CN204779791U - 一种磁控溅射离子镀双层膜用炉 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开一种磁控溅射离子镀双层膜用炉，包括炉体、第一侧置靶材、第二侧置靶材、第一侧置挡板、第二侧置挡板、第一中频离化器、第二中频离化器、旋盘、工件架、中置靶材、中置挡板。炉体具有一中空腔体，旋盘位于中空腔体内并转动设于炉体底部；中置靶材位于中空腔体中部，中置挡板安装于中置靶材外侧；第一侧置靶材及第二侧置靶材分别位于中置靶材的两侧；第一中频离化器及第二中频离化器位于第一侧置挡板及中置靶材之间；工件架转动设于旋盘上。通过设计一种磁控溅射离子镀双层膜用炉，提高磁控溅射离子镀膜生产自动化程度，实现工件在一道工序过程中完成两道镀膜工序，减少能耗、提高生产效率与良率。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种磁控溅射离子镀双层膜用炉。
背景技术
物理气相沉积技术由于其使用真空环境而不需要使用化学溶液作为介质，在环保方面相对于传统水电镀有着巨大的技术优势。物理气相沉积技术在通过对传统蒸发镀膜机的原理进行研究后，有效改进了膜层结合力不足的缺点，在塑胶表面处理行业上已获得了越来越多的应用。
现有的镀膜机多数为单一靶材，每镀一层膜层都需要对靶材进行更换，造成镀膜机抽真空工序重复运行，提高了生产能耗。人工更换靶材容易造成靶材、设备的损伤，不利于提高产品良率，并且，换靶材增加了生产工序，降低了生产效率。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种提高产品良率、提高生产效率的磁控溅射离子镀双层膜用炉。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种磁控溅射离子镀双层膜用炉，包括：炉体、第一侧置靶材、第二侧置靶材、第一侧置挡板、第二侧置挡板、第一中频离化器、第二中频离化器、旋盘、工件架、中置靶材、中置挡板；
所述炉体具有一中空腔体，所述旋盘位于所述中空腔体内并转动设于所述炉体底部；
所述中置靶材位于所述中空腔体中部，所述中置挡板安装于所述中置靶材外侧；
所述第一侧置靶材及所述第二侧置靶材分别位于所述中置靶材的两侧，所述第一侧置挡板位于所述第一侧置靶材及所述中置靶材之间，所述第二侧置挡板位于所述第二侧置靶材及所述中置靶材之间；
所述第一中频离化器位于所述第一侧置挡板及所述中置靶材之间，所述第二中频离化器位于所述第二侧置挡板及所述中置靶材之间；
所述工件架转动设于所述旋盘上，所述工件架转动于所述第一侧置挡板与所述第一中频离化器之间，及转动于所述第二侧置挡板与所述第二中频离化器之间。
优选的，所述炉体为圆筒形结构。
优选的，所述炉体的外壁设有防触电安全盖。
优选的，所述旋盘为行星旋盘。
优选的，所述工件架的数量为多个，多个所述工件架环绕于所述中置靶材周围。
优选的，所述第一侧置靶材及所述第二侧置靶材均安装于所述炉体内壁。
优选的，所述中置靶材具有通电电极及水循环装置。
优选的，所述第一侧置靶材具有通电电极及水循环装置，所述第二侧置靶材具有通电电极及水循环装置。
优选的，所述磁控溅射离子镀双层膜用炉还包括抽真空装置。
优选的，所述第一中频离化器及所述第二中频离化器均安装于所述炉体的顶部。
磁控溅射离子镀双层膜用炉具有如下有益效果：
1、可实现一道磁控溅射工序镀两层膜层；
2、设置自动开合的第一侧置挡板及第二侧置挡板，防止钯材电极互相污染；
3、旋盘公转与工件架自转相结合，保证了镀层均匀；
4、结构简单易操作。
通过设计一种磁控溅射离子镀双层膜用炉，提高磁控溅射离子镀膜生产自动化程度，实现工件在一道工序过程中完成两道镀膜工序，减少能耗、提高生产效率与良率。
附图说明
图1为本实用新型一实施例的磁控溅射离子镀双层膜用炉的示意图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本实用新型作进一步详细的描述，但本实用新型的实施方式不限于此。
如图1所示，其为本发明一实施例的磁控溅射离子镀双层膜用炉10的示意图。
磁控溅射离子镀双层膜用炉10包括：炉体100、第一侧置靶材210、第二侧置靶材220、第一侧置挡板310、第二侧置挡板320、第一中频离化器410、第二中频离化器420、旋盘500、工件架600、中置靶材700、中置挡板800。
炉体100具有一中空腔体110，旋盘500位于中空腔体110内并转动设于炉体100的底部。在本实施例中，炉体100为圆筒形结构，且旋盘500为行星旋盘。第一侧置靶材210、第二侧置靶材220、第一侧置挡板310、第二侧置挡板320、第一中频离化器410、第二中频离化器420、旋盘500、工件架600、中置靶材700、中置挡板800均收容于中空腔体110内。
中置靶材700位于中空腔体110中部，中置挡板800安装于中置靶材700外侧。在本实施例中，中置靶材700垂直安装于中空腔体110的正中心位置。
第一侧置靶材210及第二侧置靶材220分别位于中置靶材700的两侧，第一侧置挡板310位于第一侧置靶材210及中置靶材700之间，第二侧置挡板320位于第二侧置靶材220及中置靶材700之间。其中，第一侧置挡板310及第二侧置挡板320可自动打开或关闭。
在本实施例中，第一侧置靶材210及第二侧置靶材220均垂直安装于炉体100的内壁，且中置靶材700、第一侧置靶材210、第二侧置靶材220具有通电电极及水循环装置。要说明的是，第一侧置靶材210及第二侧置靶材220的材质各不相同。
第一中频离化器410位于第一侧置挡板210及中置靶材700之间，第二中频离化器420位于第二侧置挡板220及中置靶材700之间。在本实施例中，第一中频离化器410及第二中频离化器420均安装于炉体100的顶部。
工件架600转动设于旋盘500上，工件架600转动于第一侧置挡板310与第一中频离化器410之间，及转动于第二侧置挡板320与第二中频离化器420之间。即，工件架600在旋盘500的带动下，回旋于第一侧置挡板310与第一中频离化器410之间，及回旋于第二侧置挡板320与第二中频离化器420之间。
在本实施例中，工件架600的数量为多个，多个工件架600垂直安装于旋盘500上，多个工件架600环绕于中置靶材700周围。
进一步的，炉体100的外壁设有防触电安全盖900，从而提高了使用的安全性。磁控溅射离子镀双层膜用炉10还包括抽真空装置。
与上述磁控溅射离子镀双层膜用炉10对应，提供一种磁控溅射离子镀双层膜方法，其包括如下步骤：
S110，将清洁好的工件装到工件架600上，使用中置挡板800将中置靶材700遮挡，打开水循环装置；
S120，关闭炉体100门，设置镀膜工艺参数，使用扩散泵预热到工作温度，同时开启第一中频离化器410及第二中频离化器420，开始充入Ar气，到达指定状态后，炉体100内开始抽真空，到工作所需真空度后，第一中频离化器410及第二中频离化器420停止工作，开始镀膜程序；
S130，旋盘500开始旋转，同时工件架600开始自转，第一侧置挡板310自动打开，第一侧置靶材210露出，磁控溅射度第一层膜；
S140，第一层膜镀完，第一侧置挡板310自动闭合遮挡第一侧置靶材210，第二侧置挡板320自动打开，第二侧置靶材220露出，磁控溅射镀第二层膜；
S150，第二层膜镀完，第二侧置挡板320自动闭合，旋盘500与工件架600停止旋转，排出Ar气，待炉体100内温度降至室温后开炉取下成品。
磁控溅射离子镀双层膜用炉10具有如下有益效果：
1、可实现一道磁控溅射工序镀两层膜层；
2、设置自动开合的第一侧置挡板310及第二侧置挡板320，防止钯材电极互相污染；
3、旋盘500公转与工件架600自转相结合，保证了镀层均匀；
4、结构简单易操作。
通过设计一种磁控溅射离子镀双层膜用炉10，提高磁控溅射离子镀膜生产自动化程度，实现工件在一道工序过程中完成两道镀膜工序，减少能耗、提高生产效率与良率。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式，但本实用新型的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，包括：炉体、第一侧置靶材、第二侧置靶材、第一侧置挡板、第二侧置挡板、第一中频离化器、第二中频离化器、旋盘、工件架、中置靶材、中置挡板；
所述炉体具有一中空腔体，所述旋盘位于所述中空腔体内并转动设于所述炉体底部；
所述中置靶材位于所述中空腔体中部，所述中置挡板安装于所述中置靶材外侧；
所述第一侧置靶材及所述第二侧置靶材分别位于所述中置靶材的两侧，所述第一侧置挡板位于所述第一侧置靶材及所述中置靶材之间，所述第二侧置挡板位于所述第二侧置靶材及所述中置靶材之间；
所述第一中频离化器位于所述第一侧置挡板及所述中置靶材之间，所述第二中频离化器位于所述第二侧置挡板及所述中置靶材之间；
所述工件架转动设于所述旋盘上，所述工件架转动于所述第一侧置挡板与所述第一中频离化器之间，及转动于所述第二侧置挡板与所述第二中频离化器之间。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述炉体为圆筒形结构。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述炉体的外壁设有防触电安全盖。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述旋盘为行星旋盘。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述工件架的数量为多个，多个所述工件架环绕于所述中置靶材周围。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述第一侧置靶材及所述第二侧置靶材均安装于所述炉体内壁。
7.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述中置靶材具有通电电极及水循环装置。
8.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述第一侧置靶材具有通电电极及水循环装置，所述第二侧置靶材具有通电电极及水循环装置。
9.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述磁控溅射离子镀双层膜用炉还包括抽真空装置。
10.根据权利要求1所述的磁控溅射离子镀双层膜用炉，其特征在于，所述第一中频离化器及所述第二中频离化器均安装于所述炉体的顶部。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104975266A (zh) * | 2015-07-17 | 2015-10-14 | 惠州建邦精密塑胶有限公司 | 一种磁控溅射离子镀双层膜用炉及方法 |
| CN115786861A (zh) * | 2022-11-02 | 2023-03-14 | 四川旭虹光电科技有限公司 | 旋转修正挡板机构和磁控溅射镀膜设备 |
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- 2015-07-17 CN CN201520523206.2U patent/CN204779791U/zh active Active
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