CN204434297U - 制备三氯氢硅的系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种制备三氯氢硅的系统，包括：氢化反应装置、第一降温装置、急冷单元、第一冷却单元、气液分离单元、精馏装置、第二冷却单元、四氯化硅储罐、氢气储罐、加热装置、混合装置以及过热装置。所述氢化反应装置具有硅粉入口、第一四氯化硅入口、第一氢气入口和粗氯硅烷气体出口；所述第一降温装置具有粗氯硅烷气体入口和第一降温粗氯硅烷气体出口，所述粗氯硅烷气体入口与所述粗氯硅烷气体出口相连；所述第一降温粗氯硅烷气体入口与所述第一降温粗氯硅烷气体出口相连。采用该系统可以实现物料的循环利用，并且四氯化硅的转化率高达27％以上。

Description

制备三氯氢硅的系统

技术领域

本实用新型属于多晶硅生产技术领域，具体而言，本实用新型涉及一种制备三氯氢硅的系统。

背景技术

在多晶硅生产工艺是将工业硅转化太阳能(电子级)硅，中间产品主要涉及三氯氢硅、四氯化硅、二氯二氢硅，主要转换涉及工业硅转化为三氯氢硅，三氯氢硅转化为太阳能(电子级)硅。传统制备三氯氢硅，需要投入两套系统，其一，三氯氢硅合成装置，用干燥的氯化氢、硅粉在合成炉点燃生成粗氯硅烷，尽管理论转化率较高，由于影响因素繁多，实际生产中很难控制，管道容易发生堵塞，事故频发，同时生成的四氯化硅副产物不能有效利用造成资源浪费。其二，热氢化装置，虽能回收利用四氯化硅，但能耗较高，转化率偏低，仅适宜小规模生产。

因此，现有的制备三氯氢硅的系统有待进一步改进。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种制备三氯氢硅的系统，采用该系统可以实现物料的循环利用，并且四氯化硅的转化率高达27％以上。

在本实用新型的一个方面，本实用新型公开了一种制备三氯氢硅的系统，包括：

氢化反应装置，所述氢化反应装置具有硅粉入口、第一四氯化硅入口、第一氢气入口和粗氯硅烷气体出口；

第一降温装置，所述第一降温装置具有粗氯硅烷气体入口和第一降温粗氯硅烷气体出口，所述粗氯硅烷气体入口与所述粗氯硅烷气体出口相连；

急冷单元，所述急冷单元具有第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口和含有硅粉的杂质出口，所述第一降温粗氯硅烷气体入口与所述第一降温粗氯硅烷气体出口相连；

第一冷却单元，所述第一冷却单元具有第二降温粗氯硅烷气体入口和液态粗氯硅烷出口，所述第二降温粗氯硅烷气体入口与所述第二降温粗氯硅烷气体出口相连；

气液分离单元，所述气液分离单元具有液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口、液态氯硅烷出口，所述液态粗氯硅烷入口与所述液态粗氯硅烷出口相连，所述液态氯硅烷出口与所述氯硅烷入口相连；

精馏装置，所述精馏装置具有氯硅烷进口、三氯氢硅出口和第一四氯化硅出口，所述氯硅烷进口与所述液态氯硅烷出口相连；

第二冷却单元，所述第二冷却单元具有含有氢气的气体入口、第一氢气出口和液体混合物出口，所述含有氢气的气体入口与所述含有氢气的气体出口相连，所述液体混合物出口与所述气液分离单元相连；

四氯化硅储罐，所述四氯化硅储罐具有第三四氯化硅入口、第二四氯化硅出口，所述第三四氯化硅入口与所述第一四氯化硅出口相连，所述第二四氯化硅出口分别与所述第二四氯化硅入口和所述气液分离单元相连；

氢气储罐，所述氢气储罐具有第二氢气入口和第二氢气出口，所述第二氢气入口与所述第一氢气出口相连；

加热装置，所述加热装置具有第一升温四氯化硅入口和第二升温四氯化硅出口，所述第一升温四氯化硅入口与所述第一升温四氯化硅出口相连；

混合装置，所述混合装置具有第二升温四氯化硅入口、第三氢气入口和混合气体出口，所述第二升温四氯化硅入口与所述第二升温四氯化硅出口相连，所述第三氢气入口与所述第二氢气出口相连；以及

过热装置，所述过热装置具有混合气体入口和过热气体出口，所述混合气体入口与所述混合气体出口相连，所述过热气体出口与所述氢化反应装置相连。

根据本实用新型实施例的制备三氯氢硅的系统通过将三氯氢硅的合成和四氯化硅的氢化在同一装置中进行，可以显著降低设备投资，并且将硅粉与气相的氢气和四氯化硅进行反应，可以显著提高四氯化硅的转化率(四氯化硅的转化率高达27％以上)，同时在氢化反应装置中采用无催化反应，可以有效降低成本的投入，并且可以显著提高产品的纯度，另外采用全封闭系统，将粗氯硅烷中夹杂的硅粉、氢气、四氯化硅进行有效分离，并将分离得到的氢气和四氯化硅返回至氢化反应装置继续进行反应，从而可以显著提高原料的利用率，进而进一步降低生产成本。

另外，根据本实用新型上述实施例的制备三氯氢硅的系统还可以具有如下附加的技术特征：

在本实用新型的一些实施例中，所述急冷单元包括急冷器和换热器，所述第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口分别独立的设置在所述换热器上，所述第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、含有硅粉的杂质出口设在所述急冷器上。由此，可以显著提高粗氯硅烷的除杂和换热效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述急冷器中具有气体分布器和消泡筛板。由此，可以进一步提高粗氯硅烷的除杂效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述第一冷却单元包括空冷装置和一级冷却装置，并且所述空冷装置与所述一级冷却装置相连。由此，可以显著降低粗氯硅烷的冷却效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述气液分离单元包括第一气液分离装置和第二气液分离装置，所述液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口设置在所述第一气液分离装置上，所述液态氯硅烷出口设置在所述第二气液分离装置上。由此，可以显著提高液态氯硅烷的气液分离效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述第二冷却单元包括二级冷却装置和三级冷却装置。由此，可以显著提高氢气的分离效率。

在本实用新型的一些实施例中，所述制备三氯氢硅的系统进一步包括：渣浆处理装置，所述渣浆处理装置与含有硅粉的杂质出口相连。

本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。

附图说明

图1是根据本实用新型一个实施例的制备三氯氢硅的系统结构示意图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

在本实用新型中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提出了一种制备三氯氢硅的系统。下面参考图1对本实用新型实施例的制备三氯氢硅的系统进行详细描述。根据本实用新型的实施例，该系统包括：

氢化反应装置100：根据本实用新型的实施例，氢化反应装置具有硅粉入口101、第一四氯化硅入口102、第一氢气入口103和粗氯硅烷气体出口104，且适于将硅粉、四氯化硅和氢气进行氢化反应，从而可以得到粗氯硅烷气体，根据本实用新型的具体实施例，粗氯硅烷气体可以含有四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、氯化氢、氢气和硅粉。发明人发现，通过将三氯氢硅的合成和四氯化硅的氢化在同一装置中进行，可以显著降低设备投资，并且在氢化反应装置中采用无催化反应，可以有效降低成本的投入，并且可以显著提高产品的纯度。

根据本实用新型的实施例，氢化反应装置100的材质可以为INCOLOY 800H，并且内部装有气体分布器和破泡器。

根据本实用新型的实施例，硅粉由氢化反应装置顶部中央的加料管加至氢化反应装置中，氢气和四氯化硅不断通过氢化反应装置底部且位于分布器下方的喷嘴进入氢化反应装置内，氢气和四氯化硅的混合气体通过气体分布器上升，向上通过硅粉床层与硅粉反应，氢化反应装置中四氯化硅、氢气和流化态的硅粉在500～600℃温度和2.0～3.8MPa压力下发生吸热反应，从而可以得到粗氯硅烷。

第一降温装置200：根据本实用新型的实施例，第一降温装置200具有粗氯硅烷气体入口201和第一降温粗氯硅烷气体出口202，根据本实用新型的具体实施例，粗氯硅烷气体入口201与粗氯硅烷气体出口104相连，且适于将粗氯硅烷气体进行第一降温处理，从而可以得到第一降温粗氯硅烷气体。

根据本实用新型的实施例，从氢化反应装置顶部采出的粗氯硅烷气体经过第一降温装置所得的第一降温氯硅烷气体的温度为300～350℃。

根据本实用新型的实施例，第一降温装置材质亦可以为INCOLOY 800H并且，该降温装置中的换热介质可以为热油。

急冷单元300：根据本实用新型的实施例，急冷单元300具有第一降温粗氯硅烷气体入口301、氯硅烷入口302、第二四氯化硅入口303、第一升温四氯化硅304、第二降温粗氯硅烷气体出口305和含有硅粉的杂质出口306，根据本实用新型的具体实施例，第一降温粗氯硅烷气体入口301与第一降温粗氯硅烷气体出口202相连，且适于将第一降温粗氯硅烷气体与氯硅烷和四氯化硅接触进行除杂和换热处理，从而可以得到第二降温粗氯硅烷气体、第一升温四氯化硅和含有硅粉的杂质。

根据本实用新型的实施例，急冷单元300可以包括急冷器31和换热器32，第二四氯化硅入口303、第一升温四氯化硅304、第二降温粗氯硅烷气体出口305分别独立的设置在换热器32上，第一降温粗氯硅烷气体入口301、氯硅烷入口302、含有硅粉的杂质出口306设在急冷器31上。由此，可以显著提高粗氯硅烷的除杂和换热效率。

根据本实用新型的实施例，急冷器31中可以具有气体分布器和消泡筛板。由此，可以进一步提高粗氯硅烷的除杂效率。

该步骤中，具体的，第一降温装置得到的第一降温氯硅烷气体经过急冷单元的气体分布器喷射至急冷器中的液体氯硅烷中，粗氯硅烷气体温度迅速降低，同时粗氯硅烷中夹待的未反应完的硅粉和金属氯化物(如三氯化硼、三氯化铝)被吸收并在急冷器底部浓缩富集，而急冷器中得到的气体和悬浮液通过消泡筛板继续向上运动，在急冷器顶部与喷淋而下的氯硅烷进一步接触洗涤，然后进入换热器，与换热器壳程中的四氯化硅进行换热，从而可以得到第二降温粗氯硅烷气体和第一升温四氯化硅。

根据本实用新型的实施例，由于急冷器中的温度和压力稍微高于氯化铝的临界点，所以含有硅粉的杂质中氯化铝以气体和沉淀物形式在液体中存在，而氯化铝的积累会造成温度的升高，由此来决定急冷器渣浆的分批排放。

根据本实用新型的实施例，第二降温氯硅烷气体的温度可以为100～150℃。

第一冷却单元400：根据本实用新型的实施例，第一冷却单元400具有第二降温粗氯硅烷气体入口401和液态粗氯硅烷出口402，根据本实用新型的具体实施例，第二降温粗氯硅烷气体入口401与第二降温粗氯硅烷气体出口305相连，且适于将第二降温粗氯硅烷气体进行冷却处理，从而可以得到液态粗氯硅烷。由此，可以显著提高粗氯硅烷气体的冷却效率。

根据本实用新型的实施例，第一冷却单元400可以包括空冷装置41和一级冷却装置42，并且空冷装置41与一级冷却装置42相连。由此，可以进一步提高粗氯硅烷气体的冷却效率。

根据本实用新型的实施例，所得到的液态粗氯硅烷的温度可以为30～35℃。

气液分离单元500：根据本实用新型的实施例，气液分离单元500具有液态粗氯硅烷入口501、含有氢气的气体出口502、液态氯硅烷出口503，根据本实用新型的具体实施例，液态粗氯硅烷入口501与液态粗氯硅烷出口402相连，液态氯硅烷出口503与氯硅烷入口302相连，且适于将液态粗氯硅烷进行气液分离，从而可以得到含有氢气的气体以及含有四氯化硅、三氯氢硅和二氯二氢硅的液态氯硅烷，并将液态氯硅烷的一部分供给至急冷单元的急冷器作为淋洗液，用于稳定急冷器中洗涤液的液位。由此，可以提高系统运行稳定性。

根据本实用新型的实施例，气液分离单元500包括第一气液分离装置51和第二气液分离装置52，根据本实用新型的具体实施例，液态粗氯硅烷入口501、含有氢气的气体出口502设置在第一气液分离装置51上，液态氯硅烷出口503设置在第二气液分离装置52上。

精馏装置600：根据本实用新型的实施例，精馏装置600具有氯硅烷进口601、三氯氢硅出口602和第一四氯化硅出口603，根据本实用新型的具体实施例，氯硅烷进口601与液态氯硅烷出口503相连，且适于将液态氯硅烷的另一部分进行精馏处理，以便得到三氯氢硅和四氯化硅。由此，可以有效分离得到三氯氢硅。

第二冷却单元700：根据本实用新型的实施例，第二冷却单元700具有含有氢气的气体入口701、第一氢气出口702和液体混合物出口703，根据本实用新型的具体实施例，含有氢气的气体入口701与含有氢气的气体出口502相连，液体混合物出口703与气液分离单元500相连，且适于将含有氢气的气体进行第二冷却处理，从而可以得到液体混合物和氢气，并将液体混合物返回至气液分离单继续进行气液分离处理。由此，可以有效分离得到氢气，从而显著提高氢气的利用率。

根据本实用新型的实施例，第二冷却单元700包括二级冷却装置71和三级冷却装置72。由此，可以显著提高氢气的分离效率。

四氯化硅储罐800：根据本实用新型的实施例，四氯化硅储罐800具有第三四氯化硅入口801、第二四氯化硅出口802，根据本实用新型的具体实施例，第三四氯化硅入口801与第一四氯化硅出口603相连，第二四氯化硅出口802分别与第二四氯化硅入口303和气液分离单元500相连，且适于储存所述四氯化硅，并将四氯化硅的一部分供给至气液分离单元，将四氯化硅的另一部分供给至急冷单元的换热器进行换热处理。由此，可以显著提高四氯化硅的循环利用率。

氢气储罐900：根据本实用新型的实施例，氢气储罐900具有第二氢气入口901和第二氢气出口902，根据本实用新型的具体实施例，第二氢气入口901与第一氢气出口902相连，且适于储存氢气。具体的，可以根据需要适当额外补充氢气。

加热装置1000：根据本实用新型的实施例，加热装置1000具有第一升温四氯化硅入口1001和第二升温四氯化硅出口1002，根据本实用新型的具体实施例，第一升温四氯化硅入口1001与第一升温四氯化硅出口304相连，且适于对第一升温四氯化硅进行加热，从而得到第二升温四氯化硅。

混合装置1100：根据本实用新型的实施例，混合装置1000具有第二升温四氯化硅入口1101、第三氢气入口1102和混合气体出口1103，根据本实用新型的具体实施例，第二升温四氯化硅入口1101与第二升温四氯化硅出口1002相连，第三氢气入口1102与第二氢气出口902相连，且适于在将第二升温四氯化硅和氢气供给至氢化反应装置之前，预先将第二升温四氯化硅和氢气进行混合，从而将含有四氯化硅和氢气的混合物供给至氢化反应装置。由此，可以显著提高四氯化硅的转化率。

根据本实用新型的实施例，四氯化硅和氢气可以按照摩尔比为1:1～6进行混合。由此，可以进一步提高四氯化硅的转化率。

过热装置1200：根据本实用新型的实施例，过热装置1200具有混合气体入口1201和过热气体出口1203，根据本实用新型的具体实施例，混合气体入口1201与混合气体出口1103相连，过热气体出口1203与氢化反应装置100相连，且适于在将含有四氯化硅和氢气的混合物供给至氢化反应装置之前，预先将混合物进行过热处理。发明人发现，通过将硅粉与气相的过热的氢气和四氯化硅进行反应，可以显著提高四氯化硅的转化率(四氯化硅的转化率高达27％以上)。

根据本实用新型实施例的制备三氯氢硅的系统通过将三氯氢硅的合成和四氯化硅的氢化在同一装置中进行，可以显著降低设备投资，并且将硅粉与气相的氢气和四氯化硅进行反应，可以显著提高四氯化硅的转化率(四氯化硅的转化率高达27％以上)，同时在氢化反应装置中采用无催化反应，可以有效降低成本的投入，并且可以显著提高产品的纯度，另外采用全封闭系统，将粗氯硅烷中夹杂的硅粉、氢气、四氯化硅进行有效分离，并将分离得到的氢气和四氯化硅返回至氢化反应装置继续进行反应，从而可以显著提高原料的利用率，进而进一步降低生产成本。

根据本实用新型的实施例，该系统进一步包括：渣浆处理装置1300：根据本实用新型的实施例，渣浆处理装置1300与含有硅粉的杂质出口306相连，且适于将含有硅粉的杂质进行处理。由此，可以实现资源的有效化利用。

下面参考具体实施例，对本实用新型进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本实用新型。

实施例

参考图1，将硅粉与过热的氢气和四氯化硅的混合物(氢气和四氯化硅的摩尔比为1:2.1)在500～600℃的温度和3.8MPa压力下进行氢化反应，从而可以得到粗氯硅烷气体，其中，氢气和四氯化硅的混合物的流量为22475.5Kg/h，硅粉的流量为340Kg/h，得到的550℃的粗氯硅烷气体经过第一降温装置进行降温得到350℃的第一降温氯硅烷，然后将第一降温氯硅烷供给至急冷单元与氯硅烷和四氯化硅接触进行除杂和换热，得到第二降温粗氯硅烷气体、第一升温四氯化硅和含有硅粉的杂质，得到的第二降温粗氯硅烷气体经过第一冷却单元冷却处理，可以得到液态粗氯硅烷，将液态粗氯硅烷进行经气液分离单元进行气液分离处理，得到含有氢气的气体以及含有四氯化硅、三氯氢硅和二氯二氢硅的液态氯硅烷，将液态氯硅烷的一部分经精馏装置进行精馏处理，得到四氯化硅和三氯氢硅，将液态粗氯硅烷的另一部分供给至急冷单元作为淋洗液进行降温除杂，将含有氢气的气体经第二冷却单元进行冷却处理，分离得到氢气，并将氢气储存至氢气储罐中，同时根据需要额外向氢气储罐中补给氢气，将精馏装置中得到的四氯化硅供给至四氯化硅储罐进行储存，并将四氯化硅的一部分供给至急冷单元的换热器进行换热处理，将四氯化硅的另一部分供给至气液分离单元，将经换热器得到的第一升温四氯化硅经四氯化硅加热装置进行加热，得到第二升温四氯化硅，将所得到的第二升温四氯化硅和氢气储罐中得到的氢气在混合装置中进行混合，得到含有氢气和四氯化硅的混合气体，然后将混合气体经过热装置进行过热处理，并将所得到的过热混合气体供给至氢化反应装置。

采用该系统四氯化硅一次转化率为27％左右，最高可达30％，并且生产1公斤三氯氢硅的电耗0.8kwh，与现有的热氢化装置(包括氢化尾气干法回收装置)生产1公斤三氯氢硅的电耗为4.0kwh相比较，生产1公斤三氯氢硅可节省电耗3.2kwh，节能效果明显，同时生产每千克的三氯氢硅所需硅粉单耗由原来0.24kg下降到0.053kg，液氯单耗由原来的1.8kg(基于每千克的硅粉)下降到0.49kg。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本实用新型的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本实用新型的限制，本领域的普通技术人员在本实用新型的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (7)

1.一种制备三氯氢硅的系统，其特征在于，包括：

氢化反应装置，所述氢化反应装置具有硅粉入口、第一四氯化硅入口、第一氢气入口和粗氯硅烷气体出口；

第一降温装置，所述第一降温装置具有粗氯硅烷气体入口和第一降温粗氯硅烷气体出口，所述粗氯硅烷气体入口与所述粗氯硅烷气体出口相连；

急冷单元，所述急冷单元具有第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口和含有硅粉的杂质出口，所述第一降温粗氯硅烷气体入口与所述第一降温粗氯硅烷气体出口相连；

第一冷却单元，所述第一冷却单元具有第二降温粗氯硅烷气体入口和液态粗氯硅烷出口，所述第二降温粗氯硅烷气体入口与所述第二降温粗氯硅烷气体出口相连；

气液分离单元，所述气液分离单元具有液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口、液态氯硅烷出口，所述液态粗氯硅烷入口与所述液态粗氯硅烷出口相连，所述液态氯硅烷出口与所述氯硅烷入口相连；

精馏装置，所述精馏装置具有氯硅烷进口、三氯氢硅出口和第一四氯化硅出口，所述氯硅烷进口与所述液态氯硅烷出口相连；

第二冷却单元，所述第二冷却单元具有含有氢气的气体入口、第一氢气出口和液体混合物出口，所述含有氢气的气体入口与所述含有氢气的气体出口相连，所述液体混合物出口与所述气液分离单元相连；

四氯化硅储罐，所述四氯化硅储罐具有第三四氯化硅入口、第二四氯化硅出口，所述第三四氯化硅入口与所述第一四氯化硅出口相连，所述第二四氯化硅出口分别与所述第二四氯化硅入口和所述气液分离单元相连；

氢气储罐，所述氢气储罐具有第二氢气入口和第二氢气出口，所述第二氢气入口与所述第一氢气出口相连；

加热装置，所述加热装置具有第一升温四氯化硅入口和第二升温四氯化硅出口，所述第一升温四氯化硅入口与所述第一升温四氯化硅出口相连；

混合装置，所述混合装置具有第二升温四氯化硅入口、第三氢气入口和混合气体出口，所述第二升温四氯化硅入口与所述第二升温四氯化硅出口相连，所述第三氢气入口与所述第二氢气出口相连；以及

过热装置，所述过热装置具有混合气体入口和过热气体出口，所述混合气体入口与所述混合气体出口相连，所述过热气体出口与所述氢化反应装置相连。

2.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述急冷单元包括急冷器和换热器，所述第二四氯化硅入口、第一升温四氯化硅、第二降温粗氯硅烷气体出口分别独立的设置在所述换热器上，所述第一降温粗氯硅烷气体入口、氯硅烷入口、含有硅粉的杂质出口设在所述急冷器上。

3.根据权利要求2所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述急冷器中具有气体分布器和消泡筛板。

4.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述第一冷却单元包括空冷装置和一级冷却装置，并且所述空冷装置与所述一级冷却装置相连。

5.根据权利要求4所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述气液分离单元包括第一气液分离装置和第二气液分离装置，所述液态粗氯硅烷入口、含有氢气的气体出口设置在所述第一气液分离装置上，所述液态氯硅烷出口设置在所述第二气液分离装置上。

6.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，所述第二冷却单元包括二级冷却装置和三级冷却装置。

7.根据权利要求1所述的制备三氯氢硅的系统，其特征在于，进一步包括：

渣浆处理装置，所述渣浆处理装置与含有硅粉的杂质出口相连。