CN112039510B - 用于高压集成芯片的自举电路、智能功率模块和电器设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。其中，自举电路包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，电源端具有第一电压；升压电路用于与振荡电路配合将第一电压升高至第二电压后输出至逻辑控制电路；逻辑控制电路的输出端与MOS管的栅极连接，用于根据第二电压控制MOS管的开启或关断；MOS管的源极与高压集成芯片的电源端连接，MOS管的漏极与高压集成芯片的对外供电端连接，用于在所述逻辑控制电路的控制下输出自举电压。本申请提供的自举电路可确保输出足够高的自举电压，相比于自举二极管的方式，占用面积较小，电压降较低。
Description
技术领域
本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。
背景技术
智能功率模块(Intelligent Power Module,IPM)是一种将电力电子和集成电路技术结合的功率驱动类产品，本质上是集成了功率器件及其驱动电路芯片的模块。智能功率模块以其高集成度、高可靠性等优势赢得越来越大的市场，尤其适合于驱动电机的变频器及各种逆变电源，是变频调速、冶金机械、电力牵引、伺服驱动、变频家电的一种理想电力电子器件，在能源管理领域起到其他集成电路难以企及的重要作用，器件性能直接影响能源系统的利用效率。
高压集成芯片(Hvichigh Voltage Integrated Circuit，HVIC)是智能功率模块中非常关键的控制芯片，随着技术的发展，对高压集成芯片的集成度、功能、性能等要求越来越高。
高压集成芯片中设有自举电路，当前主要是采用自举二极管实现，由于自举二极管会产生比较大的电能损耗，其输出端会存在较大的电压降，从而导致对外输出的驱动电压不足，影响高压集成芯片的性能。
发明内容
本申请的目的是提供一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备。
本申请第一方面提供一种用于高压集成芯片的自举电路，包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；其中，
所述振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，所述电源端具有第一电压；
所述升压电路用于与所述振荡电路配合将所述第一电压升高至第二电压后输出至所述逻辑控制电路；
所述逻辑控制电路的输出端与所述MOS管的栅极连接，用于根据所述第二电压控制所述MOS管的开启或关断；
所述MOS管的源极与所述高压集成芯片的电源端连接，所述MOS管的漏极与所述高压集成芯片的对外供电端连接，用于通过在所述逻辑控制电路的控制下开启或关断，向与所述对外供电端连接的外部电路输出开关驱动信号。
在一些变更实施方式中，所述逻辑控制电路包括：自举电压比较电路；
所述自举电压比较电路的输入端与所述高压集成芯片的对外供电端连接；
所述自举电压比较电路用于判断所述对外供电端的第三电压是否大于预设电压阈值，并根据所述第三电压大于所述预设电压阈值控制所述MOS管关断。
在一些变更实施方式中，所述自举电压比较电路的输入端还与所述高压集成芯片的电源端连接；
所述自举电压比较电路具体用于比较所述电源端的第一电压和所述对外供电端的第三电压，并根据所述第三电压大于所述第一电压控制所述MOS管关断。
在一些变更实施方式中，所述MOS管包括N沟道MOS管。
在一些变更实施方式中，所述升压电路包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和稳态二极管；其中，
所述第一电容的第一端与所述振荡电路的第一输出端连接，所述第一电容的第二端与所述第一二极管的负极共接于所述第二二极管的正极；
所述第二电容的第一端与所述振荡电路的第二输出端连接，所述第二电容的第二端与所述第三二极管的负极共接于所述第四二极管的正极；
所述第一二极管的正极、所述第三二极管的正极和所述第三电容的第一端，均与所述高压集成芯片的电源端连接；
所述第二二极管的负极、所述第四二极管的负极、所述第三电容的第二端和所述稳态二极管的负极共接于所述升压电路的输出端；
所述稳态二极管的正极接地。
在一些变更实施方式中，所述逻辑控制电路包括使能端；
所述逻辑控制电路还用于根据输入所述使能端的使能信号控制所述MOS管开启或关断。
在一些变更实施方式中，所述高压集成芯片的对外供电端包括三相供电端，其中，所述三相供电端共用一个振荡电路和一个升压电路，每一相供电端分别通过一个MOS管和一个逻辑控制电路与所述升压电路的输出端连接。
本申请第二方面提供一种智能功率模块，包括：本申请第一方面提供的高压集成芯片。
本申请第三方面提供一种电器设备，包括：本申请第二方面提供的智能功率模块。
在一些变更实施方式中，所述电器设备包括：洗衣机、冰箱或空调。
相较于现有技术，本申请提供的用于高压集成芯片的自举电路，通过设置依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管，利用振荡电路和升压电路的升压功能为逻辑控制电路和MOS管提供较高的控制电压，从而可以利用MOS管替代自举二极管实现电压自举功能，由于MOS管源极与漏极之间的电压降较小，因此，可确保输出足够高的自举电压，从而可有效提高高压集成芯片的驱动性能，相比于自举二极管的方式，占用面积较小，电压降较低。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了本申请的一些实施方式所提供的一种用于高压集成芯片的自举电路的示意图；
图2示出了本申请的一些实施方式所提供的一种升压电路的示意图；
图3示出了本申请的一些实施方式所提供的一种智能功率模块的示意图；
图4示出了本申请的一些实施方式所提供的一种逻辑控制电路的示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本申请要求的保护范围之内。
本申请实施例提供一种用于高压集成芯片的自举电路、一种智能功率模块和一种电器设备，下面结合附图进行示例性说明如下。
请参考图1，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种用于高压集成芯片的自举电路的示意图，如图所示，所述用于高压集成芯片的自举电路10，包括：依次连接的振荡电路101、升压电路102、逻辑控制电路103和MOS管104；其中，
所述振荡电路101的输入端与高压集成芯片的电源端VCC连接，所述电源端具有第一电压；
所述升压电路102用于与所述振荡电路101配合将所述第一电压升高至第二电压后输出至所述逻辑控制电路103；
所述逻辑控制电路103的输出端与所述MOS管104的栅极连接，用于根据所述第二电压控制所述MOS管104的开启或关断；
所述MOS管104的源极与所述高压集成芯片的电源端VCC连接，所述MOS管104的漏极与所述高压集成芯片的对外供电端VB，用于在所述逻辑控制电路103的控制下输出自举电压。
本申请实施方式提供的自举电路，通过设置依次连接的振荡电路101、升压电路102、逻辑控制电路103和MOS管104，利用振荡电路101和升压电路102的升压功能为逻辑控制电路103和MOS管104提供较高的控制电压，从而可以利用MOS管104替代自举二极管实现电压自举功能，由于MOS管104源极与漏极之间的电压降较小，因此，可确保输出足够高的自举电压，从而可有效提高高压集成芯片的驱动性能，相比于自举二极管的方式，占用面积较小，电压降较低。
在一些实施方式中，所述MOS管输出的自举电压可以作为开关驱动信号，所述MOS管104可以用于通过在所述逻辑控制电路103的控制下开启或关断，向与所述对外供电端VB连接的外部电路输出开关驱动信号。
在本申请实施例的一些变更实施方式中，所述高压集成芯片的输入电压为30V以下的低压，所述振荡电路101、所述升压电路102、所述逻辑控制电路103均可采用工作电压低于30V的低压器件实现，而与所述高压集成芯片的对外供电端连接的外部电路可以是高压电路，为了避免高压电路抬高所述对外供电端的电压，而导致电流倒灌损坏上述低压器件，所述高压集成芯片所述逻辑控制电路103可以包括：自举电压比较电路1031；
所述自举电压比较电路1031的输入端与所述高压集成芯片的对外供电端连接；
所述自举电压比较电路1031用于判断所述对外供电端的第三电压是否大于预设电压阈值，并根据所述第三电压大于所述预设电压阈值控制所述MOS管104关断。
其中，所述预设电压阈值可以根据上述低压器件的耐压情况，结合实际需求灵活设置，本申请实施例不做限定。
通过本实施方式，可以确保所述高压集成芯片在驱动高压电路时，避免对外供电端电压抬高而导致电流倒灌损坏内部低压器件，从而提高所述高压集成芯片的安全性和稳定性。
在上述实施方式的基础上，在一些变更实施方式中，所述自举电压比较电路1031的输入端还与所述高压集成芯片的电源端连接；
所述自举电压比较电路1031具体用于比较所述电源端的第一电压和所述对外供电端的第三电压，并根据所述第三电压大于所述第一电压控制所述MOS管104关断。
通过本实施方式，可以以所述电源端的第一电压(例如15V)为参考对内部低压器件进行保护，进一步提高所述高压集成芯片的安全性和稳定性。
在本申请实施例的一些变更实施方式中，所述MOS管104可以包括N沟道MOS管。由于N沟道MOS管具较高的响应速度和较低的电压降，因此，可以有效提高所述高压集成芯片的驱动能力和驱动效率。
考虑到与所述对外供电端连接的外部电路可以是高压电路，所述MOS管104可以采用耐高压(比如耐600V高压)的N沟道MOS管实现，从而提高所述高压集成芯片的安全性。
请参考图2，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种升压电路102的示意图，在本申请实施例的一些变更实施方式中，所述升压电路102可以包括：第一电容211、第二电容212、第三电容213、第一二极管221、第二二极管222、第三二极管223、第四二极管224和稳态二极管231；其中，
所述第一电容211的第一端与所述振荡电路101的第一输出端连接，所述第一电容211的第二端与所述第一二极管221的负极共接于所述第二二极管222的正极；
所述第二电容212的第一端与所述振荡电路101的第二输出端连接，所述第二电容212的第二端与所述第三二极管223的负极共接于所述第四二极管224的正极；
所述第一二极管221的正极、所述第三二极管223的正极和所述第三电容213的第一端，均与所述高压集成芯片的电源端VCC连接；
所述第二二极管222的负极、所述第四二极管224的负极、所述第三电容213的第二端和所述稳态二极管231的负极共接于所述升压电路102的输出端Power；
所述稳态二极管231的正极接地。
基于上述升压电路102，可以与振荡电路101配合而将电源端VCC的第一电压升高至第二电压输出，上述第二电压可以是所述第一电压的两倍，从而为所述逻辑控制电路103和所述MOS管104提供稳定的、合适的、较高的驱动电压。
在本申请实施例的一些变更实施方式中，所述逻辑控制电路103还可以包括使能端；
所述逻辑控制电路103还用于根据输入所述使能端的使能信号控制所述MOS管104开启或关断。
本实施方式，通过在所述逻辑控制电路103设置使能端，从而可以更好的根据需求灵活地控制所述MOS管104的开启或关断，提高所述高压集成芯片的可控性。
在本申请实施例的一些变更实施方式中，所述高压集成芯片可以用于对三相电路进行驱动，相应的，所述高压集成芯片的对外供电端包括三相供电端，其中，所述三相供电端共用一个振荡电路101和一个升压电路102，每一相供电端分别通过一个MOS管104和一个逻辑控制电路103与所述升压电路102的输出端连接。
本实施方式，可以在对三相电路进行驱动的情况下实现振荡电路101和升压电路102的共用，且每一相均采用各自对应的、彼此分离的逻辑控制电路103和MOS管104分别进行控制和驱动，从而可以确保驱动的准确性，且有利于降低器件数量和生产成本。
本申请实施例还提供一种智能功率模块，请参考图3，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种智能功率模块的示意图，所述智能功率模块内部设置有本申请前述任一实施方式所提供的自举电路，与上述自举电路出于相同的发明构思，具有相同或相应的有益效果，此处不再赘述。
下面对所述智能功率模块的结构及工作原理简要说明如下，下述示例性说明可以参照上述关于自举电路的实施例进行理解，上述关于自举电路的实施例说明也可以参照下述说明进行理解，部分内容不再赘述。
在一些实施方式汇总，智能功率模块的电路结构如图3所示，其用于输出U相电、V相电及W相电。其中：
高压集成芯片(HVIC)1的电源端VCC作为智能功率模块的低压区供电正端VDD，VDD处的电压一般为15V，HVIC芯片1的第一上桥臂信号端HIN1、第二上桥臂信号端HIN2及第三上桥臂信号端HIN3分别作为智能功率模块的U相上桥臂输入端UHIN、V相上桥臂输入端VHIN及W相上桥臂输入端WHIN；HVIC芯片1的第一下桥臂信号端LIN1、第二下桥臂信号端LIN2及第三下桥臂信号端LIN3分别作为智能功率模块的U相下桥臂输入端ULIN、V相下桥臂输入端VLIN及W相下桥臂输入端WLIN；在此，智能功率模块的第一上桥臂信号端HIN1、第二上桥臂信号端HIN2、第三上桥臂信号端HIN3、第一下桥臂信号端LIN1、第二下桥臂信号端LIN2及第三下桥臂信号端LIN3的输入信号的电压范围是0～5V；HVIC芯片1的接地端GND作为智能功率模块的低压区供电负端COM；HVIC芯片1的第一供电正端VB1作为智能功率模块的U相高压区供电正端UVB，HVIC芯片1的第一高压区控制端HO1与IGBT管Q1的栅极相连，HVIC芯片1的第一供电负端VS1端与所述IGBT管Q1的源极、快恢复二极管D1的阳极、IGBT管Q4的漏极以及快恢复二极管D4的阴极相连，并作为智能功率模块的U相高压区供电负端UVS，滤波电容C1连接于智能功率模块的U相高压区供电正端UVB与U相高压区供电负端UVS之间；HVIC芯片1的第二供电正端VB2作为智能功率模块的V相高压区供电正端VVB，HVIC芯片1的第二高压区控制端HO2与IGBT管Q2的栅极相连，HVIC芯片1的第二供电负端VS2与IGBT管Q2的源极、快恢复二极管D2的阳极、IGBT管Q5的漏极以及快恢复二极管D5的阴极相连，并作为智能功率模块的V相高压区供电负端VVS，滤波电容C2连接于智能功率模块的V相高压区供电正端VVB与V相高压区供电负端VVS之间；HVIC芯片1的第三供电正端VB3作为智能功率模块的W相高压区供电正端WVB，HVIC芯片1的第三高压区控制端HO3与IGBT管Q3的栅极相连，HVIC芯片1的第三供电负端VS3与IGBT管Q3的源极、快恢复二极管D3的阳极、IGBT管Q6的漏极以及快恢复二极管D6的阴极相连，并作为智能功率模块的W相高压区供电负端WVS，滤波电容C3连接于智能功率模块的W相高压区供电正端WVB与W相高压区供电负端WVS之间；HVIC芯片1的第一低压区控制端LO1、第二低压区控制端LO2及第三低压区控制端LO3分别与IGBT管Q4的栅极、IGBT管Q5的栅极以及IGBT管Q6的栅极相连；IGBT管Q4的源极与快恢复二极管D4的阳极相连，并作为智能功率模块的U相低电压参考端UN；IGBT管Q5的源极与快恢复二极管D5的阳极相连，并作为智能功率模块的V相低电压参考端VN；IGBT管Q6的源极与快恢复二极管D6的阳极相连，并作为智能功率模块的W相低电压参考端WN；IGBT管Q1的漏极、快恢复二极管D1的阴极、IGBT管Q2的漏极、快恢复二极管D2的阴极、IGBT管Q3的集电极、快恢复二极管D3的阴极共接并作为智能功率模块的高电压输入端P，P一般接入300V电压。
HVIC芯片1的作用之一是将HIN1、HIN2、HIN3、LIN1、LIN2、LIN3所接收的0～5V的逻辑信号分别传到HO1、HO2、HO3、LO1、LO2、LO3，其中HO1、HO2及HO3所输出的是VS～VS+15V的逻辑信号，LO1、LO2、LO3是0～15V的逻辑信号；同一相的输入信号不能同时为高电平，即第一上桥臂信号端HIN1与第一下桥臂信号端LIN1的输入信号不能同时为高电平，第二上桥臂信号端HIN2与第二下桥臂信号端LIN2的输入信号不能同时为高电平，第三上桥臂信号端HIN3与第三下桥臂信号端LIN3的输入信号不能同时为高电平。
HVIC芯片1内部包含有自举电路，该自举电路请参考上述关于自举电路的实施例说明，可以包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；其中，
所述振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，所述电源端具有第一电压；
所述升压电路用于与所述振荡电路配合将所述第一电压升高至第二电压后输出至所述逻辑控制电路；
所述逻辑控制电路的输出端与所述MOS管的栅极连接，用于根据所述第二电压控制所述MOS管的开启或关断；
所述MOS管的源极与所述高压集成芯片的电源端连接，所述MOS管的漏极与所述高压集成芯片的对外供电端连接，用于通过在所述逻辑控制电路的控制下开启或关断，向与所述对外供电端连接的外部电路输出开关驱动信号。
相关内容请参考前述关于自举电路的实施例说明进行理解。
具体的，所述高压集成芯片的对外供电端包括三相供电端：U相供电端VB1、V相供电端VB2和W相供电端VB3，相应的，如图3所示，所述三相供电端共用一个振荡电路(图中未示出，可参考图1理解)和一个升压电路102，每一相供电端分别通过一个MOS管和一个逻辑控制电路与所述升压电路的输出端连接，例如，U相供电端VB1通过MOS管M1和U相控制电路与所述升压电路102连接，V相供电端VB2通过MOS管M2和V相控制电路与所述升压电路102连接，W相供电端VB3通过MOS管M3和W相控制电路与所述升压电路102连接，升压电路102通过振荡电路与高压集成芯片1的电源端VCC连接(图中未示出)。
高压MOS管M1的源极、高压MOS管M2的源极以及高压MOS管M3的源极共接于HVIC芯片1的电源端VCC，高压MOS管M1的衬底、高压MOS管M2的衬底以及高压MOS管M3的衬底均接地，高压MOS管M1的漏极、高压MOS管M2的漏极以及高压MOS管M3的漏极分别连接HVIC芯片1的第一供电正端VB1、第二供电正端VB2及第三供电正端VB3，U相控制电路101的输出端、V相控制电路102的输出端及W相控制电路103的输出端分别与高压MOS管M1的栅极、高压MOS管M2的栅极以及高压MOS管M3的栅极相连接。
当LIN1为高电平时，HIN1则必须为低电平，此时，LO1和HO1分别输出高电平和低电平，从而使VS1处的电压约为0V，在LIN1为高电平时，U相控制电路101输出高电平(约30V)使高压MOS管M1导通，VCC通过高压MOS管M1向电容C1充电，当时间足够长或使电容C1充电前的剩余电量足够多时，VB1对VS1的电压接近15V。
当LIN1为低电平时，HIN1为低电平或高电平。当HIN1为低电平时，LO1和HO1均输出低电平，此时U相高压区不工作且无输出；而当HIN1为高电平时，LO1和HO1分别输出低电平和高电平，从而使VS1处的电压约为300V。在LIN1为低电平时，U相控制电路101输出低电平使高压MOS管M1截止，VB1的电压被抬高至315V左右，通过电容C1的电量维持U相高压区工作，如果HIN1为高电平的持续时间足够短或电容C1存储的电量足够多，在U相高压区工作过程中，VB1对VS1的电压可保持在14.8V以上。
此外，为了便于理解，请参考图4，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种逻辑控制电路的示意图，上述逻辑控制电路是指驱动高压集成芯片中的MOS管的逻辑控制电路，如图所示，所述逻辑控制电路可以包括自举电压比较电路，即图中的VB与VCC比较电路，从而可以判断所述对外供电端的第三电压是否大于预设电压阈值，并根据所述第三电压大于所述预设电压阈值控制所述MOS管关断，以实现对高压集成芯片中低压器件的保护。此外，所述逻辑控制电路还设有使能端Enable_a，从而可以更好的根据需求灵活地控制所述MOS管104的开启或关断，提高所述高压集成芯片的可控性。具体的，所述逻辑控制电路可以由与门AND、或门OR、非门INV和比较器等元器件组成，其具体组成及连接关系可以参照图4所示，此处不再赘述。
本申请还提供一种电器设备，所述电器设备可以包括本申请前述实施例提供的智能功率模块。所述电器设备与所述智能功率模块、所述用于高压集成芯片的自举电路出于相同的发明构思，具有相同或相应的有益效果，此处不再赘述。
其中，所述电器设备可以包括但不限于洗衣机、冰箱或空调等家用电器，本申请实施例不做限定。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (10)
1.一种用于高压集成芯片的自举电路，其特征在于，包括：依次连接的振荡电路、升压电路、逻辑控制电路和MOS管；其中，
所述振荡电路的输入端与高压集成芯片的电源端连接，所述电源端具有第一电压；
所述升压电路用于与所述振荡电路配合将所述第一电压升高至第二电压后输出至所述逻辑控制电路；
所述逻辑控制电路的输出端与所述MOS管的栅极连接，用于根据所述第二电压控制所述MOS管的开启或关断；
所述MOS管的源极与所述高压集成芯片的电源端连接，所述MOS管的漏极与所述高压集成芯片的对外供电端连接，用于在所述逻辑控制电路的控制下输出自举电压。
2.根据权利要求1所述的自举电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括：自举电压比较电路；
所述自举电压比较电路的输入端与所述高压集成芯片的对外供电端连接；
所述自举电压比较电路用于判断所述对外供电端的第三电压是否大于预设电压阈值，并根据所述第三电压大于所述预设电压阈值控制所述MOS管关断。
3.根据权利要求2所述的自举电路，其特征在于，所述自举电压比较电路的输入端还与所述高压集成芯片的电源端连接；
所述自举电压比较电路具体用于比较所述电源端的第一电压和所述对外供电端的第三电压，并根据所述第三电压大于所述第一电压控制所述MOS管关断。
4.根据权利要求1所述的自举电路，其特征在于，所述MOS管包括N沟道MOS管。
5.根据权利要求1所述的自举电路，其特征在于，所述升压电路包括：第一电容、第二电容、第三电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管和稳态二极管；其中，
所述第一电容的第一端与所述振荡电路的第一输出端连接，所述第一电容的第二端与所述第一二极管的负极共接于所述第二二极管的正极；
所述第二电容的第一端与所述振荡电路的第二输出端连接，所述第二电容的第二端与所述第三二极管的负极共接于所述第四二极管的正极；
所述第一二极管的正极、所述第三二极管的正极和所述第三电容的第一端，均与所述高压集成芯片的电源端连接；
所述第二二极管的负极、所述第四二极管的负极、所述第三电容的第二端和所述稳态二极管的负极共接于所述升压电路的输出端；
所述稳态二极管的正极接地。
6.根据权利要求1所述的自举电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括使能端；
所述逻辑控制电路还用于根据输入所述使能端的使能信号控制所述MOS管开启或关断。
7.根据权利要求1所述的自举电路，其特征在于，所述高压集成芯片的对外供电端包括三相供电端，其中，所述三相供电端共用一个振荡电路和一个升压电路，每一相供电端分别通过一个MOS管和一个逻辑控制电路与所述升压电路的输出端连接。
8.一种智能功率模块，其特征在于，包括：权利要求1至7任一项所述的自举电路。
9.一种电器设备，其特征在于，包括：权利要求8所述的智能功率模块。
10.根据权利要求9所述的电器设备，其特征在于，所述电器设备包括：洗衣机、冰箱或空调。
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