的逻辑输出信号、HO2是VS2或VS2+15V的逻辑输出信号、HO3是VS3或VS3+15V的逻辑输出信号，LO1、LO2、LO3是0或15V的逻辑输出信号。

其中，逻辑控制电路1131的作用是：

当逻辑控制电路1131的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，逻辑控制电路1131的输出端输出与逻辑控制电路1131的第一输入端(即UHIN端)同相的信号；当逻辑控制电路1131的第二输入端的电压为低电平时，逻辑控制电路1131的输出端输出与逻辑控制电路1131的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1132的作用是：

当逻辑控制电路1132的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，逻辑控制电路1132的输出端输出与逻辑控制电路1132的第一输入端(即VHIN端)同相的信号；当逻辑控制电路1132的第二输入端的电压为低电平时，所述逻辑控制电路1132的输出端输出与逻辑控制电路1132的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1133的作用是：

当逻辑控制电路1133的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，逻辑控制电路1133的输出端输出与逻辑控制电路1133的第一输入端(即WHIN端)同相的信号；当逻辑控制电路1133的第二输入端的电压为低电平时，逻辑控制电路1133的输出端输出与逻辑控制电路1133的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1134的作用是：

当逻辑控制电路1134的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，逻辑控制电路1134的输出端输出与逻辑控制电路1134的第一输入端(即ULIN端)同相的信号；当逻辑控制电路1134的第二输入端的电压为低电平时，逻辑控制电路1134的输出端输出与逻辑控制电路1134的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1135的作用是：

当逻辑控制电路1135的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，逻辑控制电路1135的输出端输出与逻辑控制电路1135的第一输入端(即VLIN端)同相的信号；当逻辑控制电路1135的第二输入端的电压为低电平时，逻辑控制电路1135的输出端输出与逻辑控制电路1135的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1136的作用是：

当所述逻辑控制电路1136的第二输入端(即CON端)的电压为高电平时，所述逻辑控制电路1136的输出端输出与逻辑控制电路1136的第一输入端(即WLIN端)同相的信号；当所述逻辑控制电路1136的第二输入端的电压为低电平时，所述逻辑控制电路1136的输出端输出与逻辑控制电路1136的第一输入端反相的信号。

逻辑控制电路1131～1136的功能和结构完全相同，下面以逻辑控制电路1131为例进行说明。

如图3所示，逻辑控制电路1131的结构为：施密特触发器2001的输入端作为逻辑控制电路1131的第一输入端IN1，施密特触发器2001的输出端与PMOS管2003的漏极、NMOS管2004的漏极、非门2006的输入端、非门2007的输入端相连；

PMOS管2003的衬底与源极相连，并接电阻2002的一端，电阻2002的另一端接VCC；NMOS管2004的衬底与源极相连，并接电阻2005的一端，电阻2005的另一端接GND；

非门2006的输出端接非门2008的输入端，非门2007的输出端接与非门2011的其中一个输入端，非门2008的输出端接与非门2009的其中一个输入端；NMOS管2004的栅极、PMOS管2003的栅极、非门2010的输入端、与非门2011的另一输入端相连，并作为逻辑控制电路1131的第二输入端IN2；

非门2010的输出端连接与非门2009的另一输入端；与非门2009的输出端接与非门2012的其中一个输入端；与非门2011的输出端接与非门2012的另一输入端；与非门2012的输出端接非门2013的输入端，非门2013的输出端作为逻辑控制电路1131的输出端OUT。

以下说明本实施例的逻辑控制电路1131的工作原理：

输入信号经过施密特触发器2001滤除输入杂波；电阻2002和电阻2005设计成几十kΩ的级别；

当IN2为高电平时：

NMOS管2004导通而PMOS管2003截止，即当IN1悬空时，A点为低电平，当IN1有信号输入时，B点出现与IN1同相的信号，C点出现与IN1反向的信号；因为IN2为高电平，所以与非门2009的输出端锁定为高电平而与非门2011的输出端的电平与C点反相，即与输入信号同相；因为与非门2012的其中一个输入端为高电平，所以其输出端信号与非门2011输出端的信号反相，即与输入信号反相；经过非门2013后，得到与输入信号同相的信号。

当IN2为低电平时：

NMOS管2004截止而PMOS管2003导通，即当IN1悬空时，A点为高电平，当IN1有信号输入时，B点出现与IN1同相的信号，C点出现与IN1反向的信号；因为IN2为低电平，所以与非门2011的输出端锁定为高电平而与非门2009的输出端的电平与B点反相，即与输入信号反相；因为与非门2012的其中一个输入端为高电平，所以其输出端信号与非门2009输出端的信号反相，即与输入信号同相；经过非门2013后，得到与输入信号反相的信号。

综上所述：当IN2为高电平时，OUT输出与IN1同相的信号，当IN2为低电平时，OUT输出与IN1反相的信号；无论IN2为高电平或低电平，如果IN1悬空，OUT都输出能使后续IGBT管截止的信号。

以上结合附图详细说明了本实用新型的技术方案，本实用新型提出了一种新的智能功率模块，可以保证在HVIC管不变的情况下，控制智能功率模块根据应用场景的不同自动转换正负逻辑，避免因应用场景的不同而需更换不同型号的智能功率模块才能满足用户需求的问题，提高了智能功率模块的普适性，并降低了智能功率模块的开发成本和开发周期，进一步地促进了智能功率模块的普及应用，提高了智能功率模块市场占有率。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：

三相上桥臂信号输入端、三相下桥臂信号输入端和控制端；

HVIC管，所述HVIC管上设置有分别对应于所述三相上桥臂信号输入端和所述三相下桥臂信号输入端的接线端；

其中，所述三相上桥臂信号输入端中和所述三相下桥臂信号输入端中的每个信号输入端与对应的一个逻辑控制电路的第一输入端相连，每个所述逻辑控制电路的输出端连接至所述HVIC管上对应的所述接线端，每个所述逻辑控制电路的第二输入端连接至所述控制端，所述逻辑控制电路用于根据所述控制端的输入信号，输出与所述第一输入端同相或反相的信号。

2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：

施密特触发器，所述施密特触发器的输入端作为所述逻辑控制电路的第一输入端，所述施密特触发器的输出端连接至第一非门的输入端，所述第一非门的输出端连接至第二非门的输入端，所述第二非门的输出端连接至第一与非门的第一输入端，所述第一与非门的输出端连接至第二与非门的第一输入端，所述第二与非门的输出端连接至第三非门的输入端，所述第三非门的输出端作为所述逻辑控制电路的输出端；

第四非门，所述第四非门的输入端连接至所述施密特触发器的输出端，所述第四非门的输出端连接至第三与非门的第一输入端，所述第三与非门的输出端连接至所述第二与非门的第二输入端；

第五非门，所述第五非门的输入端连接至所述第三与非门的第二输入端，并作为所述逻辑控制电路的第二输入端，所述第五非门的输出端连接至所述第一与非门的第二输入端；

NMOS管，所述NMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述NMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述NMOS管的源极和衬底相连后连接至第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端；

PMOS管，所述PMOS管的栅极连接至所述逻辑控制电路的第二输入端，所述PMOS管漏极连接至所述施密特触发器的输出端，所述PMOS管的源极和衬底相连后连接至第二电阻的第一端，所述第二电阻的第二端连接至所述智能功率模块的低压区供电电源负端。

3.根据权利要求1或2所述的智能功率模块，其特征在于，还包括自举电路，所述自举电路包括：

第一自举二极管，所述第一自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第一自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的U相高压区供电电源正端；

第二自举二极管，所述第二自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第二自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的V相高压区供电电源正端；

第三自举二极管，所述第三自举二极管的阳极连接至所述智能功率模块的低压区供电电源正端，所述第三自举二极管的阴极连接至所述智能功率模块的W相高压区供电电源正端。

4.根据权利要求1或2所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：

三相上桥臂电路，所述三相上桥臂电路中的每一相上桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相高压区中对应相的信号输出端；

三相下桥臂电路，所述三相下桥臂电路中的每一相下桥臂电路的输入端连接至所述HVIC管的三相低压区中对应相的信号输出端。

5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述每一相上桥臂电路包括：

第一功率开关管和第一二极管，所述第一二极管的阳极连接至所述第一功率开关管的发射极，所述第一二极管的阴极连接至所述第一功率开关管的集电极，所述第一功率开关管的集电极连接至所述智能功率模块的高电压输入端，所述第一功率开关管的基极作为所述每一相上桥臂电路的输入端，所述第一功率开关管的发射极连接至所述智能功率模块对应相的高压区供电电源负端。

6.根据权利要求5所述的智能功率模块，其特征在于，所述每一相下桥臂电路包括：

第二功率开关管和第二二极管，所述第二二极管的阳极连接至所述第二功率开关管的发射极，所述第二二极管的阴极连接至所述第二功率开关管的集电极，所述第二功率开关管的集电极连接至对应的上桥臂电路中的所述第一二极管的阳极，所述第二功率开关管的基极作为所述每一相下桥臂电路的输入端。

7.根据权利要求6所述的智能功率模块，其特征在于，所述每一相下桥臂电路中的所述第二功率开关管的发射极作为所述智能功率模块的对应相的低电压参考端。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述智能功率模块的高电压输入端的电压为300V。

9.根据权利要求5至7中任一项所述的智能功率模块，其特征在于，所述HVIC管中每一相的高压区供电电源正端和高压区供电电源负端之间连接有滤波电容。

10.一种空调器，其特征在于，包括：如权利要求1至9中任一项所述的智能功率模块。