CN204302321U - 适用于高频测试的芯片测试插座 - Google Patents

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周勇华
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Abstract

本实用新型涉及一种适用于高频测试的芯片测试插座,属于电子设备技术领域。采用了该结构的适用于高频测试的芯片测试插座,由于其框架、浮板、主体和托板中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针,所述的浮板为金属浮板,且所述的测试针与所述的浮板之间设置有特氟隆垫圈,从而避免了金属材料与测试针之间的导电和摩擦产生的磨损,进而避免了信号之间的干扰,信号传输衰减小,具有屏蔽衰减的,特性阻抗较好,且本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座,其结构简单,成本低廉,应用范围也较为广泛。

Description

适用于高频测试的芯片测试插座
技术领域
本实用新型涉及电子设备技术领域,特别涉及芯片检测设备技术领域,具体是指一种适用于高频测试的芯片测试插座。
背景技术
随着信息产业的越来越智能化信息化,大量的高频芯片的开发和应用,芯片测试行业也急需要开发适用于高频芯片的测试插座。现有的芯片测试工具特征阻抗较差,信号传输的衰减较大,且信号之间容易产生干扰,无法应用于高频芯片的测试中。
实用新型内容
本实用新型的目的是克服了上述现有技术中的缺点,提供一种信号之间尽量没有干扰,信号传输的衰减小,且屏蔽衰减,最重要的是特性阻抗较好的适用于高频测试的芯片测试插座。
为了实现上述的目的,本实用新型的用于高频测试的芯片测试插座具有如下构成:
该适用于高频测试的芯片测试插座包括自上而下依次设置的框架、浮板、主体和托板,所述的框架、浮板、主体和托板中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针,所述的浮板为金属浮板,且所述的测试针与所述的浮板之间设置有特氟隆垫圈。
该适用于高频测试的芯片测试插座中,所述针腔的内直径D与所述测试针的外直径d满足公式:
Z = 60 ϵ r ln D d ,
其中,Z为特征阻抗,εr为绝缘相对介电常数。
该适用于高频测试的芯片测试插座中,所述各针腔中设置的测试针包括信号探针、电源探针和接地探针中的一种或多种。
采用了该实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座,由于其框架、浮板、主体和托板中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针,所述的浮板为金属浮板,且所述的测试针与所述的浮板之间设置有特氟隆垫圈,从而避免了金属材料与测试针之间的导电和摩擦产生的磨损,进而避免了信号之间的干扰,信号传输衰减小,具有屏蔽衰减的,特性阻抗较好,且本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座,其结构简单,成本低廉,应用范围也较为广泛。
附图说明
图1为本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座的爆炸图。
图2为图1中测试针部分的细节示意图。
图3为本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座的截面图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本实用新型的技术内容,特举以下实施例详细说明。
请参阅图1所示,为本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座的爆炸图。
在一种实施方式中,如图1至3所示,该适用于高频测试的芯片测试插座包括自上而下依次设置的框架1、浮板2、主体3和托板4,所述的框架1、浮板2、主体3和托板4中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针5,所述的浮板4为金属浮板,且所述的测试针5与所述的浮板4之间设置有特氟隆垫圈6。
在一种较优选的实施方式中,所述针腔的内直径D与所述测试针5的外直径d满足公式:
Z = 60 ϵ r ln D d ,
其中,Z为特征阻抗,εr为绝缘相对介电常数。
在更优选的实施方式中,所述各针腔中设置的测试针5包括信号探针51、电源探针52和接地探针53中的一种或多种。
在实际应用中,本实用新型的测试插座由以下部分组成:测试插座框架,测试插座浮板,测试插座主体,测试插座托板,信号探针,电源探针,接地探针,特氟隆垫圈和一些紧固件。
普通测试插座使用一种探针,本新型测试插座使用三种探针,对应芯片信号端使用相对细的信号探针,对应芯片电源端使用粗的电源探针,对应芯片接地端使用较粗接地探针。普通测试插座的测试插座浮板,测试插座主体,测试插座托板都是使用工程塑料的,而本新型测试插座考虑到信号之间的干扰,需要屏蔽,使用了金属材料。为了防止金属材料和探针之间的导电和摩擦产生的磨损,在金属材料的表面需要做超硬阳表面处理,并且在金属材料和探针之间加上特氟隆垫圈。
如图1和图2,本新型测试插座由测试插座框架,测试插座浮板,测试插座主体,测试插座托板,信号探针,电源探针,接地探针,特氟隆垫圈和一些紧固件部分组成。从图3局部结构横截面示意图中可以看到探针是安装在测试插座里的探针腔里面。
整个设计中需要考虑很多因素:信号之间的干扰,信号的屏蔽,材料的特性和耐磨,特性阻抗,加工精度等等。其中最重要的一项是特性阻抗,而特性阻抗又与使用的物料材质、间距、横面积有系,可以通过计算得到。设计时,最好是阻抗设计小些,因为加工段阻抗会增加。根据以下公式计算选择材料金属和特氟隆,以及得出探针和金属之间的最佳间隙。
Z = 60 ϵ r ln D d
其中,Z为特征阻抗,εr为绝缘相对介电常数,D为外导体内直径,d为内导体外直径。
为了有更好的性能,本新型测试插座的测试插座框架,测试插座浮板,测试插座主体,测试插座托板都要作绝缘耐磨的表面处理。本新型测试插座已经实际应用于高频芯片测试中,并取得了很好测试效果。
采用了该实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座,由于其框架、浮板、主体和托板中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针,所述的浮板为金属浮板,且所述的测试针与所述的浮板之间设置有特氟隆垫圈,从而避免了金属材料与测试针之间的导电和摩擦产生的磨损,进而避免了信号之间的干扰,信号传输衰减小,具有屏蔽衰减的,特性阻抗较好,且本实用新型的适用于高频测试的芯片测试插座,其结构简单,成本低廉,应用范围也较为广泛。
在此说明书中,本实用新型已参照其特定的实施例作了描述。但是,很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本实用新型的精神和范围。因此,说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。

Claims (3)

1.一种适用于高频测试的芯片测试插座,其特征在于,包括自上而下依次设置的框架、浮板、主体和托板,所述的框架、浮板、主体和托板中设置有若干上下贯通的针腔,各所述针腔中均设置有测试针,所述的浮板为金属浮板,且所述的测试针与所述的浮板之间设置有特氟隆垫圈。
2.根据权利要求1所述的适用于高频测试的芯片测试插座,其特征在于,所述针腔的内直径D与所述测试针的外直径d满足公式:
Z = 60 ϵ r 1 n D d ,
其中,Z为特征阻抗,εr为绝缘相对介电常数。
3.根据权利要求1或2所述的适用于高频测试的芯片测试插座,其特征在于,所述各针腔中设置的测试针包括信号探针、电源探针和接地探针中的一种或多种。
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