CN204303873U - 一种霍尔片式集成电路的气密性封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供霍尔片式集成电路的气密性封装结构，包括一具有安装槽的陶瓷外壳、封装于所述安装槽内的霍尔电路芯片、以及盖在所述安装槽的外边缘并用于气密性封装所述安装槽的镀金盖板，其中所述霍尔电路芯片通过硅铝丝与陶瓷外売连接,所述陶瓷外売内部布设有印刷导线连接四个伸出陶瓷外壳之外的管脚；其中三个管脚通过三根引线于陶瓷外壳一端,另一管脚通过引线于陶瓷外壳的另一端。实用新型所提供封装结构的结构紧凑，为传统的单片霍尔集成电路气密性封装外売体积的72%，保证了霍尔集成电路气密性封装的实现。

Description

一种霍尔片式集成电路的气密性封装结构

技术领域

本实用新型涉及霍尔片式集成电路设计领域，具体而言涉及一种高可靠的霍尔片式集成电路的气密性封装结构。

背景技术

霍尔集成电路是一种磁敏传感器，以霍尔效应原理为其工作基础的，用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。通过霍尔集成电路将许多非电、非磁的物理量例如力、力矩、压力、应力、位置、位移、速度、加速度、角度、角速度、转数、转速等，转变成电量来进行检测和控制；同样也可以对电流、电压、功率等电量进行全隔离的测量和控制。

一种具有自主知识产权的霍尔片式集成电路将硅单晶材料的霍尔电路芯片封装到一只气密性封装结构中设计成为一种高可靠的霍尔片式集成电路，具有许多优点：结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，抗辐射，耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。主要用于我国的航空、航天、舰船上的控制设备，这些领域对霍尔集成电路的稳定性、可靠性、长寿命的要求非常高。

实用新型内容

本实用新型目的在于提供一种改进的霍尔片式集成电路的封装结构，结构紧凑、体积小且具有较好的稳定性和可靠性。滿足了高可靠霍尔片式集成电路的气密性封装结构的需要。

为达成上述目的，本实用新型所采用的技术方案如下：

一种霍尔片式集成电路的封装结构，包括一具有安装槽的陶瓷外壳、封装于所述安装槽内的霍尔电路芯片、以及盖在所述安装槽的外边缘并用于气密性封装所述安装槽的镀金盖板，其中所述霍尔电路芯片通过硅铝丝与陶瓷外売连接,所述陶瓷外売内部布设有印刷导线连接四个伸出陶瓷外壳之外的管脚；其中三个管脚通过三根引线于陶瓷外壳一端,另一管脚通过引线于陶瓷外壳的另一端。

提高了电路安装的可靠性和稳定性，本实用新型所提供封装结构的结构紧凑，体积小(3.6mm×5.4mm×1.7mm)且为传统的单片霍尔集成电路气密性封装外売体积的72％，保证了霍尔集成电路气密性封装的实现。

所述霍尔电路还连接有三个压焊点，压焊点还与陶瓷売内部的印刷导线和所述伸出陶瓷外壳之外的四个管脚连接。其中一个压焊点连接两个外部管脚，这种内部导线连接的设计滿足相互连接的需要，又使外売体积小、结构紧凑、安装可靠性高。

所述四个伸出陶瓷外壳之外的管脚，其中三个伸出陶瓷外壳之外的管脚的厚度和宽度分别为0.15mm和0.5mm，相邻管脚中心之间的距离为1.27mm，一瑞的管脚为0.15mm×1mm。

所述陶瓷外壳长度为5.4mm，宽度为3.6mm，厚度为1.5mm，所述安装槽内为两级阶梯式结构，其中临近所述镀金盖板一级的高度为0.6mm，另一级的高度为0.4mm。

所述安装槽内的最大长度尺寸为1.6mm，最大宽度尺寸为1.6mm。

进一步，所述镀金盖板通过金锡焊料固定在所述安装槽的外边缘进行气密性封装。

本实用新型有益效果：由以上本实用新型的技术方案可知，本实用新型霍尔片式集成电路的封装结构的结构紧凑、体积小(3.6mm×5.4mm×1.7mm)且较传统的气密性封装结构(4.5mm×6mm×1.7mm)的体积有了大幅的减小为传统体积的72％，保证了霍尔片式集成电路气密性封装的实现。

附图说明

图1为本实用新型较优实施例的封装结构的示意图。

图2为图1中封装结构在另一方向的结构示意图。

图3为图1中封装结构的外形图，单位为mm。

具体实施方式

为了更了解本实用新型的技术内容，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。

如图1、2所示，根据本实用新型的较优实施例，霍尔片式集成电路的封装结构包括一具有安装槽的陶瓷外壳2、封装于安装槽内霍尔电路3、以及盖在所述安装槽的外边缘并用于封闭所述安装槽的金属盖板5，本实施例中，霍尔电路3为芯片形式封装在安装槽内。霍尔电路芯片3优选为硅单晶材料的霍尔电路芯片并釆用硅铝絲4超声压焊工艺完成芯片和陶瓷外売的连接。所述陶瓷外売内部布设有印刷导线用于连接霍尔电路和四个伸出陶瓷外壳之外的管脚(1、6)。这种内部导线连接的设计，使外売体积小、结构紧凑。

三根管脚的伸出陶瓷外壳2一端之外。管脚的厚度h和宽度d分别为0.15mm和0.5mm。相邻管脚中心之间的距离为1.27mm,外壳另一瑞的管脚为0.15mm×1mm。

本实施例中，硅单晶材料的霍尔电路3以芯片形式封装在安装槽内：先用银浆分配器将进口导电胶点滴在安装槽底座上，分别用真空吸头将芯片安装在相应位置上，再采用预固化(100℃±5℃、0.5h、N2)和后固化(200℃±5℃、2h、N2)工艺进行固化。

所述镀金盖板5通过金锡焊料固定在所述安装槽的外边缘上进行气密性封装。

陶瓷外壳的长度为5.4mm，宽度为3.6mm，厚度为1.5mm，所述安装槽内为两级阶梯式结构，其中临近金属盖板6的那一级的高度为0.6mm，另一级的高度为0.4mm。安装槽内的最大长度尺寸为1.6mm，最大宽度尺寸为1.6mm。

参考图3所示，霍尔片式电路的外形图。

综上所述，本发明提供的霍尔片式集成电路的封装结构的结构紧凑，体积小(3.6mm×5.4mm×1.7mm)且较传统的气密性封装外売(4.5mm×6mm×1.7mm)的体积有了大幅的减小，保证了霍尔片式集成电路气密性封装的实现。

虽然本实用新型已较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本实用新型。本实用新型所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本实用新型的保护范围当视权利要求书所界定者为准。

Claims (1)

1.一种霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征是包括一具有安装槽的陶瓷外壳、封装于所述安装槽内的霍尔电路芯片、以及盖在所述安装槽的外边缘并用于气密性封装所述安装槽的镀金盖板，所述霍尔电路芯片通过硅铝丝与陶瓷外売连接,所述陶瓷外売内部布设有印刷导线连接四个伸出陶瓷外壳之外的管脚；其中三个管脚通过三根引线于陶瓷外壳一端, 另一管脚通过引线于陶瓷外壳的另一端。

2. 根据权利要求1所述的霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征在于，所述四个伸出陶瓷外壳之外的管脚，其中三个伸出陶瓷外壳之外的管脚的厚度和宽度分别为0.15mm和0.5mm，相邻管脚中心之间的距离为1.27mm，另一瑞的管脚为0.15mm×1mm。

3. 根据权利要求1所述的霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征在于，所述霍尔电路还连接有三个压焊点，压焊点还与陶瓷売内部的印刷导线和所述伸出陶瓷外壳之外的四个管脚连接。

4. 根据权利要求3所述的霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征在于，所述陶瓷外壳长度为5.4mm，宽度为3.6mm，厚度为1.5mm。

5. 根据权利要求1～4中任意一项所述的霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征在于所述镀金盖板通过金锡焊料固定在所述安装槽的外边缘进行气密性封装。

6. 根据权利要求5所述的霍尔片式集成电路的气密性封装结构，其特征在于，所述安装槽内的最大长度尺寸为1.6mm，最大宽度尺寸为1.6mm。