CN204792789U - 一种功率驱动器 - Google Patents

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迟恒
宋毅龙
施可成
高雁
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QINGDAO AEROSPACE SEMICONDUCTOR RESEARCH INSTITUTE Co Ltd
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QINGDAO AEROSPACE SEMICONDUCTOR RESEARCH INSTITUTE Co Ltd
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Abstract

本实用新型公开了一种功率驱动器,属于电子器件技术领域。它包括壳底为钼铜底板的金属管壳,金属管壳内设置有:控制组件和功率组件;功率组件包括:钼铜底板上焊膏合片氮化铝DBC基板,氮化铝DBC基板上真空烧结功率芯片;控制组件包括:钼铜底板上胶膜合片成膜基片,电阻电容再流焊在成膜基片上;集成电路控制芯片粘接在成膜基片上;其优点是:质量轻、电流大、高电压、抗冲击、振动;耐更高的温度冲击,可靠性高,质量等级高,可广泛用于各种单相电机功率场合,实现功率放大及对电动伺服机构进行控制;应用于航空、航海、交通、石油、建筑等领域,处于国内领先地位,提升国际竞争力;打破了进口垄断,实现了元器件国产化。

Description

一种功率驱动器
技术领域
本实用新型属于电子器件技术领域,具体涉及一种功率驱动器。
背景技术
现在国内进口的IPM功率驱动器,大多为工业级。其控制级一般采用PCB塑封元器件SMT工艺,功率器件采用裸芯片灌胶工艺;其封装多采用塑封外壳灌胶。其存在如下缺陷:其耐温度循环性能及密封性能、散热性能重量等均不能满足用户及标准的要求;同时,进口IPM功率驱动器的采购,也存在限购和停产的风险。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种能够实现功率放大、及对电动伺服机构进行控制的功率驱动器。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种功率驱动器,包括金属管壳,其特征在于:所述金属管壳的壳底为钼铜底板;在所述金属管壳内设置有:控制组件和功率组件;所述功率组件包括:在所述钼铜底板上将氮化铝DBC基板进行焊膏合片,在所述氮化铝DBC基板上真空烧结功率芯片;所述控制组件包括:在所述钼铜底板上将成膜基片进行胶膜合片,将电阻电容再流焊在所述成膜基片上;将集成电路控制芯片粘接在所述成膜基片上。
优选的,所述控制组件的成膜基片由氧化铝基片通过印制而成,所述集成电路控制芯片使用金丝进行键合。
优选的,所述集成电路功率芯片包括IGBT芯片和FWD芯片,所述集成电路功率芯片使用纯铝丝进行键合。
优选的,所述控制组件和功率组件采用铝丝键合连接。
优选的,所述金属管壳的边框和盖板均采用可伐材料制成,所述边框和盖板采用平行封焊焊装。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:1、采用的氮化铝DBC基板的膨胀系数与硅芯片相当,使产品耐更大的冷热剧变;2、本实用新型具有质量轻、电流大、高电压、抗冲击、振动等特点;3、本实用新型提高了质量等级,具有高可靠性;4、本实用新型采用全金属密封外壳,壳盖与壳体的连接采用平行封焊工艺,使其能耐更高的温度冲击,可广泛用于各种单相电机功率场合;5、本实用新型可广泛应用于航空、航海、交通、石油、建筑等各个领域,在IPM功率模块方面处于国内领先地位,可带动国内相关行业的发展,提升相关产业在国际上的竞争力;6、本实用新型打破了国内多数单位对该类产品依靠国外进口的限制,并实现元器件国产化要求。
附图说明
图1是本实用新型实施例的主视图;
图2是图1的侧视图。
图中标记为:
1、钼铜底板;2、氮化铝DBC基板;3、氧化铝成膜基片;4、盖板。
具体实施方式
下面结合附图实施例,对本实用新型做进一步描述。
实施例
如图1、2所示,一种功率驱动器,包括金属管壳,金属管壳的壳底为钼铜底板1,金属管壳的边框和盖板4均采用可伐材料制成,边框和底板高温烧结后,盖板与边框采用平行封焊焊装;在金属管壳内设置有:控制组件和功率组件;功率组件包括:在钼铜底板1上将氮化铝DBC基板2进行焊膏合片,在氮化铝DBC基板2上真空烧结功率芯片,功率芯片包括IGBT芯片和FRED芯片,功率芯片使用纯铝丝进行键合;控制组件包括:在钼铜底板1上将氧化铝成膜基片3进行胶膜合片,将电阻电容再流焊在氧化铝成膜基片3上;将集成电路控制芯片粘接在氧化铝成膜基片3上;集成电路控制芯片使用金丝进行键合。控制组件和功率组件采用铝丝键合连接。
工艺步骤:1、功率组件:先将IGBT芯片和FRED芯片真空烧结在氮化铝DBC基板2上,而后将烧结完成的氮化铝DBC基板2焊膏合片在钼铜壳底1上,清洗后功率芯片IGBT芯片、FRED芯片用铝丝键合。2、控制组件:先将氧化铝膜基片3印制制成成膜基片3,而后将电阻和电容再流焊在氧化铝成膜基片3上,将再流焊之后的氧化铝成膜基片3合片在钼铜底板1上,再将集成电路控制芯片粘接在氧化铝膜基片3上,集成电路控制芯片用金丝键合。3、总装:功率组件和控制组件用铝丝键合连接。
工艺要求:严格按照GJB2438A-2002工艺标准执行,在厚膜H级贯标线上生产;保证产品的较高的质量等级和高可靠性。
以上所述,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非是对本实用新型作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容,依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本实用新型技术方案的保护范围。

Claims (5)

1.一种功率驱动器,包括金属管壳,其特征在于:所述金属管壳的壳底为钼铜底板;在
所述金属管壳内设置有:控制组件和功率组件;
所述功率组件包括:在所述钼铜底板上将氮化铝DBC基板进行焊膏合片,在所述氮化铝DBC基板上真空烧结集成电路功率芯片;
所述控制组件包括:在所述钼铜底板上将成膜基片进行胶膜合片,将电阻电容再流焊在所述成膜基片上;将集成电路控制芯片粘接在所述成膜基片上。
2.根据权利要求1所述的功率驱动器,其特征在于:所述控制组件的成膜基片由氧化铝基片通过印制而成,所述集成电路控制芯片使用金丝进行键合。
3.根据权利要求1或2所述的功率驱动器,其特征在于:所述功率芯片包括IGBT芯片和FRED芯片,所述功率芯片使用纯铝丝进行键合。
4.根据权利要求3所述的功率驱动器,其特征在于:所述控制组件和功率组件采用铝丝键合连接。
5.根据权利要求4所述的功率驱动器,其特征在于:所述金属管壳的边框和盖板均采用可伐材料制成,所述边框和盖板采用平行封焊焊装。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109273421A (zh) * 2018-09-17 2019-01-25 威海银创微电子技术有限公司 Igbt模块

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