CN204462602U - 阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本实用新型提供一种阵列基板及显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板漏光的问题。本实用新型的阵列基板，其包括多条栅线、与所述多条栅线交叉设置的多条数据线，以及由相邻的栅线和相邻的数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，所述阵列基板还包括多条沿栅线方向延伸的公共电极线，每条所述公共电极线具有多个沿数据线方向延伸的分支；每个所述分支对应一条数据线和至少一个像素电极，每个所述分支和与其对应的数据线在基底上的投影至少部分重叠，以及和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠。

Description

阵列基板及显示装置
技术领域
本实用新型属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
随着显示器制造技术的发展，液晶显示器技术发展迅速，已经逐渐取代了传统的显像管显示器而成为未来平板显示器的主流。在液晶显示器技术领域中，TFT-LCD(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)以其大尺寸、高度集成、功能强大、工艺灵活、低成本等优势而广泛应用于电视机、电脑、手机等领域。
显示面板通常是由阵列基板(即TFT基板)和彩膜基板(即CF基板)对盒组装并灌注液晶制成。一般的，所述阵列基板上形成有栅线(即扫描线)图形、数据线(即信号线)图形、TFT图形、过孔图形以及像素电极(即显示电极)图形和公共电极线图形，其中，多根栅线及多根数据线交叉定义若干个像素单元。
现有的阵列基板中的数据线上的数据信号与像素电极之间所产生的电场，会对位于数据线和像素电极之间区域的液晶分子的取向产生干扰，从而导致显示面板发生漏光的现象。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板存在的上述技术问题，提供一种可以有效避免阵列基板漏光的阵列基板和显示装置。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，其包括多条栅线、与所述多条栅线交叉设置的多条数据线，以及由相邻的栅线和相邻的数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极；
所述阵列基板还包括多条沿栅线方向延伸的公共电极线，每条所述公共电极线具有多个沿数据线方向延伸的分支；
每个所述分支对应一条数据线和至少一个像素电极，每个所述分支和与其对应的数据线在基底上的投影至少部分重叠，以及和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠。
优选的是，至少一个所述分支分别和位于同一行的两相邻的像素电极在基底上的投影部分重叠，以及和位于该两相邻的像素电极之间的数据线在基底上的投影完全重叠。
优选的是，每个所述分支和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠，以及和与其对应的数据线在基底上投影部分重叠。
优选的是，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方；所述公共电极线所在层位于所述数据线所在层的下方。
进一步优选的是，所述公共电极线与所述栅线同层设置，且材料相同。
优选的是，所述数据线所在层设于栅线所在层的上方；所述公共电极线所在层位于所述数据线所在层的上方。
进一步优选的是，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方，所述公共电极线所在层位于所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间。
进一步优选的是，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方，所述公共电极线所在层位于所述像素电极所在层上方。
进一步优选的是，相邻的两条所述公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。
优选的是，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方；所述栅线所在层位于所述数据线所在层的下方；所述公共电极线所在层位于所述栅线所在层的下方。
进一步优选的是，相邻的两条所述公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。
解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，其包括上述阵列基板。
本发明具有如下有有益效果：
本实用新型的阵列基板中包括多条公共电极线，每条所述公共电极线具有多个沿数据线方向延伸的分支，每个所述分支对应一条数据线和至少一个像素电极，每个所述分支和与其对应的数据线在基底上的投影至少部分重叠，以及和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠。该阵列基板可以屏蔽数据线与像素电极之间形成的电场，避免了数据线与像素电极之间形成的电场对位于数据线和像素电极之间区域的液晶分子的取向产生干扰，同时可以遮挡数据线和像素电极之间区域的漏光。
本实用新型的显示装置包括上述的阵列基板，故该显示装置具有较优的显示效果。
附图说明
图1为本实用新型的实施例1-3的阵列基板的平面示意图；
图2为实施例1-3的阵列基板中的一个像素单元的示意图；
图3为对应实施例1的图2的一种A1-A2的剖面图；
图4为对应实施例1的图2的一种B1-B2的剖面图；
图5为对应实施例1的图2的另一种A1-A2的剖面图；
图6为对应实施例1的图2的另一种B1-B2的剖面图；
图7为对应实施例2的图2的另一种A1-A2的剖面图；
图8为对应实施例2的图2的另一种B1-B2的剖面图；
图9为对应实施例3的图2的另一种A1-A2的剖面图；
图10为对应实施例3的图2的另一种B1-B2的剖面图；
图11为本实用新型实施例4的阵列基板的平面示意图；
图12为本实用新型实施例5的阵列基板的平面示意图；
图13为图12的阵列基板中的一个像素单元的示意图；
图14为图12的一种A1-A2的剖面图；
图15为图12的一种B1-B2的剖面图。
其中附图标记为：
Gi、第i行栅线；Gi+1、第i+1行栅线；Gi+2、第i+2行栅线；
Dj、第j列数据线；Dj+1、第j+1列数据线；Dj+2、第j+2列数据线；
150、公共电极线；150b/150c、分支；
1、基底；
5、栅极绝缘层；15、钝化层；25、第一绝缘层；35、第二绝缘层；45、第三绝缘层；
10、栅极；20、有源层；31、源极；32、漏极；50、像素电极；
40、过孔。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
本发明提供一种阵列基板，其包括多条栅线、与所述多条栅线交叉设置的多条数据线、多条公共电极线，以及由相邻的栅线和相邻的数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，所述阵列基板还包括多条沿栅线方向延伸的公共电极线，每条所述公共电极线具有多个沿数据线方向延伸的分支；每个所述分支对应一条数据线和至少一个像素电极，每个所述分支和与其对应的数据线在基底上的投影至少部分重叠，以及和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠。
具体的，结合下述实施例进行说明。
实施例1：
如图1所示，本实施提供了一种阵列基板，该阵列基板上的每一条公共电极线150的至少一个分支对应两个位于同一行的相邻的像素电极50，以及位于这两个像素电极50之间的一条数据线，此时，该分支分别与这两个像素电极50在基底1上的投影部分重叠，并与位于这两个像素电极50之间的数据线在基底1上的投影完全重叠。
本实用新型实施例中，公共电极线的分支与数据线在基底1上的投影完全重叠是表示公共电极线的分支在基底1上的投影在沿栅线方向上完全覆盖数据线在基底1上的投影。
具体的，如图2所示，由相邻的第j列数据线Dj、第j+1列数据线Dj+1和相邻的第i行栅线Gi、第i+1行栅线Gi+1，限定的像素单元，与该像素单元对应的公共电极线150，其中，公共电极线150的分支150b、150c分别与数据线Dj和Dj+1在基底1上的投影是完全重叠的，且分别与像素电极50在基底1上的投影部分重叠，而且分支150b和与像素电极50位于同一行的左侧相邻的像素电极在基底上的投影部分重叠(图2中未示出)，分支150c和与像素电极50位于同一行的右侧相邻的像素电极在基底上的投影部分重叠(图2中未示出)。
本实施例中的每个像素单元包括一个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的源极31与数据线连接，漏极32与像素电极50连接，栅极10与栅线连接。通过图3和图4所示，该阵列基板的各膜层分别为：公共电极线150与栅线和栅极10同层设置在基底1上，栅极绝缘层5覆盖在栅线、栅极10和公共电极线150上，有源层20位于栅极绝缘层5上，源极31、漏极32设置于有源层20上，钝化层15设置于源极31、漏极32上，像素电极50设置于钝化层15上。像素电极50通过过孔40连接薄膜晶体管的漏极32。本实施例中，过孔40设置在钝化层15上，并暴露出薄膜晶体管的漏极32。由此结构可知，公共电极线150的分支150b和分支150c是设置在数据线Dj和数据线Dj+1所在层的下方的。
本实施例的阵列基板中包括多条公共电极线150，每条所述公共电极线150具有多个沿数据线方向延伸的分支150b、150c，分支150b、分支150c分别对应一条数据线Dj和数据线Dj+1，分支150b和分支150c对应至少一个像素电极50，分支150b、分支150c分别和与其对应的数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影完全重叠，以及和与其对应的像素电极50在基底1上的投影部分重叠。该阵列基板可以屏蔽数据线与像素电极50之间形成的电场，避免了数据线与像素电极50之间形成的电场对位于数据线和像素电极50之间区域的液晶分子的取向产生干扰，同时可以遮挡数据线和像素电极50之间区域的漏光。
需要说明的是，本实施例中的公共电极线150和栅线也可以不同层设置，只要公共电极线150所在层位于数据线所在层下方即可。而当公共电极线150和栅线同层设置时，两者材料相同，两者可以采用一次构图工艺形成。当然，如图5和6所示，公共电极线150还可以设置栅线所在层的下方，此时公共电极线150与栅线所在层通过第一绝缘层25隔开，此时需要通过两次构图工艺分别形成栅线和公共电极线150的图形。还需要说明的是，在本实施例中的像素电极50和源极31、漏极32所在层之间也可以不设置钝化层15，像素电极50设置于栅极绝缘层5上，此时像素电极50和漏极32可以直接搭接在一起。
实施例2：
本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板的结构与实施例1中阵列基板的结构大致相同，区别在于，本实施例阵列基板的公共电极线150所在层设置在数据线所在层和像素电极50所在层之间。
具体的，如图7和8所示，公共电极线150的分支150b和分支150c设置在数据线Dj、Dj+1与像素电极50所在层之间，该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影完全重叠，该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与像素电极50在基底1上的投影部分重叠，此时公共电极线150所在层与像素电极50所在层通过第二绝缘层35隔开，公共电极线150设置于钝化层15上。
本实施例的阵列基板的其他结构与实施例1的结构相同或类似，故在此不详细描述。
实施例3：
本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板的结构与实施例1中阵列基板的结构大致相同，区别在于，本实施例阵列基板的公共电极线150所在层设置在像素电极50所在层上方。
具体的，如图9和10所示，公共电极线150的分支150b和分支150c设置在像素电极50所在层上方，且该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影完全重叠，该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与像素电极50在基底1上的投影部分重叠，此时公共电极线150所在层与像素电极50所在层通过第三绝缘层45隔开。
本实施例的阵列基板的其他结构与实施例1的结构相同或类似，故在此不详细描述。
实施例4：
如图11所示，本实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板的栅线和公共电极线150不同层设置，该阵列基板与实施例1-3所述的阵列基板的区别在于，相邻的两条公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。
本实施例的阵列基板的其他结构与实施例1-3所述阵列基板的结构相同或类似，故在此不详细描述。
实施例5：
本实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板上的每一条公共电极线150的每个分支和与其对应的一个像素电极50在基底1上的投影部分重叠，以及和与其对应的数据线在基底1上投影部分重叠。
具体的，如图12所示，公共电极线150的分支150b和分支150c分别对应数据线Dj和数据线Dj+1，公共电极线150的分支150b和分支150c分别对应同一个像素电极50，公共电极线150的分支150b和分支150c分别与数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影部分重叠，且与像素电极50在基底1上的投影部分重叠。
如图13所示，本实施例中的每个像素单元包括一个薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管的源极31与数据线连接，漏极32与像素电极50连接，栅极10与栅线连接。通过图14和图15所示，该阵列基板的各膜层分别为：公共电极线150设置在基底1上，第一绝缘层25设置于公共电极线150上，栅线、栅极10设置于第一绝缘层25上，栅极绝缘层5设置于栅线、栅极10上，有源层20设置于栅极绝缘层5上，源极31、漏极32设置于有源层20上、钝化层15设置于源极31、漏极32上，像素电极50设置于钝化层15上。像素电极50通过过孔40连接薄膜晶体管的漏极32，过孔40设置于钝化层15上，暴露出薄膜晶体管的漏极32。由此结构可知，公共电极线150的分支150b和分支150c是设置在数据线Dj和数据线Dj+1所在层的下方的，即公共电极线所在层位于数据线所在层的下方。
需要说明的是，在本实施例中的像素电极50和源极31、漏极32所在层之间也可以不设置钝化层15，像素电极50设置于栅极绝缘层5上，此时像素电极50和漏极32可以直接搭接在一起。
其中，作为本实施例的另一种情况，该阵列基板的结构与上述阵列基板的结构大致相同，区别在于，本实施例阵列基板的公共电极线150所在层设置在数据线和像素电极50所在层之间。
具体的，公共电极线150的分支150b和分支150c设置在数据线Dj和数据线Dj+1与像素电极50所在层之间，且该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影部分重叠，且与像素电极50在基底1上的投影部分重叠。
其中，作为本实施例的再一种情况，该阵列基板的结构与上述中阵列基板的结构大致相同，区别在于，本实施例阵列基板的公共电极线150所在层设置在像素电极50所在层上方。
具体的，公共电极线150的分支150b和分支150c设置像素电极50所在层上方，且该分支150b和分支150c在基底1上的投影分别与数据线Dj和数据线Dj+1在基底1上的投影部分重叠，且与像素电极50在基底1上的投影部分重叠。
其中，作为本实施例的再一种情况，该阵列基板的栅线和公共电极线150不同层设置，该阵列基板与上述的阵列基板的区别在于，相邻的两条公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。。
实施例6：
本实施例提供了一种显示装置，其包括实施例1-5中任意一种阵列基板。
其中，显示装置可以为液晶显示装置或者电致发光显示装置，例如液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本实施例中的显示装置具有优化较好的显示质量。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。

Claims (12)

1.一种阵列基板，其包括多条栅线、与所述多条栅线交叉设置的多条数据线，以及由相邻的栅线和相邻的数据线限定的多个像素单元，每个所述像素单元包括像素电极，其特征在于，
所述阵列基板还包括多条沿栅线方向延伸的公共电极线，每条所述公共电极线具有多个沿数据线方向延伸的分支；
每个所述分支对应一条数据线和至少一个像素电极，每个所述分支和与其对应的数据线在基底上的投影至少部分重叠，以及和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，至少一个所述分支分别和位于同一行的两相邻的像素电极在基底上的投影部分重叠，以及和位于该两相邻的像素电极之间的数据线在基底上的投影完全重叠。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个所述分支和与其对应的像素电极在基底上的投影部分重叠，以及和与其对应的数据线在基底上投影部分重叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方；所述公共电极线所在层位于所述数据线所在层的下方。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线与所述栅线同层设置，且材料相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线所在层设于栅线所在层的上方；所述公共电极线所在层位于所述数据线所在层的上方。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方，所述公共电极线所在层位于所述像素电极所在层和所述数据线所在层之间。
8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方，所述公共电极线所在层位于所述像素电极所在层上方。
9.根据权利要求6-8中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两条所述公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在层位于所述数据线所在层的上方；所述栅线所在层位于所述数据线所在层的下方；所述公共电极线所在层位于所述栅线所在层的下方。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，相邻的两条所述公共电极线由所述两条公共电极线中的一条的沿数据线方向延伸的各个分支连接成一体结构。
12.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-11中任意一项所述的阵列基板。
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