CN204608143U - 用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及高真空和超高真空设备系统的配置,具体涉及了一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,包括掩膜板传递装置、掩膜板、可拆卸样品托、挡板、冷却水管和样品传递杆,该装置与薄膜沉积设备形成一个整体,处于完全密封的状态,样品的装载与卸载不需要中断设备系统的高真空或超高真空状态;样品固定方便可靠,不会在工艺过程中由于样品台的原位旋转或相对运动而脱落,并且不受工艺过程,如原位高温退火时的热辐射影响;掩膜板的位置可以相对于样品台位置进行精确调整,可以精确控制掩模板与样品(夹具)之间间距为分离或贴合状态;掩模板可以相对于样品台做定位位移,也可以做连续位移;掩膜板及其运动控制不受高温工艺影响。
Description
技术领域
本实用新型涉及高真空和超高真空设备系统的配置,具体涉及了一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置。
背景技术
受摩尔定律驱动,半导体微电子器件尺寸以指数量级迅速向纳米尺度缩减。高真空和超高真空薄膜沉积制备成为现代半导体微电子与超微集成电路技术的必备手段。为实现在高真空和超高真空中的连续作业,避免薄膜沉积过程受到污染,以及提高工作效率,通常使用样品传递系统从大气氛围向高真空和超高真空腔室逐级传递样品。
高通量组合半导体材料芯片合成技术,通过在固态原子或离子在极短的扩散尺度进行薄膜沉积,同时配合分立的掩模板面阵阵列转换,或者连续匀速的掩模板运动,实现高通量组合新材料芯片制备,以指数量级加快新材料的发现与筛选速度,是加速高新材料合成与筛选,以及优化合成工艺和确定合成路线的必要手段。一方面,由于掩模板具有一定厚度,使用多级掩模板进行逐层沉积时,如果发生各级掩模板阵列图形错位,加上在阵列图形边缘的遮蔽效应,将造成膜层覆盖缺失,或者不均匀,导致不能形成所需的材料数据库。因此,必须保证多级掩膜板相对于原位样品台的相对位置的完全一致。当样品面积较小,而掩模板点阵数目大(大容量数据库),点阵单元面积在亚毫米级时,对多级掩膜板相对于原位样品台的位置校准变得极为关键。另一方面,必须保证掩膜板转换运动时,与薄膜之间留有恰当间隙,避免摩擦破坏已经沉积的薄膜表面。对于连续梯度型数据库制备,必须控制掩模板相对于原位样品台的移动速率与精度,以保证形成厚度连续变化的楔形薄膜。
此外,在微纳电子器件制备和微机电系统(MEMS)制备过程,通常需要按照设计版图使用掩膜板进行固定图案沉积,或者进行原位金属电极沉积,也需要在高真空或超高真空系统中使用方便灵活的样品传递和掩膜装置。
实用新型内容
为解决上述技术问题,我们提出了一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其目的:样品的装载与卸载不需要中断设备系统的高真空或超高真空状态;样品固定方便可靠,不会在工艺过程中由于样品台的原位旋转或相对运动而脱落,并且不受工艺过程,如原位高温退火时的热辐射影响;掩膜板的位置可以相对于样品台位置进行精确调整,可以精确控制掩模板与样品(夹具)之间间距为分离或贴合状态;掩模板可以相对于样品台做定位位移,也可以做连续位移;掩膜板及其运动控制不受高温工艺影响。
为达到上述目的,本实用新型的技术方案如下:
一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,包括掩膜板传递装置、掩膜板、可拆卸样品托、挡板、冷却水管、样品传递杆和与掩膜板相应的固定插板,固定插板通过第一支持杆设置在样品台的转轴上,所述的掩膜板通过支架滑动安插在掩膜板传递装置中;
冷却水管设置在挡板的两侧和顶端,冷却水管的两端均设有不锈钢软管,不锈钢软管的末端与真空法兰流体馈穿导件相连通,冷却水管通过不锈钢软管和真空法兰流体馈穿导件与沉积室外部冷却循环水路形成闭路连接;
挡板设置在沉积室内;
样品传递杆设置在掩膜板的一侧,样品传递杆的进样端设有与可拆卸样品托相应的转换接头。
优选的,样品传递杆上设有直线推送装置和原位旋转装置,且安装于高真空的进样室里,在不中断主沉积腔室高真空或超高真空状态下,通过进样室从大气向高真空或超高真空传递样品。
优选的,转换接头的一端设有双柱插头,双柱插头之间设有第一旋转锁头,转换接头的另一端设有与样品传递杆相连接的固定接头。
优选的,所述的冷却水管通过与掩膜板移动相应移动的第二支持杆的一端固定在挡板上,第二支持杆的另一端设有传动装置,传动装置与外部的传动控制装置相连接。
优选的,掩膜板的厚度≤0.2mm,掩模板上可以是面阵阵列图形,或者其他固定设计图形和图案组合,也可以是用于连续梯度薄膜沉积的实心掩膜板。
为了使可拆卸样品托能固定在固定插板上,固定插板的内侧设有第二固定锁定槽孔,第二固定锁定槽孔内设有螺纹固定孔;可拆卸样品托的中部安插有与螺纹固定孔相应的螺纹丝杆,螺纹丝杆的一端设有与第二固定锁定槽孔相应的第二旋转锁头。
为了螺纹丝杆具有足够的动力安插在螺纹固定孔中,螺纹丝杆的另一端设有与第一旋转锁头相应的可旋转第一锁定槽孔。
为了将固定样品(衬底),还包括夹具,夹具由平头螺钉和厚度≤0.2mm的夹片组成,夹片通过平头螺钉固定在可拆卸样品托的螺纹孔中。
为了防止可拆卸样品托在移动中脱离转换接头,可拆卸样品托朝向样品传递杆的侧部设有与双柱插头相应的双孔插孔。
优选的,挡板上设有与可拆卸样品托尺寸相应的蒸发窗孔。
为了精确控制挡板的移动,传动控制装置或为手动微调金属波纹管,或为步进电机驱动。
为了精确控制掩膜板的移动,掩膜板传递装置为二维直线传动控制装置,分别使用步进电机在两个相互垂直的方向上控制掩膜板进行移动。
通过上述技术方案,该装置与薄膜沉积设备形成一个整体,处于完全密封的状态,样品的装载与卸载不需要中断设备系统的高真空或超高真空状态;样品固定方便可靠,不会在工艺过程中由于样品台的原位旋转或相对运动而脱落,并且不受工艺过程,如原位高温退火时的热辐射影响;掩膜板的位置可以相对于样品台位置进行精确调整,可以精确控制掩模板与样品(夹具)之间间距为分离或贴合状态;掩模板可以相对于样品台做定位位移,也可以做连续位移;掩膜板及其运动控制不受高温工艺影响。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型所公开的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置在掩膜板的轴线与可拆卸样品托的轴线相垂直时的结构示意图;
图2为本实用新型所公开的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置在掩膜板的轴线与可拆卸样品托的轴线相垂直时的传动部分的局部放大图;
图3为本实用新型所公开的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置在掩膜板的轴线与可拆卸样品托的轴线相垂直时的仰视示意图;
图4为本实用新型所公开的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置在掩膜板的轴线与可拆卸样品托的轴线相平行时的分解结构示意图。
图中数字和字母所表示的相应部件名称:
1.掩膜板传递装置 2.掩膜板 21.固定插板 22.第二固定锁定槽孔23.第一支持杆 3.可拆卸样品托 31.第二旋转锁头 32.可旋转第一锁定槽孔 4.挡板 41.蒸发窗孔 5.冷却水管 51.第二支持杆6.样品传递杆 61.转换接头 7.第一旋转锁头。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
下面结合示意图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
如图1、图2和图4所示,一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,包括掩膜板传递装置1、掩膜板2、可拆卸样品托3、挡板4、冷却水管5、样品传递杆6和与掩膜板2相应的固定插板21,固定插板21通过第一支持杆23设置在样品台的转轴上,所述的掩膜板2通过支架滑动安插在掩膜板传递装置1中,挡板4设置在沉积室内,样品传递杆6设置在掩膜板2的一侧,样品传递杆6的进样端设有与可拆卸样品托3相应的转换接头61,其中,掩膜板传递装置1为二维直线传动控制装置,分别使用步进电机在两个相互垂直的方向上控制掩膜板2进行移动,确保了掩膜板2的移动足够精确。
所述的样品传递杆6上设有直线推送装置和原位旋转装置,使样品传递杆6具有直线推送和原位旋转的能力,且安装于高真空的进样室里,在不中断主沉积腔室高真空或超高真空状态下,通过进样室从大气向高真空或超高真空传递样品,样品传递杆6(含转换接头61)逆时针旋转为锁紧,顺时针旋转为解锁,以水平0°为起始位置。
转换接头61的一端设有双柱插头,双柱插头之间设有第一旋转锁头7,转换接头61的另一端设有与样品传递杆6相连接的固定接头,确保了转换接头61与样品传递杆6进行同步动作。
掩膜板2的厚度≤0.2mm,掩模板2上可以是面阵阵列图形,或者其他固定设计图形和图案组合,也可以是用于连续梯度薄膜沉积的实心掩膜板。
所述的固定插板21的内侧设有第二固定锁定槽孔22,第二固定锁定槽孔22内设有螺纹固定孔;可拆卸样品托3的中部安插有与螺纹固定孔相应的螺纹丝杆,螺纹丝杆的一端设有与第二固定锁定槽孔22相应的第二旋转锁头31,螺纹丝杆的另一端设有与第一旋转锁头(7)相应的可旋转第一锁定槽孔32,通过第二旋转锁头31锁紧在固定插板21上的第二固定锁定槽孔22中,将可拆卸样品托3固定在固定插板21上。
该装置还包括夹具,夹具由平头螺钉和厚度≤0.2mm的夹片组成,夹片通过平头螺钉固定在螺纹固定孔之中,对样品(衬底)进行固定。
可拆卸样品托3朝向样品传递杆6的侧部设有与双柱插头相应的双孔插孔,可拆卸样品托3在传递过程中不会脱落。
冷却水管5设置在挡板4的两侧和顶端,冷却水管5的两端均设有不锈钢软管,不锈钢软管的末端与真空法兰流体馈穿导件相连通,冷却水管5通过不锈钢软管和真空法兰流体馈穿导件与沉积室外部冷却循环水路形成闭路连接,且所述的冷却水管5通过与掩膜板2移动相应移动的第二支持杆51的一端固定在挡板4上,第二支持杆51的另一端设有传动装置,传动装置与外部的传动控制装置相连接,其中冷却水管5降低了在薄膜沉积过程中的热辐射对掩膜板及其传动的影响,传动控制装置或为手动微调金属波纹管,或为步进电机驱动,确保了挡板4能精确的根据掩膜板的移动而移动,并且对掩膜板进行限位。
如图3所示,所述的挡板4上设有与可拆卸样品托3尺寸相应的蒸发窗孔41。
该装置的工作过程:
第一种情况,从大气向高真空超高真空设备主体沉积腔室中装载固定样品,使用掩膜板进行固定图形薄膜沉积。
1、在具备进样室的超高真空设备系统中使用,其中样品台采用纵向倒置方位的安装方式。
2、所述掩膜板2为分别具有固定设计图形的一系列掩膜板。
3、样品传递杆6(含转换接头61)安装于进样室中,样品传递杆6(含转换接头61)的轴线和可拆卸样品托3的支架轴线在同一平面内,并相互垂直。
4、超高真空设备系统的起始状态为:沉积室处于超高真空状态,其与进样室之间由插板阀隔离;进样室处于高真空状态,样品台固定插板与掩模板2及支架处于最大分离位置;掩膜板2及支架处于纵向最低位置,挡板4处于掩模板2的支架下方最低位置。
5、使用所述可拆卸样品托3和夹具,在大气中将样品衬底放置于可拆卸样品托3正中,在其上放置夹具,使用平头螺丝将夹具和样品衬底固定在可拆卸样品托3上。
6、使用所述样品传递杆6(含转换接头61)从大气,通过进样室,向沉积室装载与固定样品。具体为,
第一,在沉积室和进样室之间插板阀保持关闭状态下,开启进样腔室,将所述样品传递杆6的第一旋转锁头7旋转至90°位置,保持衬底面面向沉积源,将转换接头61的双柱插头完全插入可拆卸样品托3的双孔插孔中,将可拆卸样品托3从大气装载并固定到样品传递杆6上;
第二,在上述第一完成后,对进样室进行抽真空操作,至所需本底真空度;
第三,在上述第二完成后,开启沉积室和进样室之间插板阀,并将样品台固定插板纵向调节到与可拆卸样品托3平行位置,将上述第二装载了可拆卸样品托3的样品传递杆6向沉积室直线推送,将可拆卸样品托3完全插入固定插板21;
第四,在上述第三完成后,逆时针旋转样品传递杆6至180°,使可拆卸样品托3锁紧于固定插板21的第二固定锁定槽孔22中,将可拆卸样品托3固定于固定插板21上。
第五,在上述第四完成后,将所述样品传递杆6逆向顺时针旋转90°,使样品传递杆6上的第一旋转锁头7与可旋转第一锁定槽孔32解锁,然后将样品传递杆6(含转换接头61)完全退出沉积室,退入进样室。
第六,在上述第五完成后,关闭沉积室和进样室之间插板阀。在不中断沉积室的超高真空状态下,完成从大气通过进样室的样品装载过程。
7、对进样室进行抽真空操作,至所需本底真空度。设备系统回复至起始状态。
8、使用所述掩模板2的支架及运动控制装置,分别进行掩模板2的x轴水平位置调节,与z轴纵向位置升降调节。具体为,
第一,对所述掩模板2的支架,水平选择和调节指定掩模图形位于样品正下方,使样品、指定掩模图形和挡板4的蒸发窗孔41位于同一轴线上;
第二,对所述掩模板2的支架,纵向调节,使指定掩模板2与样品(夹具)贴合;
第三,对所述挡板4及支架,使用所述挡板4的纵向传动控制装置,纵向调节,使挡板4的支架与掩模板2的支架贴合;
第三,选择沉积源材料,进行超高真空薄膜沉积。
第四,上述第三完毕后,对所述挡板4的支架,使用所述挡板4的纵向传动控制装置,纵向调节,使挡板4支架与掩模板2的支架分离;
第五,上述第四完毕后,对所述掩模板2的支架,纵向下降掩膜板2,与样品(夹具)分离;
9、重复上述7,直至完成固定图形的薄膜沉积制备。
情况二:从大气向高真空超高真空设备的沉积室中装载固定样品,使用掩膜板2进行连续梯度薄膜沉积。
1、具备进样室的超高真空设备系统中使用,其中样品台采用纵向倒置方位的安装方式。
2、所述掩模板2为指定长度的实心掩膜板。
3、样品传递杆6(含转换接头61)安装于进样室中,样品传递杆6(含转换接头61)的轴线和可拆卸样品托3的支架轴线在同一平面内,并相互垂直。
4、超高真空设备系统的起始状态为:沉积室处于超高真空状态,其与进样室之间由插板阀隔离。进样室处于高真空状态。样品台的固定插板21与掩模板2及支架处于最大分离位置;掩模板2及支架处于纵向最低位置,挡板4处于掩模板2的支架下方最低位置。
5、使用所述可拆卸样品托3和夹具,在大气中将样品衬底放置于可拆卸样品托3正中,在其上放置夹具,使用平头螺丝将夹具和样品衬底固定在可拆卸样品托3上。
6、使用所述样品传递杆6(含转换接头61)从大气,通过进样室,向沉积室装载与固定样品。具体为,
第一,在沉积室和进样室之间插板阀保持关闭状态下,开启进样室,将所述样品传递杆6的第一旋转锁头7旋转至90°位置,保持衬底面面向沉积源,将所述转换接头61的双柱插头完全插入所述可拆卸样品托3的双孔插孔中,将可拆卸样品托3从大气装载并固定到样品传递杆6上;
第二,在上述第一完成后,对进样室进行抽真空操作,至所需本底真空度;
第三,在上述第二完成后,开启沉积室和进样室之间插板阀,并将样品台的固定插板21纵向调节到与可拆卸样品托3平行位置,将上述第二装载了可拆卸样品托3的样品传递杆6向主沉积腔室直线推送,将可拆卸样品托3完全插入固定插板21;
第四,在上述第三完成后,逆时针旋转样品传递杆6至180°,使可拆卸样品托3锁紧于所述固定插板21的第二固定锁定槽孔22中,将可拆卸样品托3固定于样品台的固定插板21上。
第五,在上述第四完成后,将所述样品传递杆6逆向顺时针旋转90°,使所述样品传递杆6上的第一旋转锁头7与可旋转第一锁定槽孔32解锁,然后将样品传递杆6(含转换接头61)完全退出沉积室,退入进样室。
第六,在上述第五完成后,关闭沉积室和进样室之间插板阀。在不中断沉积室的超高真空状态下,完成从大气通过进样室的样品装载过程。
7、对进样室进行抽真空操作,至所需本底真空度。设备系统回复至起始状态。
8、使用所述掩模板2的支架及运动控制装置,分别进行掩模板2的x轴水平位置调节,与z轴纵向位置升降调节。具体为,
第一,对所述掩模板2的支架,水平调节挡板位置,使其边缘与挡板4的蒸发窗孔41一侧边缘一致;
第二,对所述掩模板2的支架,纵向调节实心掩膜板,达到与样品(夹具)之间的指定间距;
第三,对所述挡板4及支架,使用所述挡板4的纵向传动控制装置,纵向调节,使挡板4的支架与掩模板2的支架贴合;
第三,选择沉积源材料,进行超高真空薄膜沉积,并在沉积同时,使用所述掩模板x轴水平控制步进电机,控制实心掩膜板在设定速率,从所述窗口一侧边缘匀速移动到另一侧边缘。
第四,上述第三完毕后,对所述挡板4的支架,使用所述挡板4的纵向传动控制装置,纵向调节,使挡板4的支架与掩模板2的支架分离;
第五,上述第四完毕后,对所述掩模板2的支架,纵向下降掩膜板2,与样品(夹具)分离;
9、重复上述7,直至完成所需连续梯度薄膜的沉积制备。
情况三:从高真空超高真空设备的沉积室中向大气卸载样品。
1、在具备进样室的超高真空设备系统中使用,其中样品台采用纵向倒置方位的安装方式。
2、样品传递杆6(含转换接头61)安装于进样室中,样品传递杆6的轴线和可拆卸样品托3的轴线在同一平面内,并相互垂直。
3、超高真空设备系统的起始状态为:沉积室处于超高真空状态,其与进样室之间由插板阀隔离。进样室处于高真空状态。样品台的固定插板21与掩模板2及支架处于最大分离位置;掩模板2及支架处于纵向最低位置。
4、使用所述样品传递杆6(含转换接头61)从大气,通过进样室,从沉积室卸载样品。具体为,
第一,在沉积室和进样室之间插板阀保持关闭状态下,开启沉积室和进样室之间插板阀,并将样品台的固定插板21纵向调节到与可拆卸样品托3平行位置,将所述样品传递杆6(含转换接头61)逆时针旋转至90°位置,向沉积室直线推送,使转换接头61完全插入可拆卸样品托3;
第二,在上述第一完成后,将所述样品传递杆6(含转换接头61)逆时针旋转至180°位置,使所述样品传递杆6上的第一旋转锁头7与可旋转第一锁定槽孔32锁定;
第三,在上述第二完成后,进一步将样品传递杆6逆时针旋转90°,使可拆卸样品托3所述固定插板21的第二固定锁定槽孔22中分离,然后将样品传递杆6(含转换接头61)和可拆卸样品托3完全退出沉积室,退入进样室。
第四,在上述第三完成后,关闭沉积室和进样室之间插板阀。
第五,在上述第四完成后,开启进样室,从转换接头61上卸载可拆卸样品托3。在不中断主体沉积腔室的超高真空状态下,完成从主体沉积室通过进样室向大气卸载样品的过程。
第六,在上述第五完成后,对进样室进行抽真空操作,至所需本底真空度。设备系统回复至起始状态。
以上就是一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置的结构特点和工作过程,其优点:该装置与薄膜沉积设备形成一个整体,处于完全密封的状态,样品的装载与卸载不需要中断设备系统的高真空或超高真空状态;样品固定方便可靠,不会在工艺过程中由于样品台的原位旋转或相对运动而脱落,并且不受工艺过程,如原位高温退火时的热辐射影响;掩膜板的位置可以相对于样品台位置进行精确调整,可以精确控制掩模板与样品(夹具)之间间距为分离或贴合状态;掩模板可以相对于样品台做定位位移,也可以做连续位移;掩膜板及其运动控制不受高温工艺影响。
以上所述的仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型的保护范围。
Claims (12)
1.一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,包括掩膜板传递装置(1)、掩膜板(2)、可拆卸样品托(3)、挡板(4)、冷却水管(5)、样品传递杆(6)和与掩膜板(2)相应的固定插板(21);
固定插板(21)通过第一支持杆(23)设置在样品台的转轴上,掩膜板(2)通过支架滑动安插在掩膜板传递装置(1)中;
冷却水管(5)设置在挡板(4)的两侧和顶端,冷却水管(5)的两端均设有不锈钢软管,不锈钢软管的末端与真空法兰流体馈穿导件相连通,冷却水管(5)通过不锈钢软管和真空法兰流体馈穿导件与沉积室外部冷却循环水路形成闭路连接;
挡板(4)设置在沉积室内;
样品传递杆(6)设置在掩膜板(2)的一侧,样品传递杆(6)的进样端设有与可拆卸样品托(3)相应的转换接头(61)。
2.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,样品传递杆(6)上设有直线推送装置和原位旋转装置,且安装于高真空的进样室里,在不中断主沉积腔室高真空或超高真空状态下,通过进样室从大气向高真空或超高真空传递样品。
3.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,转换接头(61)的一端设有双柱插头,双柱插头之间设有第一旋转锁头(7),转换接头(61)的另一端设有与样品传递杆(6)相连接的固定接头。
4.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,所述的冷却水管(5)通过与掩膜板(2)移动相应移动的第二支持杆(51)的一端固定在挡板(4)上,第二支持杆(51)的另一端设有传动装置,传动装置与外部的传动控制装置相连接。
5.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,掩膜板(2)的厚度≤0.2mm,掩膜板(2)上可以是面阵阵列图形,或者其他固定设计图形和图案组合,也可以是用于连续梯度薄膜沉积的实心掩膜板。
6.根据权利要求3所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,固定插板(21)的内侧设有第二固定锁定槽孔(22),第二固定锁定槽孔(22)内设有螺纹固定孔;可拆卸样品托(3)的中部安插有与螺纹固定孔相应的螺纹丝杆,螺纹丝杆的一端设有与第二固定锁定槽孔(22)相应的第二旋转锁头(31)。
7.根据权利要求6所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,螺纹丝杆的另一端设有与第一旋转锁头(7)相应的可旋转第一锁定槽孔(32)。
8.根据权利要求7所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,还包括夹具,夹具由平头螺钉和厚度≤0.2mm的夹片组成,夹片通过平头螺钉固定在可拆卸样品托(3)的螺纹孔中。
9.根据权利要求3所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,可拆卸样品托(3)朝向样品传递杆(6)的侧部设有与双柱插头相应的双孔插孔。
10.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,挡板(4)上设有与可拆卸样品托(3)尺寸相应的蒸发窗孔(41)。
11.根据权利要求4所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,传动控制装置或为手动微调金属波纹管,或为步进电机驱动。
12.根据权利要求1所述的一种用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置,其特征在于,掩膜板传递装置(1)为二维直线传动控制装置,分别使用步进电机在两个相互垂直的方向上控制掩膜板(2)进行移动。
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CN201520215989.8U CN204608143U (zh) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置 |
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CN204608143U true CN204608143U (zh) | 2015-09-02 |
Family
ID=53960710
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201520215989.8U Withdrawn - After Issue CN204608143U (zh) | 2015-04-10 | 2015-04-10 | 用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN204608143U (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN104805400A (zh) * | 2015-04-10 | 2015-07-29 | 宁波华甬新材料科技有限公司 | 用于薄膜沉积设备系统的样品传递和掩膜装置 |
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CN114686817A (zh) * | 2022-03-29 | 2022-07-01 | 西安交通大学 | 一种超高真空原位薄膜多图案化装置及方法 |
-
2015
- 2015-04-10 CN CN201520215989.8U patent/CN204608143U/zh not_active Withdrawn - After Issue
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GR01 | Patent grant | ||
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