CN204491025U - 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置 - Google Patents

用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置 Download PDF

Info

Publication number
CN204491025U
CN204491025U CN201520125203.3U CN201520125203U CN204491025U CN 204491025 U CN204491025 U CN 204491025U CN 201520125203 U CN201520125203 U CN 201520125203U CN 204491025 U CN204491025 U CN 204491025U
Authority
CN
China
Prior art keywords
placing
silica tube
growth
single crystal
quartz ampoule
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201520125203.3U
Other languages
English (en)
Inventor
唐明静
窦云巍
康彬
袁泽锐
张羽
尹文龙
方攀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SICHUAN RESEARCH CENTER OF NEW MATERIALS
Institute of Chemical Material of CAEP
Original Assignee
SICHUAN RESEARCH CENTER OF NEW MATERIALS
Institute of Chemical Material of CAEP
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SICHUAN RESEARCH CENTER OF NEW MATERIALS, Institute of Chemical Material of CAEP filed Critical SICHUAN RESEARCH CENTER OF NEW MATERIALS
Priority to CN201520125203.3U priority Critical patent/CN204491025U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN204491025U publication Critical patent/CN204491025U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿，在生长石英安瓿内中部套装有用于放置补偿料的石英管，所述石英管两端封闭，该石英管外壁上开设有通气孔。本实用新型的有益效果为：采用本装置可以使补偿料在高温区的分解可抑制生长料的分解，并且在生长过程中相当于进行双温区退火，有效地提高晶体品质，减少晶体缺陷，表现在生长所得的单晶分解产物减少，透光率升高。

Description

用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置
技术领域
本实用新型涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种用于改善单晶体生长质量的补偿料放置装置。
背景技术
熔体法生长是最常见的一种单晶获得技术，此方法是将多晶原料升温至熔点以上，然后缓慢冷却生成单晶，在高温条件的生长过程中，多元化合物晶体容易发生分解，导致化合物的成分偏析影响单晶质量，为了避免化合物的成分偏析，通常采用直接在多晶原料里补偿易挥发组分的方法，但这种方法未使用补偿料放置装置，就存在补偿料的质量不易控制的缺点，而且可能造成新的成分偏析。
实用新型内容
本实用新型克服了现有技术中未使用补偿料放置装置存在补偿料的质量不易控制的缺点，而且可能造成新的偏析的不足，提供一种用于改善单晶体生长质量的补偿料放置装置，既能达到抑制生长料分解的目的，同时用能对生长单晶进行退火处理，还具有可根据晶体分解产物来控制补偿量的特点。
为实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案：
一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿，在生长石英安瓿内中部套装有用于放置补偿料的石英管，所述石英管两端封闭，该石英管外壁上开设有通气孔。
更进一步的技术方案是，所述石英管横截面的外径小于石英安瓿横截面的内径。
更进一步的技术方案是，所述石英管的管长为100mm，壁厚为1.5mm。
更进一步的技术方案是，所述通气孔的孔径为5mm。
更进一步的技术方案是，所述通气孔与生长石英安瓿底部之间的间距为10mm。
本技术方案中首先设置生长石英安瓿，使用过程中先将多晶原料放入其中，再设置石英管，使用过程中将补偿料放置其中，然后将石英管放入生长石英安瓿中，石英管的位置必须保证石英管内的补偿料位于多晶原料的上方，并且所处位置在炉体内的温度高于晶体熔点20℃以上，所述补偿料质量根据前期试验中产生的分解产物质量计算得出，通过放置补偿料既可以起到抑制晶体分解的作用，又能在生长过程中对生长单晶进行退火处理。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
采用本装置可以使补偿料在高温区的分解可抑制生长料的分解，并且在生长过程中相当于进行双温区退火，有效地提高晶体品质，减少晶体缺陷，表现在生长所得的单晶分解产物减少，透光率升高。
附图说明
图1为本实用新型的一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置的结构示意图。
如图1所示，其中对应的附图标记名称为：
1生长石英安瓿,2石英管,3通气孔。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型作进一步阐述。
如图1所示，一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿1，在生长石英安瓿1内中部套装有用于放置补偿料的石英管3，所述石英管3两端封闭，该石英管3外壁上开设有通气孔2，所述石英管3横截面的外径小于石英安瓿1横截面的内径，所述石英管3的管长为100mm，壁厚为1.5mm，所述通气孔2的孔径为5mm，所述通气孔2与生长石英安瓿1底部之间的间距为10mm。
本实施例中选用AgGaS2晶体生长的补偿料，具体使用步骤如下：
1、首先分别清洗生长石英安瓿1、石英管2和多晶原料，并且烘干，并将多晶原料放入生长石英安瓿1的底部；
2、然后将补偿料加入石英管2内，再将石英管2放入生长石英安瓿1中，并保证石英管2内的补偿料位于炉内1060℃位置处，然后抽真空封结生长石英安瓿1；
3、最后将生长石英安瓿1放入生长炉内，开始单晶生长实验。
以上具体实施方式对本实用新型的实质进行详细说明，但并不能对本实用新型的保护范围进行限制，显而易见地，在本实用新型的启示下，本技术领域普通技术人员还可以进行许多改进和修饰，需要注意的是，这些改进和修饰都落在本实用新型的权利要求保护范围之内。

Claims (5)

1.一种用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，它包括用于放置多晶原料的生长石英安瓿(1)，在生长石英安瓿(1)内中部套装有用于放置补偿料的石英管(3)，所述石英管(3)两端封闭，该石英管(3)外壁上开设有通气孔(2)。
2.根据权利要求1所述的用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，其特征在于所述石英管(3)横截面的外径小于石英安瓿(1)横截面的内径。
3.根据权利要求1所述的用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，其特征在于所述石英管(3)的管长为100mm，壁厚为1.5mm。
4.根据权利要求1所述的用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，其特征在于所述通气孔(2)的孔径为5mm。
5.根据权利要求1所述的用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置，其特征在于所述通气孔(2)与生长石英安瓿(1)底部之间的间距为10mm。
CN201520125203.3U 2015-03-04 2015-03-04 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置 Active CN204491025U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520125203.3U CN204491025U (zh) 2015-03-04 2015-03-04 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520125203.3U CN204491025U (zh) 2015-03-04 2015-03-04 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN204491025U true CN204491025U (zh) 2015-07-22

Family

ID=53570322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520125203.3U Active CN204491025U (zh) 2015-03-04 2015-03-04 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN204491025U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109930203A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 中国科学院理化技术研究所 一种BaGa4Se7多晶的合成装置及合成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109930203A (zh) * 2017-12-18 2019-06-25 中国科学院理化技术研究所 一种BaGa4Se7多晶的合成装置及合成方法
CN109930203B (zh) * 2017-12-18 2020-07-17 中国科学院理化技术研究所 一种BaGa4Se7多晶的合成装置及合成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102877117B (zh) 基于多加热器的铸锭炉热场结构及运行方法
CN102899714B (zh) 一种磷硅镉单晶体的生长方法与生长容器
CN102352530B (zh) 用于直拉硅单晶炉的热屏装置
WO2007025118A3 (en) System and method for crystal growing
CN105803519A (zh) 一种m2型单晶硅快速收尾方法
CN108622912B (zh) 高温覆盖剂级氧化硼的生产方法
CN103952759A (zh) 加热体内置的坩埚下降法制备氟化钙晶体的方法及装置
CN207512313U (zh) 一种磷化铟单晶受控生长装置
CN105803515A (zh) 一种vgf砷化镓单晶生长新工艺
CN103074669B (zh) 多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
CN204491025U (zh) 用于改善单晶生长质量的补偿料放置装置
CN208791811U (zh) 晶体生长装置
CN109137080B (zh) 一种硒镓钡晶体生长的方法
CN207294942U (zh) 一种带石墨和水冷复合热屏的高效单晶生长炉
CN203530480U (zh) 生长蓝宝石单晶的设备
CN205420598U (zh) 单晶炉短加热器
CN204251771U (zh) 一种蓝宝石晶体生长装置
CN104480527A (zh) 一种多晶硅铸锭炉全功率控制铸锭工艺
CN104499043A (zh) 一种83kg级蓝宝石晶体炉长晶结构及长晶方法
CN106894082B (zh) 单晶硅生长炉
CN206188916U (zh) 直拉单晶冷却装置
CN210711819U (zh) 一种大尺寸晶体生长单晶炉
CN204959080U (zh) 一种温控蓝宝石生长炉
CN205241851U (zh) 一种单晶炉加热系统
CN106757341A (zh) 一种减少bbo晶体包络的特殊生长工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant